基于新型光纤的传输技术探讨

随着互联网的高速发展，引发了网络流量、电信骨干网流量急速增长，使得网络容量的提升迫在眉睫。目前，100G 系统已经商用，超100G系统能够更有效地解决流量和网络带宽持续增长带来的压力，本文主要介绍新型单模光纤的特性以及探讨基于新型单模光纤的传输技术。     

辐射型漏泄同轴电缆的设计

总结了漏泄同轴电缆的理论研究现状。围绕使用频带和耦合损耗这两个重要电气参数，讨论辐射型漏泄同轴电缆的设计方法。基于周期性槽孔结构的空间谐波的分析，讨论了抑制高次谐波以拓展使用频带的方法。利用时域有限差分方法和Matlab软件计算耦合损耗。     

光缆接续损耗的工程控制

本从影响光纤损耗的主要因素分析着手，提出了光缆接续损耗工程控制的简洁有效的方法。     

IR推出最新型200V DirectFET MOSFET效率高达95％并可大幅节省占位空间

全球功率半导体和管理方案供应商-国际整流器公司（International Rectifier．简称IR）日前推出了一款IRF6641TRPbF功率MOSFET，这种采用IR标准的DirectFET封装技术结合IR最新的200 VHEXFET MOSFET硅技术的新器件可实现95％的效率，并可大幅节省占位空间。     

两种基于弯曲损耗的光纤测试仪器原理及应用

光纤通信技术的飞速发展带动了光纤测试仪器的发展。主要对两种利用弯曲损耗对光纤进行检测的仪器——光纤识别仪、光纤对线器的原理、结构及其在光纤通信工程中的应用进行了阐述，两种仪器可以在不中断光纤通信的情况下对光纤进行检测，极大地降低了对光纤通信系统的影响，对光纤通信系统具有重要意义。     

如何降低光纤熔接损耗

1前言 光缆接续是光缆施工中工程大和技术要求复杂的一道工序，其质量好坏直接影响线路的传输质量和寿命。努力降低光纤接头处的熔接损耗，就可增加光纤中继放大传输距离或增加光缆富余度，因而降低光纤的熔接损耗具有重要的实际意义。     

安森美半导体便携式应用功率MOSFET产品系列

安森美半导体（ON Semiconductor）推出便携式应用带来领先效能与设计灵活度的新功率MOSFET产品μCool系列，新推出的六款μCool^TM产品采用外露漏极DFN封装技术，可以在极小的4mm。面积上取得卓越的热阻（38℃／W）与额定功率（1．9W），额定持续功率比业界标准SD-88封装提高了高达190％，     

SOI光开关速度和损耗的研究

速度和损耗是光开关的两项重要特性指标。章在介绍SOI热光型和电光型开关工作原理的基础上，分析了波导层和埋层二氧化硅厚度、电极材料、载流子寿命以及掺杂、界面质量、模式失配度和对准性等等因素对于速度和损耗的影响，并相应的提出了一些改善方案。     

xDSL线路测试

市话电缆用户线最早是为传输电话而建设的。随着频带MODEM、基带MODEM、HDSL、SDSL、ADSL、SHDSL的广泛应用，市话电缆传输速率越来越高，占用的频带也越来越宽了，同时对线路特性提出了更高的要求。传统的针对电话开通和维护的简单测试已经无法满足这些业务了，装备适应xDSL业务的线路测试仪表已经显得非常重要。     

共面波导有限金属厚度效应的研究

用保角变换法对共面波导金属厚度效应进行了理论分析，编制了相应的计算机程序，给出了数值解，并对此进行了多元曲线拟合，导出了考虑金属厚度后的形状比k、有效介电常数、特征阻抗、损耗的闭定表达式。用此修正表达式求得特征阻抗及损耗的数值解，并与K．C．格普塔的修正值及实验测量值进行了详细比较，结果表明此修正公式与实验值相符较好。