一种新型回路电阻测试仪的研究与设计

针对传统低压回路电阻测试仪只能在被测设备停电时使用的一大限制,本文提出并设计了一种新型低压回路电阻测试仪。该仪器可在低压设备运行状态下对其回路电阻进行测量,在保证测量精度的前提下减少了设备停电率,大大提高了工作效率。     

钉基厚膜应变电姐力敏模型的初始讨论

摘要：通过分析钌基厚膜应变电阻的隧道势垒模型，提出力敏模型。     

一种宽带矢量调制器的设计及其应用

矢量调制器是一种可以同时控制微波信号幅度和相位的器件。本文介绍了一种基于新型微带定向耦合器的宽带矢量调制器。新的耦合器结构克服了传统微带耦合器耦合度低、方向性差的问题,也不需要Lange耦合器复杂的加工工艺,在平衡放大器、移相器和衰减器等场合具有广泛的应用。其次,研究了用串联电感对衰减器中PIN二极管的寄生参数进行补偿的一种简单方法,以改善衰减器衰减量变化时的相位性能。该方法原理简单,可在一定带宽内替代复杂的平衡结构,并给出相近的性能。最后给出了矢量调制器的测试结果和它在自适应天线阵等实际系统中的应用情况,并讨论了用于提高载波和边带抑制、满足高精度要求的校准方法。     

低阻VDMOSFET的优化设计与制造

文章对9926型双N沟增强型VDMOSFET进行了结构和版图的优化设计。给出了该器件的纵横向结构参数,材料的物理参数和版图总体结构。单胞结构的优化设计使单胞密度达到204万个/cm2,比国际市场现有产品的单胞密度(156万个/cm2)提高了30%。这种设计采用浅n+注入工艺可使器件生产成本下降31%。最后对研制结果进行了分析讨论。     

dU/dt引发的MOSFET误导通分析

分析了MOSFET误导通产生的原因,分别从原理和理论推导两个方面作了分析,主要考虑了开关管中寄生参数对开关特性的影响。通过求解误导通发生的条件,得到哪些参数会导致误触发,最后给出了仿真。文中还提出如何避免MOSFET误导通产生,以及改进方法,对减少实际应用中MOSFET破坏性损坏有一定意义。     

Vishay新型表面贴装Bulk MetalZ箔电阻

日前．Vishay Intertechnology宣布推出VSMP系列超高精度表面贴装Bulk MetalZ箔（BMZF）电阻．这些是业界率先在70℃时具有750mW高额定功率并且具有低至&;#177;0．005％的长期稳定性、低于土0．2ppm／℃的超低典型TCR、在额定功率时&;#177;5ppm的出色PCR及&;#177;0．01％低容差等特性的器件。     

磁电阻随机存储器MRAM的原理与应用

MRAM是指以磁电阻性质来存储数据的随机存储器。MRAM是大多数手机、移动设备、膝上机、PC等数字产品的存储器的潜在替代产品。从MRAM芯片技术的特性上来看,可以预计它将能解决包括计算机或手机启动慢、数据丢失、数据装载缓慢、电池寿命短等问题,能明显改变消费者使用电子设备的方式。