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以4-羟基吲哚为原料,经吲哚环4位乙酰基化、3位亲电取代、酰胺化和还原加氢等反应合成目标化合物7.通过核磁共振氢谱及碳谱对化合物进行结构表征,并对目标化合物进行体外抗氧化生物活性测试.初步生物活性测试结果表明,化合物7a,7b,7c和7d对DPPH·均有很强的清除作用(清除率为85.25%~90.73%),7e,7f,7g,7h作用较差;目标化合物与Vc相比,对·OH的清除作用稍差,最高清除率25.66%(Vc的最高清除率为34.67),但各化合物整体水平相当;在清除O-2·能力上化合物7a,7d,7g,7h最大清除率(分别为19.34,35.35,27.93和31.74)均强于同等浓度的Vc(17.58). 相似文献
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分别利用Ga2O3粉末和Ga2O3凝胶作为Ga源,采用NH3为N源,在950℃下,分别将两种反应物与流动的NH3反应20 min合成了GaN微晶。用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、选择区电子衍射(SAED)对微晶进行结构、形貌的分析,特别是对两种不同途径合成GaN微晶的XRD进行了分析比较。结果表明,当Ga源温度为950℃时两种不同的合成途径均可得到六方纤锌矿结构的GaN单晶颗粒,在氮化温度为850℃和900℃时,利用Ga2O3粉末作为Ga源,仅有少量的Ga2O3转变为GaN;而采用Ga2O3凝胶作为Ga源,在相同的温度下,大部分凝胶经过高温氨化反应均可转化为GaN。 相似文献
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自从MgB2(Tc=39K)超导体发现以来,AlB2型结构的二元化合物在实验和理论研究中都受到了日益广泛的关注。最近,我们利用高温高压方法合成了一系列具有Nb缺位的Nb1-xB2(0〈x〈0.7)化合物,得到了单相AlB2结构的样品。当0.2≤x〈0.5时,样品在8K附近出现明显的超导转变。结构分析表明,随着Nb含量的减少,晶格参数在x≈0.2处发生突变,在a-b面内收缩,沿c轴方向拉长。为了深入理解Nb1-xB2中超导特性与结构转变和电子结构的关系,我们对一系列Nb1-xB2样品进行了电子能量损失谱的测量;并且利用第一原理计算分析了材料的电子结构随成分变化的关系,得到了与实验一致的理论结果。 相似文献
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