玩转手机终极指南——手机屏幕篇

现在手机市场最流行的热点就是彩屏，可以说国内手机市场已经全面步入彩屏时代，而彩屏的优劣主要可以从材质、解析度及显示色数这几个方面来判定。     

PECVD法低温沉积多晶硅薄膜的研究

在玻璃衬底上采用常规的PKCVD法在低温(≤400℃)条件下制得大颗较(直径＞100nm)、择优取向(220)明显的多晶硅薄膜。选用的反应气体为SiF4和H2混合气体。加入少量的SiH4后，沉积速率提高了近10倍。分析认为，在低温时促使多晶硅结构形成的反应基元应是SiFmHn(m n≤3)，而不可能是SiHn(n≤3)基团。     

一种多晶硅高温压力传感器

制作压力传感器时，在二氧化硅层上淀积多晶硅膜，既可利用优良的机械特性，又可保证压敏电阻与衬底间具有良好的绝缘性，由此可大大提高器件的温度特性。介绍了一种多晶硅压力传感器的原理和设计。实验结果表明，这类传感器具有灵敏度好，精度高等特点，电路工作范围为０－２５０℃，且具有良好的温度稳定性。     

统盟下半年营运有明显转机

统盟电子上半年业绩不如去年同期，且第二季转盈为亏，但在7月营收已创今年单月新高，预期下半年营运有明显转机。统盟过去几年积极改变产品结构，从主板（MB）用印刷电路板（PCB）转型到薄膜晶体管液晶显示器（TFT—LCD）用PCB。因一直没有大陆生产基地处于竞争劣势，转投资大陆江苏省无锡厂第二季末逐渐试产，初期规划月产能55万平方尺，以TFT—LCD、汽车用PCB为主，有助争取更多订单。[第一段]     

多晶硅太阳能电池的风险在哪里

解决能源和环境问题肯定需要包括半导体产业在内的所有人共同参与，不过不能仅看到眼前利益。靠喊口号和上项目可能会适得其反。头脑发热的后果可能是灾难性的，把风险多考虑一些总是没坏处的。     

多晶硅压力传感器灵敏温度系数自补偿技术研究

介绍了硅压力传感器的灵敏温度系数补偿原理,给出了一种在宽温度范围内采用二次补偿灵敏度温度系数的方法,实现了宽范围较高的补偿精度.具体方案是把压阻式惠斯登电桥与温度传感器、可微调多晶硅电阻集成在一个芯片上,通过优化多晶硅电阻的掺杂浓度和改变激励源的温度特性,从而实现对多晶硅压力传感器灵敏温度系数的二次补偿作用.经补偿,传感器的灵敏温度系数小于-1.5×10-4/℃,该方法的补偿温度范围为20℃～ 150℃,通用性强.     

受激光辐照而局部晶化的新型多晶硅TFT

提出一种新型多晶硅ＴＦＴ结构，它在沟道中设置了高阻的非晶硅区，从而有效地减小了漏电流。这种新器件的有源层被局部晶化，而沟道区中与源极相邻的两个边界层未被晶化，保持非晶硅态。     

热壁低压化学汽相淀积设备的使用与维修

文章就热壁低压化学汽相淀积（ＨＷＬＰＣＶＤ）设备使用过程中常见的故障现象及维修谈一点体会。     

热壁LPCVD设备使用中几个问题的探讨

文章就热壁ＬＰＣＶＤ设备使用过程中出现的几个问题作了较全面的分析，提出了一些解决办法，并就设备易出现的故障及维护谈一点体会。