PECVD法低温沉积多晶硅薄膜的研究

在玻璃衬底上采用常规的PKCVD法在低温(≤400℃)条件下制得大颗较(直径＞100nm)、择优取向(220)明显的多晶硅薄膜。选用的反应气体为SiF4和H2混合气体。加入少量的SiH4后，沉积速率提高了近10倍。分析认为，在低温时促使多晶硅结构形成的反应基元应是SiFmHn(m n≤3)，而不可能是SiHn(n≤3)基团。     

一种多晶硅高温压力传感器

制作压力传感器时，在二氧化硅层上淀积多晶硅膜，既可利用优良的机械特性，又可保证压敏电阻与衬底间具有良好的绝缘性，由此可大大提高器件的温度特性。介绍了一种多晶硅压力传感器的原理和设计。实验结果表明，这类传感器具有灵敏度好，精度高等特点，电路工作范围为０－２５０℃，且具有良好的温度稳定性。     

多晶硅太阳能电池的风险在哪里

解决能源和环境问题肯定需要包括半导体产业在内的所有人共同参与，不过不能仅看到眼前利益。靠喊口号和上项目可能会适得其反。头脑发热的后果可能是灾难性的，把风险多考虑一些总是没坏处的。     

多晶硅压力传感器灵敏温度系数自补偿技术研究

介绍了硅压力传感器的灵敏温度系数补偿原理,给出了一种在宽温度范围内采用二次补偿灵敏度温度系数的方法,实现了宽范围较高的补偿精度.具体方案是把压阻式惠斯登电桥与温度传感器、可微调多晶硅电阻集成在一个芯片上,通过优化多晶硅电阻的掺杂浓度和改变激励源的温度特性,从而实现对多晶硅压力传感器灵敏温度系数的二次补偿作用.经补偿,传感器的灵敏温度系数小于-1.5×10-4/℃,该方法的补偿温度范围为20℃～ 150℃,通用性强.     

受激光辐照而局部晶化的新型多晶硅TFT

提出一种新型多晶硅ＴＦＴ结构，它在沟道中设置了高阻的非晶硅区，从而有效地减小了漏电流。这种新器件的有源层被局部晶化，而沟道区中与源极相邻的两个边界层未被晶化，保持非晶硅态。     

热壁低压化学汽相淀积设备的使用与维修

文章就热壁低压化学汽相淀积（ＨＷＬＰＣＶＤ）设备使用过程中常见的故障现象及维修谈一点体会。     

热壁LPCVD设备使用中几个问题的探讨

文章就热壁ＬＰＣＶＤ设备使用过程中出现的几个问题作了较全面的分析，提出了一些解决办法，并就设备易出现的故障及维护谈一点体会。     

非晶硅薄膜的低温快速晶化及其结构分析

在镀铝的廉价玻璃衬底上高速沉积的非晶硅薄膜在不同的温度下退火10min.退火温度为500℃时,薄膜表面形成了硅铝的混合相,非晶硅薄膜开始呈现了晶化现象 退火温度为550℃时,大部分(约80%)的非晶硅晶化为多晶硅,平均晶粒尺寸为500nm 退火温度为600℃时,几乎所有的非晶硅都转化为多晶硅,其平均晶粒尺寸约为15μm.     

半绝缘多晶硅在高可靠大功率硅开关三极管中的应用

介绍了掺氧半绝缘多晶硅（Ｏ一ＳＩＰＯｓ）及掺氮半绝缘多晶硅（Ｎ一ＳＩＰＯＳ）薄膜的制备方法，生长条件及其在高可靠大功率开关三极管３ＤＫ１０６中的应用，以及主要电参数的测试结果，并且对本工艺所带来的特点进行了初步分析。