多指版图结构对纳米MOSFET阈值特性的影响分析

针对纳米级工艺多指栅MOS晶体管的不同版图结构及其阈值波动的相关特性进行分析和研究。通过将基于Fujitsu 90nm工艺的三种不同版图结构实现的N型多指栅MOSFET器件阈值电压VTH作为工艺波动的研究对象,运用多元非线性回归算法对测试芯片进行系统工艺波动与随机工艺波动的提取和分析,并对与尺寸、版图结构相关的随机工艺波动特性进行了评估。测试结果表明三种版图结构中有源区共有结构具有最佳的电流驱动特性,有源区隔离结构抑制系统波动能力最优,折叠栅结构具有同尺寸器件较低的阈值电压并可以最有效地抑制随机工艺波动。     

3G复合USIM卡助力TD-SCDMA实网测试

大唐微电子技术有限公司近日宣布，其研发的3G复合USIM卡已经被TD-SCDMA实网测试采用。11月中旬，TD-SCDMA网络开始放号，北京等5个TD-SCDMAN试点陆续有专业用户开始使用TD-SCDMA手机，对TD-SCDMA网络进行全面检验。在此次实网测试中，大唐微电子公司提供了由其自主研发的3G复合USIM卡，目前使用状况良好。目前，大唐微电子公司是国内最具备3G卡研发实力的智能卡解决方案供应商之一，可以提供支持WCDMA、TD-SCDMA、CDMA2000网络的各类3G智能卡。     

复合流场上吸罩流场理论分析

提出在计算复合流场内存在两种不同流态的流动:势流和紊流。针对两种流动,分别建立了其数学模型,对于紊流流场,针对标准k-ε紊流模型的缺陷,采用了RNGk-ε紊流模型使紊流控制方程封闭。以及提出了边界条件的确定原则。为复合流场的数值计算提供了理论指导。     

新结构MOSFET

和传统平面结构MOSFET相比，新结构MOSFET具有更好的性能(如改善的沟道效应(SCE)，理想的漏诱生势垒降低效应(DIBL)和亚阈值特性)和更大的驱动电流等。文章主要介绍了五种典型的新结构MOSFET，包括平面双栅MOSFET、FinFET、三栅MOSFET、环形栅MOSFET和竖直结构MOSFET。随着MOSFET向亚50nm等比例缩小，这些新结构器件将大有前途。     

化学复合镀层激光处理研究

研究了激光处理对Ni-P -SiC化学复合镀层的影响。借助于扫描电镜、能谱仪、X射线衍射、显微硬度计等设备对激光处理后复合镀层的表面形貌、组织结构及性能进行了综合分析。结果表明 ,对复合镀层进行激光处理可以获得与炉内加热同样的镀层硬度 ,且当激光功率 4 0 0W ,扫描速度 1.5m /min时 ,镀层硬度高于炉内加热的硬度     

第一讲 数字电视广播系统（2）——数字电视的信源编码

(上接第01期) 1 数字压缩编码技术概述 1.1 数字压缩的必要性 数字信号有很多优点,但当模拟信号数字化后其频带将大大加宽,1路6 MHz带宽的普通电视信号数字化后,其数码速率将高达167 Mb/s,这对存储器容量要求很大,占有的带宽将达80 MHz左右,这样将使数字信号失去实用价值.数字压缩技术很好地解决了上述困难,信号压缩后所占用的频带大大低于原模拟信号的频带,因此说,数字压缩编码技术是使数字信号走向实用化的关键技术之一.表4列出了各种应用的码率.     

谐振腔帘栅打火引起的故障及处理

随着广电事业的飞速发展,广播电视正成为人们生活中重要的一部分.保证广播电视设备的优质运行是每个广播电视工程技术人员的首责.在日常的维护与检修过程中有许许多多的宝贵经验值得加以总结.下面本人以北京广播器材厂生产的CSD-IV/V-1A型分米波1kW彩色电视发射机的一次故障为实例加以分析并解决.以供同行作为参考.     

一种独特和可靠的厚/薄铜复合PWB

本文论述一种厚/薄铜复合PWB(及其可靠性),它允许PWB设计者在厚铜和薄铜之间以任何希望的图形进行随意选择,以使电源模块/分配电路可以和精细图形特征一起集成,从而适应离I/O数半导体封装的要求。