N掺杂TiO_2光催化剂的微结构与吸光特性研究

以紫外可见漫反射光谱(UV-VIS-DRS)和X射线光电子能谱(XPS)分析和研究了四种方法制备的N掺杂TiO2光催化剂的结构,即水解法(N/TiO2-H)、氨热还原法(N/TiO2-A)、机械化学法(N/TiO2-M)和尿素热处理法(N/TiO2-T)等.结果表明,N/TiO2-H和N/TiO2-T两种催化剂在490 nm处有吸收带边,可见光激发途径是掺杂的N以填隙方式形成的杂质能级吸收电子发生的跃迁引起的;而N/TiO2-A和N/TiO2-M两种催化剂在整个可见光区域内具有可见光吸收,其对可见光的激发途径是掺杂N和氧空缺共同作用的结果.理论计算的N杂质能级位于价带上0.75 eV,与实验观察到的吸收带边结果十分吻合.XPS结果表明,几种催化剂的N1 s结合能位置都在399 eV附近,显示为填隙掺杂的N原子.填隙掺杂的N/TiO2,其Ti原子的2p结合能与未掺杂的TiO2相比增加了+0.3-+0.6 eV,而O1s电子的结合能增加了+0.2-+0.5eV,这是因为填隙的N原子夺取Ti和O的电子,Ti和O原子周围的电子密度降低了.电子能谱和吸光特性的研究都表明,掺杂的机理是在TiO2晶格内形成N原子的填隙.     

氧含量对VO2-x晶格特性和结构相变影响的研究

采用沉淀法制备了氧含量不同的VO2-x纳米粉．对样品进行了差式扫描量热(DSC)、X-射线衍射(XRD)和透射电子显微镜(TEM)的测试，并结合第一性原理的计算结果，具体分析了氧含量对氧化钒纳米粉的晶格特性和结构相变造成的影响：缺氧样品中形成钒填隙，富氧样品中形成氧填隙，两种缺陷分别造成晶胞体积的膨胀；缺陷带来的各向异性造成晶粒形状的改变；同时，不同缺陷态造成的能带中电子状态的改变也可能成为影响氧化钒的结构相变特性的重要因素之一．     

氧化锌发光中心的统计力学模型

根据ZnO结构的两种空隙(四面体和多面体),提出了一种发光模型.用统计系综求得了上述两种填隙锌的数量计算公式.     

Effect of Zn Interstitials on Enhancing Ultraviolet Emission of ZnO Films Deposited by MOCVD

ZnO films are grown on Si （111） substrates by a metal organic chemical vapor deposition method. Samples with different stoichiometric composition of Zn and 0 are obtained by varying Ⅱ/Ⅵ molar ratio between 3 and 1/3 in precursors. The x-ray photoelectron spectroscopy and photoluminescenee results show that the ultraviolet emission enhances with the increasing Zn/O composition ratio of the samples. It is suggested that the supertfluous Zn atoms pile up at interstitial positions to form Zn interstitial defects. The radiated recombination of the coupling of free exeitons with donor Zn interstitial enhances the ultraviolet emission of the samples.     

实验室隔声测量中试件洞填隙墙传声影响的检验

文章探讨了实验室建筑构件隔声测量中填隙墙传声影响的检验与修正方法。通过实验分析,给出了三种可用于不同隔声量构件的门、窗和玻璃试件隔声测量的填隙墙构造方式。     

“多角度欣赏面心立方晶胞”教学设计*

尝试利用“火花学院”App等在线交互资源,引导学生从立体几何及密置层堆积模型视角,观察、描述、绘制面心立方晶胞的正四面体填隙、正八面体填隙、三视图和沿体对角线投影图像,加深学生对以面心立方晶胞结构为基础的CaF₂→金刚石晶胞、NaCl→钙钛矿晶胞结构的理解;再结合新型材料透明镁铝尖晶石晶体结构的探讨,了解晶体制备中的掺杂改性等常用方法,发展学生的微观探析能力和科学创新意识。     

ZnO压敏陶瓷中组分工艺对Znï本征缺陷的影响

用导纳谱法,测量ZnO压敏陶瓷中Schottky势垒区的陷阱能级,研究组分、制备工艺对二价填隙锌离子Znï本征缺陷的影响.结果表明,ZnO压敏陶瓷中由于添加剂的多元化,导致制备过程中组分之间反应增强,从而形成本征缺陷的趋向也随之增强;其中那些能分凝于晶界的Bi,Ba添加剂,则对Znï的形成有抑制作用;而过高的退火处理温度,则大大地促进Znï的形成.     

填隙法在抛光铜衬底上制备高质量石墨烯薄膜

本文对在抛光铜衬底上通过填隙法制备的高质量石墨烯薄膜进行了详细研究。在电化学机械抛光后的铜衬底上制备石墨烯晶畴,降低了晶畴的成核密度。利用光学显微镜和扫描电子显微镜对抛光铜衬底和未抛光铜衬底上制备的石墨烯晶畴进行测试,测试结果表明,铜衬底的表面形态对于降低石墨烯的成核密度,增大石墨烯晶畴的尺寸起到了至关重要的作用。利用拉曼面扫描证明了所制备的石墨烯晶畴为单层、均匀的石墨烯晶畴。然后,通过填隙法在抛光铜衬底上制备出由大尺寸单层的六边形石墨烯晶畴组成的石墨烯连续薄膜,并且通过流程示意图解释了填隙法制备高质量石墨烯薄膜的过程。本文所提出的在抛光铜衬底上通过填隙法制备石墨烯薄膜的技术,能够有效提高石墨烯薄膜的质量,进而有效改善石墨烯基电子器件的性能。