二氧化锡溅射工艺研究

SnO2 是最早使用也是目前使用最广泛的一种气敏材料 ,使用该材料设计制作的气敏传感器具有许多优点。在简要介绍溅射镀膜的成膜过程和特点的基础上 ,着重介绍了SnO2 膜的制备流程 ,分析了功率和温度变化对成膜质量的影响     

一种高精度基片预对准机构

主要介绍了一种高精度基片预对准机构的设计思想、机构组成、工作原理和精度分析     

基片温度和退火对DdIn2O4薄膜光学性质和载流子浓度的影响

对射频反应性溅射Cd-In合金靶制备的透明导电CdIn2O4薄膜，研究了基片温度及沉积后在氩气流中退火对薄膜的透射、反射和吸收光谱，光学常数和载流子浓度的影响。结果表明：提高基片温度减少了薄膜的载流子浓度，退火增加了薄膜的载流子浓度。随着基片温度提高，薄膜折射率n和消光系数κ的短波峰将逐渐蓝移，而退火使其出现红移。基片温度和退火对薄膜光学常数的影响与其对薄膜载流子浓度的影响是一致的。在制备CdIn2O4这样一种对于沉积方法和沉积条件极为敏感的透明导电薄膜的沉积过程中，这一现象对于实时监控具有极为重要的意义。     

基片温度对TiB2薄膜生长形貌及力学性能的影响

TiB2是一种超硬材料,块体TiB2的硬度高达HV30Gpa,而且耐腐蚀、抗氧化,还具有优良的导电性能,是一种受到广泛重视的导电耐磨涂层材料[1].     

Longitudinal leaky surface acoustic wave on Y-rotated cut quartz substrates

The properties of Quasi-longitudinal leaky surface acoustic wave(QLLSAW) on Y-rotated cut quartz substrates were presented. The phase velocity of QLLSAW on the quartz substrate along some orientations can be up from 6200 m/s to 7100 m/s, circa 100% above that of regular SAW. Both theoretical and experimental results show that QLLSAW propagating along some promising orientations for SAW devices are of small power flow angle and low tem-perature coefficient, for example, along the Euler angle (0°155.25°? 42°?, the measurements of phase velocity and temperature coefficient of delay of QLLSAW are 6201 m/s and 12.9 ppm/℃. The experimental results show that QLLSAW had little absorption by liquid loading on the substrate surface, which proved that the direction of particle motion is the same as wave vector and parallel to the surface of the substrates, i.e., the wave is of the properties of longitudinal wave.     

日本挠性印制电路板用原材料技术的新发展（3）——FPC用聚酰亚胺薄膜基片的技术发展

薄轻短小化已成为电于产品，特别是携带型电子产品的技术发展的潮流。在这一发展潮流中，挠性印制(FPC)成为了电子产品所用的多种类型PCB中的一个“宠儿”。制造FPC用的抗性覆铜板(FCCL)是由铜箔(充当导电体)、薄膜(充当绝缘片)、粘接剂(在三层FPC中作为薄膜与铜箔的粘接材料)组成的。在这篇论述挠性印制电路板用原材料技术的新发展为内容的连载章中，此章主要以日本钟渊化学工业公司的挠性覆铜板的重要原材料——薄膜绝缘基片新产品为主要例，来论述FPC用原材料的技术新发展。     

基片温度对坡莫合金薄膜结构和磁电阻的影响

用磁控溅射方法制备了系列坡莫合金Ni80Fe20薄膜。利用X射线衍射、扫描电子显微镜和原子力显徽镜分析了薄膜的结构、晶粒取向、薄膜厚度、截面结构和表面形态。用4点探测技术测量了薄膜的电阻和磁电阻。结果表明：随衬底温度的升高，晶粒明显长大。膜内的缺陷和应力显著减小，而且增强了薄膜晶粒的[111]择优取向。结果表明，薄膜电阻率显著减小，而磁电阻显著增大。     

流延法制作AlN陶瓷基片工艺

研究出一种用流延法制作ＡＩＮ陶瓷基片的工艺。制备出性能优良的ＡＩＮ基片。经１６５０℃，保温２ｈ无压烧结制得的基片，其热导率达１３０Ｗ／（ｍ·Ｋ）、密度为３．３４ｇ／ｃｍ￣３，表面光滑平整，瓷体结构均匀，性能达到用干压法制备的同类基片的性能。