使能未来工厂的5G能力综述

5G系统将移动通信服务从移动电话、移动宽带和大规模机器通信扩展到新的应用领域，即所谓对通信服务有特殊要求的垂直领域。对使能未来工厂的5G能力进行了全面的分析总结，包括弹性网络架构、灵活频谱、超可靠低时延通信、时间敏感网络、安全和定位，而弹性网络架构又包括对网络切片、非公共网络、5G局域网和边缘计算的支持。希望从广度到深度，对相关的理论及技术应用做透彻、全面的梳理，对其挑战做清晰的总结，从而为相关研究和工程技术人员提供借鉴。     

5G行业应用的探讨

目前我国5G网络建设迎来大规模发展,5G垂直行业应用正处于爆发性增长阶段,如果5G进行全面覆盖,将来一切均可通过无线连接,开启万物互联新篇章.5G作为新型基础设施建设的重要组成部分,凭借其大带宽高速率、低延时高可靠性、海量机器通信等特性,与MEC(多接入边缘计算)、AI(人工智能)、云计算、大数据等新技术不断融合,加快垂直行业应用,促进产业升级,缓解我国经济下行压力,为经济发展注入新活力.     

多指版图结构对纳米MOSFET阈值特性的影响分析

针对纳米级工艺多指栅MOS晶体管的不同版图结构及其阈值波动的相关特性进行分析和研究。通过将基于Fujitsu 90nm工艺的三种不同版图结构实现的N型多指栅MOSFET器件阈值电压VTH作为工艺波动的研究对象,运用多元非线性回归算法对测试芯片进行系统工艺波动与随机工艺波动的提取和分析,并对与尺寸、版图结构相关的随机工艺波动特性进行了评估。测试结果表明三种版图结构中有源区共有结构具有最佳的电流驱动特性,有源区隔离结构抑制系统波动能力最优,折叠栅结构具有同尺寸器件较低的阈值电压并可以最有效地抑制随机工艺波动。     

异质结光晶体管的研究与进展

回顾了异质结光晶体管(HPT)在近年来的重要进展,综合分析了HPT的工作原理以及影响其性能的主要参数。综述了不同材料制作的HPT的研究现状,得出了目前限制HPT发展的主要因素及当前应重点解决由于基区表面复合等效应导致的增益下降和由于结电容的充放电限制的响应带宽等问题的结论。     

世界硬驱行业复苏

据iSuppli公司报道，硬驱行业在经过2001年与2002年的持续下滑后，2003年迎来了复苏的一年，季度销量与销售额都呈现出连续增长之势。由于笔记本电脑需求旺盛，移动硬驱几乎出现供不应求，价格相对稳定，尤其是40GB和60GB的产品更是如此。     

半导体传感器在生物分析科学中的应用(英文)

回顾了半导体生化传感器 (ISFET 和 LA PS)在医学监测、免疫检测、免疫分析、D N A 杂交以及细胞培养等方面应用的进展。为使半导体器件适用于生化检测,对其中所采用的检测手段和取得的研究结果进行了分析。展望了通过与微流体网络相结合,基于半导体传感器的实验室芯片化的可行性。     

铁电存储器的研究进展

介绍了铁电存储器的存储原理,同时对两种铁电存储器(铁电随机存取存储器和铁电场效应晶体管存储器)的研究进展、当前存在的问题以及我国目前在这一领域的研究现状进行了简单介绍,并对今后的技术发展进行了展望。     

He-Ne激光自混合干涉的模式研究

对一般He—Ne激光和频率分裂激光器中偏振态相互垂直的o光和e光的自混合于涉的模式进行了研究，发现了单模变三模的现象，并进行了解释。     

沟道迁移率全球最高的碳化硅半导体在日本问世

日本原子能研究所与独立行政法人产业技术综合研究所(以下简称产综研)，日前成功地联合开发出了采用碳化硅半导体底板的晶体管。作为晶体管性能指标的沟道迁移率(电子活动的难易度)，突破了实用化所要求的标准