使能未来工厂的5G能力综述

5G系统将移动通信服务从移动电话、移动宽带和大规模机器通信扩展到新的应用领域，即所谓对通信服务有特殊要求的垂直领域。对使能未来工厂的5G能力进行了全面的分析总结，包括弹性网络架构、灵活频谱、超可靠低时延通信、时间敏感网络、安全和定位，而弹性网络架构又包括对网络切片、非公共网络、5G局域网和边缘计算的支持。希望从广度到深度，对相关的理论及技术应用做透彻、全面的梳理，对其挑战做清晰的总结，从而为相关研究和工程技术人员提供借鉴。     

5G行业应用的探讨

目前我国5G网络建设迎来大规模发展,5G垂直行业应用正处于爆发性增长阶段,如果5G进行全面覆盖,将来一切均可通过无线连接,开启万物互联新篇章.5G作为新型基础设施建设的重要组成部分,凭借其大带宽高速率、低延时高可靠性、海量机器通信等特性,与MEC(多接入边缘计算)、AI(人工智能)、云计算、大数据等新技术不断融合,加快垂直行业应用,促进产业升级,缓解我国经济下行压力,为经济发展注入新活力.     

世界硬驱行业复苏

据iSuppli公司报道，硬驱行业在经过2001年与2002年的持续下滑后，2003年迎来了复苏的一年，季度销量与销售额都呈现出连续增长之势。由于笔记本电脑需求旺盛，移动硬驱几乎出现供不应求，价格相对稳定，尤其是40GB和60GB的产品更是如此。     

He-Ne激光自混合干涉的模式研究

对一般He—Ne激光和频率分裂激光器中偏振态相互垂直的o光和e光的自混合于涉的模式进行了研究，发现了单模变三模的现象，并进行了解释。     

光通信技术发展的新亮点

自光通信问世以来，经历了研究探索、实用化、推广应用、快速发展等时期，直至2001年，达到急剧发展的高潮。随着世界经济的滑坡，通信行业的不景气，使光通信也进入了寒冷的冬天。实际上，即使在经济低速的时期，光通信的技术依然没有停止发展，而且出现了不少继续将光通信推向前进的新亮点。从技术和应用的角度，简要介绍一些光通信的新技术。     

16信道0.35μmCMOS/VCSEL光发射模块

研究了垂直腔面发射激光器 (VCSEL)及其列阵器件的光谱特性、调制特性、高频特性及与微电子电路的兼容性 ,将 1× 16的VCSEL与CMOS专用集成电路进行多芯片组装 (MCM ) ,混合集成为 16信道VCSEL光发射功能模块 .测试过程中 ,功能模块的光电特性及其均匀性良好 ,测量的 - 3dB频带宽度大于 2GHz.     

VCSEL的发展现状和市场应用

近年来由于高速光网络的快速发展，使人们对一种新型的半导体激光器——垂直腔面发射激光器(VCSEL)给予了更多的关注，已成为研究开发的热点。本介绍了VCSEL的发展进程、基本结构及较之于侧面发射激光器(包括与LED作比较)的优势，以及近期出现的新技术和封装手段，详细叙述了各波段VCSEL所用的材料、技术、市场应用。最后简述了VCSEL基光收发机的市场状况。     

SiGe／Si多量子阱中垂直方向红外吸收及共振色散效应

用垂直入射的中红外光束调制非掺杂SiGe/Si量子阱中光致子带间吸收，氩离子激光器作为子带间跃迁的光泵浦源在阱中产生载流子，红外调制光谱用步进式傅立叶变换光谱仪记录，实验中观察到明显的层间干涉效应与子带间跃迁有关的色散效应，理论和实验分析认为样品折射率变化造成的位相调制可以补偿吸收所造成的幅度调制。     

ON THE ASYMPTOTIC BEHAVIOUR OF THE STEADY SUPERSONIC FLOWS AT INFINITY

This paper studies the asymptotic behaviour of steady supersonic flow past a piece-wise smooth corner or bend. Under the hypothese that both vertex angle and the total variation of tangent along the boundary are small, it is shown that the solution can be obtained by a modified Glimm scheme, and that the asymptotic behaviour of the solution is determined by the velocity of incoming flow and the limit of the tangent of the boundary at infinity.     

3-D MCM封装技术及其应用

介绍了超大规模集成电路（VLSI）用的3-D MCM封装技术的最新发展，重点介绍了3-D MCM封装垂直互连工艺，分析了3-D MCM封装技术的硅效率、复杂程度、热处理、互连密度、系统功率与速度等问题，并对3-D MCM封装的应用作了简要说明。