利用新型场效应管(QFET)的正向变换器

介绍了单端正向变换器基本电路，重点叙述带三路调节DC电压的100KHZ180W离线电源。它采用具有低导电阻RDS和低栅极电荷Qg的新型场效应管（QFET）作为变换电路的主开关器件，降低了电源开关损耗并提高了效率3%-5%。     

可逆式移相脉冲在触发电路中的实际应用

场效应管与运算放大器组成的三角波信号发生器，既可逆式自动移相电路，用于频闪灯触发信号的自动移相，解决了观察高频振动物体的关键技术问题。     

新一代VHF1 kW功放组件及其彩色电视发射机系列

电视发射机全固态化是发展趋势。全固态化电视发射机的性能和可靠性主要决定于大功率射频半导体器件的性能和质量。本文详细介绍了美国ＨＡＲＲＩＳ公司ＶＨＦ电视波段用的ＭＯＳ场效应管１ＫＷ功放组件，以及采用这一功放组件的ＶＨＦ彩色电视发射机。     

亚微米MOS场效应管的完全解析二维模型

本文对二维非线性泊松方程这一基本问题进行了求解.采用一个微分算符将泊松方程分解成自由载流子部份和掺杂分布部份.自由载流子部份正是著名的刘维方程,具有解析解。掺杂分布部份采用“相似变换”的方法予以求解.将包含自由载流子影响的完全的二维电势分布用于亚微米MOS场效应管,得到了阈值电压的解析模型.它能很好地说明短沟道效应.本解析模型的特点是其完整性及简单性.它能很方便地用于器件模拟,也能推广到三维情况.     

P-channel Ge/Si Hetero-nanocrystal Based MOSFET Memory

The charge storage characteristics of P-channel Ge/Si hetero-nanocrystal based MOSFET memory has been investigated and a logical array has been constructed using this memory cell. In the case of the thickness of tunneling oxide T_ox=2nm and the dimensions of Si- and Ge-nanocrystal D_Si=D_Ge=5nm, the retention time of this device can reach ten years(~1×10~8s) while the programming and erasing time achieve the orders of microsecond and millisecond at the control gate voltage |V_g|=3V with respect to N-wells, respectively. Therefore, this novel device, as an excellent nonvolatile memory operating at room temperature, is desired to obtain application in future VLSI.