多指版图结构对纳米MOSFET阈值特性的影响分析

针对纳米级工艺多指栅MOS晶体管的不同版图结构及其阈值波动的相关特性进行分析和研究。通过将基于Fujitsu 90nm工艺的三种不同版图结构实现的N型多指栅MOSFET器件阈值电压VTH作为工艺波动的研究对象,运用多元非线性回归算法对测试芯片进行系统工艺波动与随机工艺波动的提取和分析,并对与尺寸、版图结构相关的随机工艺波动特性进行了评估。测试结果表明三种版图结构中有源区共有结构具有最佳的电流驱动特性,有源区隔离结构抑制系统波动能力最优,折叠栅结构具有同尺寸器件较低的阈值电压并可以最有效地抑制随机工艺波动。     

大型集会高负荷场景流量经营保障

文章论述随着智能机的普及和用户习惯的改变,天翼网络3、4G用户规模大幅度的增长,网络负荷逐步加重。尤其在集会场景中用户高度集中,话务流量并发产生,给覆盖区域的小区造成极大的负荷压力,很容易出现网络过载、底躁抬升、大部分用户无法接入的现象,严重影响客户感知的问题。本案例为宝安体育馆酷派年会成功保障的实际案例,通过合理规划网络资源、充分提高网络的资源利用率、差异化设置系统参数有效满足大量用户并发使用的需求。     

利用高频结构仿真器分析波导魔T

高频结构仿真器（HFSS）是一种微波器件设计软件，该软件界面友好，通过仿真计算减小了调试工作量，使得微波器件的设计变得简单易行。本文利用HFSS对波导魔T进行了仿真分析，得到了该器件的S参数和动、静态场的分布情况，并对该器件进行了优化设计。     

8VSB芯片的层次式设计方法

提出了深亚微米下系统级芯片层次式版图设计的方法，并用该方法设计了HDTV信道解码芯片8VSB的版图。实例设计结果表明，该方法在节约面积、加速时序收敛方面效果明显，大大缩短了芯片设计周期。     

OTP工艺的基本特点和工艺难度简介

什么是OTP?——这样的产品只允许写入一次，所以被称为“一次可编程只读存储器”(One Time Progarmming ROM，OTP-ROM)。     

深亚微米工艺下集成电路的电磁兼容性设计（上）

随着IC设计逐步进入VDSM阶段，SOC逐步成为设计的主流，IC设计需要关注的问题也在逐步增加。以前设计时，主要关注芯片面积的大小；在80年代后期，延时(Delay)逐渐成为设计人员关注的问题；进入90年代芯片的功率消耗也成为必须考虑的问题；近来制造中的成品率(Yjeld)，芯片工作中的可靠性，以及电磁干扰噪声(EMI—Noise)也开始成为设计必需满足的条件了。