全文获取类型
收费全文 | 93篇 |
免费 | 16篇 |
国内免费 | 3篇 |
专业分类
化学 | 4篇 |
力学 | 16篇 |
物理学 | 33篇 |
无线电 | 59篇 |
出版年
2023年 | 5篇 |
2022年 | 5篇 |
2021年 | 4篇 |
2020年 | 3篇 |
2019年 | 1篇 |
2018年 | 5篇 |
2016年 | 2篇 |
2014年 | 3篇 |
2013年 | 6篇 |
2012年 | 5篇 |
2011年 | 6篇 |
2010年 | 3篇 |
2009年 | 7篇 |
2008年 | 5篇 |
2007年 | 4篇 |
2006年 | 3篇 |
2005年 | 3篇 |
2004年 | 1篇 |
2003年 | 4篇 |
2002年 | 5篇 |
2001年 | 1篇 |
2000年 | 1篇 |
1999年 | 3篇 |
1998年 | 1篇 |
1997年 | 1篇 |
1996年 | 2篇 |
1995年 | 2篇 |
1994年 | 3篇 |
1993年 | 3篇 |
1992年 | 2篇 |
1991年 | 1篇 |
1990年 | 4篇 |
1989年 | 4篇 |
1988年 | 2篇 |
1985年 | 1篇 |
1981年 | 1篇 |
排序方式: 共有112条查询结果,搜索用时 162 毫秒
1.
本文通过有关理论依据和试验数据,着重阐述了在显像(示)管测试中,阴极像中心黑洞状缺陷产生的原因以及消除这种缺陷的处理方法。通过这种处理方法处理过的显像(示)管,其整体质量水平(尤其是真空度)将会得到明显的提高。 相似文献
2.
3.
使用R12的电冰箱在维修过程中如果要改换成无氟电冰箱,可改用R134a、R600a及混合工质的制冷剂,但改换后如何准确地充注新的制冷剂,就成为棘手的问题。众所周知,系统内充注制冷剂的量影响到系统的性能。充注时无论过多还是过少,都会降低电冰箱的制冷效果,增大压缩机的功耗,所以正确地对一台电冰箱进行充注是维修 相似文献
4.
5.
抽气管35内装有化学活性吸气剂30,用来吸附抽真空器件管腔12内的气体。本发明是使用一个或多个可移动的吸气剂30先置于抽气管35远离管腔12的安全距离位置36上进行加热激活。然后将吸气剂30移向管腔12并保留在密封的排气抽气端31内。在排气管抽气端31内装上一个真空渗透档板32,以阻止吸气剂材料30进入管腔12内,防止破坏或沾污 相似文献
6.
7.
8.
翼型大攻角状态下表面吸气驻涡增升的数值模拟实验 总被引:1,自引:0,他引:1
用数值模拟方法给出了翼型大攻角状态表面吸气后绕翼型流动的某些新现象并对流场的特性进行了机理性研究,其中包括吸气对翼型背风面分离涡的驻涡增升作用;吸气孔位置对流场的影响;不同吸气强度以及间歇式吸气的增升效应。数值模拟的出发方程为N-S方程,差分格式为Beam-Warming格式。数值实验表明:(1)吸气可有效地提高翼型大攻角状态下的升力;(2)在一定吸气强度下吸气可使翼型背风面上涡的非定常脱落现象消失从而起到驻涡作用;(3)吸气孔位置在翼面的中部附近增升效果较好;(4)在一定范围内吸气强度越强其升力越高;(5)间歇式吸气也可提高平均升力,但引起升力的波动。 相似文献
9.
在高超声速飞行条件下, 流入冲压发动机燃烧室并降至低速的空气温度, 随着飞行马赫数增
加升得愈来愈高. 燃料与高温空气混合燃烧释放的化学能将部分转化为解离能. 这些解离能
在长度受限的尾喷管中难以充分复合形成推力, 使冲压发动机性能随飞行马赫数增大而急剧
下降. 导致冲压发动机不适应高超声速飞行器的推进要求. 将此定名为``高超声障'. 半个
世纪以来, 广泛采用``超声速燃烧'降低流入燃烧室的空气温度来克服这种障碍. 虽已取得
不少进展, 然而关键性难点仍需继续攻克. 为了多途径促进吸气推进高超声速飞行的实现,
提出克服``高超声障'的另一种思路:保持现有冲压发动机吸气与燃烧方式, 通过催化促进
燃气解离组分在尾喷管膨胀过程中的复合, 增大冲压发动机的推力, 达到满足高超声速飞行
器的推进要求. 相似文献
10.
A new two-step phosphorous diffusion gettering(TSPDG) process using a sacrificial porous silicon layer(PSL) is proposed.Due to a decrease in high temperature time,the TSPDG(PSL) process weakens the deterioration in performances of PSL,and increases the capability of impurity clusters to dissolve and diffuse to the gettering regions.By means of the TSPDG(PSL) process under conditions of 900℃/60 min + 700℃/30 min,the effective lifetime of minority carriers in solar-grade(SOG) Si is increased to 14.3 times ... 相似文献