全文获取类型
收费全文 | 3729篇 |
免费 | 1255篇 |
国内免费 | 1462篇 |
专业分类
化学 | 668篇 |
晶体学 | 558篇 |
力学 | 54篇 |
综合类 | 113篇 |
数学 | 204篇 |
物理学 | 1716篇 |
无线电 | 3133篇 |
出版年
2024年 | 23篇 |
2023年 | 97篇 |
2022年 | 99篇 |
2021年 | 113篇 |
2020年 | 89篇 |
2019年 | 81篇 |
2018年 | 80篇 |
2017年 | 96篇 |
2016年 | 101篇 |
2015年 | 125篇 |
2014年 | 268篇 |
2013年 | 184篇 |
2012年 | 195篇 |
2011年 | 245篇 |
2010年 | 243篇 |
2009年 | 275篇 |
2008年 | 313篇 |
2007年 | 329篇 |
2006年 | 302篇 |
2005年 | 320篇 |
2004年 | 213篇 |
2003年 | 235篇 |
2002年 | 234篇 |
2001年 | 187篇 |
2000年 | 210篇 |
1999年 | 195篇 |
1998年 | 232篇 |
1997年 | 163篇 |
1996年 | 220篇 |
1995年 | 190篇 |
1994年 | 155篇 |
1993年 | 122篇 |
1992年 | 114篇 |
1991年 | 159篇 |
1990年 | 110篇 |
1989年 | 93篇 |
1988年 | 16篇 |
1987年 | 3篇 |
1986年 | 2篇 |
1985年 | 2篇 |
1984年 | 2篇 |
1983年 | 3篇 |
1982年 | 1篇 |
1981年 | 4篇 |
1959年 | 2篇 |
1951年 | 1篇 |
排序方式: 共有6446条查询结果,搜索用时 140 毫秒
1.
薄膜的截面TEM样品制备 总被引:1,自引:0,他引:1
薄膜材料的厚度仅为微米量级或者更薄,对其微结构的研究十分困难,许多表征方法难以采用。透射电子显微分析(TEM)是薄膜材料微结构研究最重要的手段之一。尽管采用TEM平面样品研究薄膜的微结构在样品制备方面相对容易,但由于薄膜依附于基材生长,且通常具有择优取向和柱状晶生长等微结构特征,因而采用截面样品从薄膜生长的横断面进行观察和研究,可以得到更多的材料微结构信息。但是薄膜的TEM截面样品制备过程较为繁杂,难以掌握。已有的文献主要介绍了Si基片上生长薄膜的TEM截面样品制备方法,对金属基片薄膜截面样品的制备方法介绍不多。 相似文献
2.
本文报道在650℃的衬底温度下实现了MOCVD在(100)面和(111)面上生长GaAs与Al0.4Ga0.6As的不同选择性。这一衬底温度比国际上以前报道的要低,对制作适于光电器件的GaAs/AlGaAs量子阱层比较有利。用此技术,在GaAs非平面衬底上生长了GaAs/Al0.4Ga0.6As量子阱,并用扫描电镜、低温光致发光谱及偏振激发的光反射率谱技术进行了研究。结果不仅证明了MCCVD外延生 相似文献
3.
具有RHEED在线监控功能的超高真空CVD系统及3″硅片低温外延研究 总被引:3,自引:1,他引:2
本文报道了自己研制的一台超高真空化学汽相溶积系统,本底真空达10^-7Pa。该系统配有反射高能电子衍射仪,可对衬底表面清洁状况、外延层厚度等进行在线监控。 相似文献
4.
5.
6.
利用室温下压电调制反射光(PzR)谱技术系统测量了N掺杂浓度为0.0%—3%的分子束外延生长GaNxAs1-x薄膜,并对图谱中所观察的光学跃迁进行了指认.在GaN0.005As0.995和GaN0.01As0.99薄膜的PzR谱中观察到此前只在椭圆偏振谱中才看到的N掺杂相关能态E1+Δ1+ΔN.当N掺杂浓度达到
关键词:
压电调制反射光谱(PzR)
xAs1-x薄膜')" href="#">GaNxAs1-x薄膜
分子束外延(MBE) 相似文献
7.
This paper reports that the growth of RuOx(110) thin layer growth on Ru(0001)
has been investigated by means of scanning tunnelling microscope (STM). The STM
images showed a domain structure with three rotational domains of RuOx(110)
rotated by an angle of 120℃.
The as-grown RuOx(110) thin layer is expanded from the bulk-truncated
RuOx(110) due to the large mismatch between RuOx(110) and the
Ru(0001) substrate. The results also indicate that growth of RuOx(110)
thin layer on the Ru(0001) substrate by oxidation tends first to formation
of the Ru-O (oxygen) chains in the [001] direction of RuOx(110). 相似文献
8.
通过反应磁控溅射过程中的等离子体发射光谱,研究了制备ZnO薄膜的沉积温度、氧气流量比例R=O2/(O2+Ar)对Zn和O原子发射光谱的影响,并结合ZnO薄膜的结构和物理性能,探讨了沉积温度在ZnO薄膜生长中的作用.研究结果显示:当R≥0.75%时, Zn的溅射产额随R的增加基本呈线性下降规律.当R介于10%—50%时,氧含量的变化相对平缓,有利于ZnO薄膜生长的稳定性控制.Zn原子发射光谱强度随沉积温度的变化可以分为三个阶段.当沉积温度低于250℃时,发射光谱强
关键词:
ZnO
薄膜生长
反应磁控溅射
等离子体发射光谱 相似文献
9.
根据GaN氢化物气相外延生长(HVPE)的原理,设计制作了双温区卧式HVPE系统.根据实际生长中出现的问题和CaN样品的测试情况,对系统进行了逐步的调试和改进. 相似文献
10.
氦氖激光对人胚腱细胞生长分泌的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
目的 阐明氦氖激光促进人胚腱细胞增殖及分泌胶原的机制。方法 将传代培养的人胚腱细胞分为对照组、照射1日组、照射3日组及照射5日组。在氦氖激光照射的不同时相点,分别测定细胞DNA含量,cAMP水平及胶原分泌量。结果 在氦氖激光作用早期(1-3日),细胞cAMP水平与DNA合成均呈明显升高(P<0.05),细胞内信使物质合成及细胞增殖加快,但胶原分泌无变化,而在氦氖激光作用晚期(3-5日),当cAMP水平及DNA合成都不再改变时,腱细胞分泌胶原量显著增加(P<0.01)。结论 氦氖激光可能通过作用于cAMP蛋白激酶A信号转导系统,从而调控人胚腱细胞增殖及胶原分泌。提示临床应用氛氖激光促进肌腱愈合宜从早期开始,并且需要照射足够长的时间。 相似文献