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1.
该文基于掺钪AlN薄膜制备了高次谐波体声波谐振器(HBAR),研究了钪(Sc)掺杂浓度对AlN压电薄膜材料特性及器件性能的影响。研究表明,当掺入Sc的摩尔分数从0增加到25%时,压电应力系数e33增加、刚度 下降,导致Al1-xScxN压电薄膜的机电耦合系数 从5.6%提升至15.8%,从而使HBAR器件的有效机电耦合系数 提升了3倍。同时,当Sc掺杂摩尔分数达25%时,Al1-xScxN(x为Sc掺杂摩尔分数)压电薄膜的声速下降13%,声学损耗提高,导致HBAR器件的谐振频率和品质因数降低。 相似文献
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利用G-四链体DNA(T30695)催化Zn2+插入到中卟啉IX(MPIX)中,引起荧光偏移的特点,建立了检测Zn2+的方法。在40μmol/L MPIX、0.6μmol/L Pb2+、5μmol/L T30695和1%Triton的最优实验条件下,该方法在Zn2+浓度为0.5~5μmol/L范围内呈现良好的线性关系,相关系数R2=0.95,检出限为73.5 nmol/L。离子选择性实验表明该方法对Zn2+具有较好的选择性,用于实际样品测定,回收率在94.7%~100.4%之间。 相似文献
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利用2007-2013年的COSMIC掩星数据,分析了E区与F区电离层闪烁的变化特征.发现用闪烁出现频次、闪烁发生率以及闪烁强度来表征的电离层闪烁出现规律比较相似.E区电离层闪烁在夏季半球的中纬地区最强,其次是春秋季的低纬地区和冬季半球.就经度分布来说,春秋季E区电离层闪烁呈四波结构.对F区电离层闪烁来说:南美-大西洋扇区在12月至点最为显著;非洲和太平洋扇区在6月至点最为显著;大西洋扇区在春秋分季最为显著.极区也出现中等强度的闪烁,尤其在南半球的90°E~180°E扇区较为显著.高纬E区电离层闪烁强度随太阳活动的增强而增强,而低纬和南半球的中纬E区闪烁随太阳活动的增强而减弱.高纬和低纬F区闪烁随太阳活动的增强而增强,而中纬F区电离层闪烁对太阳活动无显著依赖关系.对于赤道区来说,北半球60°W~60°E经度区闪烁强度随太阳活动的变化最为显著,其次是南半球60°E~210°E附近;而对于高纬地区来说,F区闪烁强度随太阳活动的变化最为显著的区域在南半球60°E~210°E附近. 相似文献
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