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1.
光纤布拉格光栅的无源温度补偿 总被引:3,自引:1,他引:2
分析了通过施加应变补偿光纤布拉格光栅(FBG)中心波长随温度漂移的原理,给出了一种新型的无源温度补偿的方法和相应的实验结果。该方法采用了两种不同热膨胀系数的金属,对光栅先施加预应变。在0-60℃范围内,中心波长仅偏移了0.02nm。 相似文献
3.
4.
5.
以半导体器件二维数值模拟程序Medici为工具,模拟和对比了SiGe pMOS同Si pMOS的漏结击穿电压随栅极偏压、栅氧化层厚度和衬底浓度的变化关系;研究了SiGe pMOS垂直层结构参数硅帽层厚度、SiGe层厚度及Ge剂量和p+ δ掺杂对于击穿特性的影响.发现SiGe pMOS击穿主要由窄带隙的应变SiGe层决定,击穿电压明显低于Si pMOS并随Ge组分增加而降低;SiGe/Si异质结对电场分布产生显著影响,同Si pMOS相比电场和碰撞电离具有多峰值分布的特点;Si帽层及SiGe层参数对击穿特性有明显影响,增加p型δ掺杂后SiGe pMOS呈现穿通击穿机制. 相似文献
6.
Peter Singer 《集成电路应用》2007,(3):38-38
Robert J.Mears是用于宽带互联网的铒掺杂光纤放大器(EDFA)的发明者。他在寻找将光器件和波导结合到硅中的方法时,发现了一个有趣的结果:一种特殊的硅超晶格结构可以加速某一个 相似文献
7.
8.
硅橡胶在贮存和使用过程中,常受到不同应力应变的作用,在其使用和贮存期间会产生一系列物理老化和松弛,导致其内部结构发生变化,从而引起各种性能尤其是力学性能的下降,当性能下降到一定程度时,吉卜赛材料允许使用极限,它就失去了使用价值,因此有必要对硅橡胶的库存和老化进行研究。 相似文献
9.
The Raman shifts of nanocrystalline GaSb excited by an Ar^ ion laser at wavelengths 514.5, 496.5, 488.0, 476.5,and 457.9nm are studied by an SPEX-1403 laser Raman spectrometer respectively, and they are explained by phonon confinement, tensile stress, resonant Raman scattering and quantum size effects. The Stokes and anti-Stokes Raman spectra of GaSb nanocrystals strongly support the Raman feature of GaSb nanocrystals. The calculated optical spectra compare well with experimental data on Raman scattering GaSb nanocrystals. 相似文献
10.