新德克CD-1.1激光唱机

机器概述 面对新德克CD-1.1,感觉其朴实的外形没有太多值得书写的方面,面板造型具有新德克近期产品的典型品牌特征--双色复合结构.整块面板都使用厚度超过10mm的铝合金板制造,左右两侧浅色部分的表面以拉丝工艺处理,金属质感强烈;中间镶嵌的黑色部分具有顶部弧线设计,表面以细腻的喷砂工艺来衬托.     

320×256中/长波双色IRFPAs读出电路设计

中波与长波探测器的光电流及动态输出阻抗存在数量级的差别。为满足积分时间及读出信号信噪比的要求,采用像元间多电容共享的方案,设计了一种高集成度的320256双色红外焦平面读出电路。该电路选用直接注入(DI)结构作为中波输入级,而长波输入级则选用了缓冲注入(BDI)结构。其缓冲放大器采用单边结构,具有高增益、低功耗、低噪声的特点,降低了输入阻抗,提高了注入效率。基于HHNEC 0.35 m 2P4M标准CMOS工艺,完成了芯片的设计与制造。经测试,引入电容共享方案后其有效电荷容量达到70 Me-/像元,电路各项功能正常,在光照条件下,芯片呈现出高的灵敏性。在2.5 MHz读出速率下,中波及长波输出电压范围均大于2 V,非线性小于1%。在100 f/s帧频下,整体功耗小于170 mW。     

基于近红外双色探测器的信号采集系统设计

针对近红外双色探测器在两种不同工作 波段的光谱响应曲线及暗电流,设计了一种基于近红外双色探 测器的信号采集系统及采集方法。该系统具有多种电流转电压 档位、电压放大档位和滤波电路带宽档位,能够快速进行信号 放大和带宽控制;同时通过数字/模拟转换器(D/A)为四级放大电 路提供模拟调零信号,可有效消除由光学系统的杂散光和探测器 自身的暗电流引起的噪声。该系统具有速率快、噪声低和分辨率 高等特点。通过使用这种信号采集系统,光学系统的信噪比、动态 范围、最小可测功率等指标参数都能得到提高。     

碲镉汞红外探测器的前沿技术综述

红外光电探测器件在军事、民用和科学研究方面具有非常重要的应用。而碲镉汞(HgCdTe)由于自身的诸多优点在红外光电探测器的发展中起到了至关重要的作用,至今仍然是重要的战略战术应用中首选的材料体系。首先分析了针对新一代红外探测器所提出的SWaP3(Size,Weight,and Power,Performance and Price)概念,然后简略介绍了第三代红外焦平面研究背景下HgCdTe薄膜的衬底水平与材料生长情况,最后总结了大规模阵列器件、甚长波红外器件、高工作温度(High Operating Temperature,HOT)器件、超光谱探测器件、双色器件以及雪崩光电器件等前沿技术方面的研究进展。     

双色红外导弹告警敏感器

目前飞机上使用的导弹告警敏感器大多在紫外波段工作,它们主要是用来探测短程的肩扛式地对空导弹的,其探测距离与威胁距离差不多,为3km-5km。然而,这个距离只有在具有带明亮排气火焰的较老式的导弹的情况下才能达到。现代导弹已开始使用可产生低强度火舌的新型推进剂。现有的紫外告警敏感器必须在非常短的距离内才能探测到这些威胁物,这使得它的反应时间必须非常短。与紫外敏感器相比,红外敏感器的探测距离却要远得多,但它必须从复杂的背景中将目标提     

一种基于磁性纳米粒子PCR的高通量SNP分型方法

利用磁性纳米粒子PCR扩增(MNPs-PCR)和等位基因特异性双色荧光探针(Cy3, Cy5)杂交, 建立了一种单核苷酸多态性(SNP)分型的新方法. 应用该方法对9个样本MTHFR基因的C677T多态进行检测, 野生和突变型样本正错配信号比大于9.0, 杂合型正错配信号比接近1.0, 分型结果经测序验证. 此方法无须产物纯化、浓缩, 扫描分型结果快速、直观, 是一种操作简单、快速、高通量、高灵敏度的分型方法.     

归一化偏差本体反射特征的研究

使图像获得不受光照和几何条件影响的颜色特性描述是实现颜色恒常性的关系，利用双色反射模型和有限维线性模型，提取归一化偏差体反射特征。被实验证明是实现颜色恒常性的一个重要途径，本文详细阐述了归一化偏差本体反射特征的特性，其计算方法，应用的前提条件，以及应用限制，并在实际图像处理中，考虑到了这些影响的因素。     

用于双色全息存储(Fe,Cu)∶LiNbO3晶体的参量优化计算

在确定Cu在LiNbO3晶体中对应于365 nm和633 nm的激发系数、复合系数、光伏系数的基础上,采用龙格库塔(Runge-Kutta)数值方法理论研究了双掺杂(Fe,Cu)∶LiNbO3晶体的深浅能级的掺杂组分比、氧化还原状态对双色全息存储的记录灵敏度和动态范围的影响,并探讨了同时取得尽可能大的灵敏度和动态范围的晶体条件。结果表明,为了同时得到较大的记录灵敏度和动态范围,在实际应用中选用浅能级掺杂浓度为5.0×1025m-3,深能级掺杂浓度为3×1024~3×1025m-3之间的弱氧化晶体是合适的。