IR推出最新型200V DirectFET MOSFET效率高达95％并可大幅节省占位空间

全球功率半导体和管理方案供应商-国际整流器公司（International Rectifier．简称IR）日前推出了一款IRF6641TRPbF功率MOSFET，这种采用IR标准的DirectFET封装技术结合IR最新的200 VHEXFET MOSFET硅技术的新器件可实现95％的效率，并可大幅节省占位空间。     

电源

正同步DC/DC降压型转换器AP6550及AP6540是轻载效率改善算法的同步DC/DC降压型转换器,两款产品分别提供4A和5A的连续负载电流,效率可高达96%。新器件的电流模式控制具有快速瞬态响应及简易的环路稳定能力,从而在分布式负载点功率管理应用内确保可靠的线性和负载调整率。     

Diodes高压SBR整流器缩减电源应用占位面积并提升功率密度

Diodes公司推出高压超势垒整流器系列的第一款器件SBR10U200P5。该系列采用热效率和紧凑的专有PowerDI5封装,具有卓越的超低热阻,使SBR10U200P5能以减少40％的占位面积，实现双倍的功率密度。     

全新20V NPN及PNP双极晶体管

Diodes公司推出全新20V NPN及PNP双极晶体管,它们采用超小型DFN1411-3表面贴装封装,能大大提升电源管理电路的功率密度和效率。该器件采用了Diodes第五代矩阵射极双极工艺设计(5 matrix emitter Bipolar process)。这对互补性器件ZXTN26020DMF和ZXTP26020DMF的占位面积只有1.1毫米×1.4毫米,离版高度为0.5毫米,有助于设计出极其纤巧的便携式产品,还可改善产品的电性能及热特性。     

非灭绝条件下超过程的一些性质

在不灭绝的条件概率下的超过程简称为条件超过程. 考虑条件超过程(下临界或临界的情形)的一些性质. 首先, 对条件超过程总占位时测度在紧集上有限这一随机事件的概率给出了一个等价刻画, 并且给了这个等价刻画的一个应用. 我们的结果是已有结果从特殊分支机制 $r^{1+\beta}$到一般分支机制的推广. 还给出已有结果中一 个论断在 $d=3,4$ 时的新证明. 然后, 研究条件二分支超Brown运动的局部灭绝性质. 当$d=1$时, $\,X_t/\sqrt{t}\,$ 弱收敛到 $\eta\lambda$, 其中$\eta$ 是正的随机变量, $\lambda$是$\R$上的Lebesgue 测度; 当 $d\geq 2$ 时, 条件二分支超Brown运动 $\{X_t\}$ 在依概率意义下是局部灭绝的.     

Diodes小型升压控制器简化LED背光设计

Diodes公司（Diodes Incorporated）推出具有外部补偿功能的恒定频率电压模式升压控制器AL3022,有效满足电视和显示屏制造商对优性价比LED背光驱动解决方案的需求。该高度集成的器件采用了占位面积小的SO-8封装,大幅减少系统设计所需的外部元件数量。     

u-blox发布两款新模块为GNSS精密授时设立新的业界标准

正u-blox推出NEO-M8T和LEA-M8T精密授时模块。这两款精巧的表面贴装模块能够产生精确度小于20ns的精密参考时钟。其接收器具有高灵敏度(配合辅助GNSS功能,可提供-157d Bm的信号采集),即使在视野受限的建筑物内也能够快速启动。该精密参考时钟是从GPS、GLONASS和北斗等multi-GNSS中取得的。     

ADSL2＋芯片组减少了1／3的功耗和占位

开关模式D类技术使线路驱动器的功耗比目前产品减小了50％。     

Vishay推出新尺寸器件,扩充IHLP电感器系列

日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出新款采用3232外形尺寸的IHLP?小尺寸、高电流的电感器——IHLP-3232CZ-11。IHLP-3232CZ-11尺寸小巧,具有8.26×8.79 mm的占位面积和3.0 mm的超低高度,低至1.62 mΩ的最大DCR和0.22～     

连接器

正1.50mm线对板连接器系统CLIK-Mate 1.50mm线对板连接器系统,具有多种电路尺寸、安装类型和线规,能够满足下一代电源和信号需求,解决电子工程师所面对的常见设计难题。除了原本的顶部安装选项,CLIK-Mate 1.50mm系列现在加入了底装式(bottom-entry)型号,满足需要