纳秒脉冲激光加工高反射率铝膜

为了研究基于近红外纳秒脉冲激光的高反射率金属薄膜的加工可行性以及加工效果, 采用纳秒脉冲激光对高反射率铝膜进行激光加工, 分别测量了在不同激光光斑尺寸和不同激光能量的条件下, 铝膜表面所发生的烧蚀形态变化。结果表明, 即使铝膜表面反射率高达96%, 依然能对铝膜进行激光加工; 使用较高功率激光对铝膜表面进行离焦加工(能量密度约小于1000J/mm2)的烧蚀图样比使用较低功率激光对铝膜表面进行对焦加工(能量密度约大于2000J/mm2)的烧蚀图样更加规则。相关实验结果对激光加工高反射率材料时激光参量的选择可起到一定的指导作用。     

一个基于相邻像素兼容度的模糊加权平均滤波器

在文献[1]的基础上，提出几个改进的模糊加权平均滤波器。本文的方案不仅同时考虑了相邻像素对中心像素的兼容性以及中心像素对相邻像素的兼容性，而且还考虑到了权系数对局部环境的适应性。实验结果表明，该方法相比文献[1]中的模糊加权平均滤波器以及标准的均值滤波器、中值滤波器在噪声消除与边缘保留方面具有更好的性能。     

磁性Salisbury屏的高频响应

研究了利用磁性薄膜构造Salisbury屏的可能性及其在微波频段的反射率频率特性.结果表明，利用铁磁性材料在铁磁共振频率附近磁化率具有χ″>χ′的特性，可以构造出对电磁波有良好吸收性能的磁性Salisbury屏.通过对铁磁材料高频磁谱物理机理的分析后指出，具有弛豫型共振磁谱的铁磁材料可以构造出薄膜型Salisbury屏，其厚度为微米甚至亚微米量级.反射率的频率特性与磁性材料的特征阻抗z-r有关，它取决于铁磁共振频率和静态磁化率.反射率的频率响应显示磁性薄膜Salisbury屏具有较宽的吸收带宽. 关键词： 磁性Salisbury屏 反射率 频带响应 磁性薄膜     

半导体红外反射率的调制

重掺杂半导体的以射率在最小反射率附近随入射波长的改变有较大的变化，而半导体材料的最小反射率波长λｍｉｎ决定于自由载流子浓度，故掺杂引起的热平衡载流子浓度的变化和光注入、ｐ－ｎ结注入引起的过剩载流子浓度的变化都会导致半导体红外反射率谱的改变，这种变化在最小反射率波长附近非常大。当过剩载流子浓度达到热平衡载流子浓度的０．２倍时，半导体对波长为λｍｉｎ的红外光的反射率从３％变化到４５％，利用这种变化可以     

常用激光介质膜的斜入射性能

本文给出了多层介质膜反射率与入射角的关系的计算机程序，并列出了部份常用激光膜片反射率-角度曲线。     

激光与材料参数对瞬态SBS 诱导的激光超声破坏效果的影响

 通过数值求解一维瞬态受激布里渊散射（SBS）声光耦合波方程，从理论上分析了泵浦激光参数及光学材料参数对SBS过程发生阈值的影响。以SBS过程中建立起来的应力场抗拉（压）强度和散射场的反射率为判据，分析了激光脉宽及作用区域长度对激光超声破坏材料效果的影响，探讨了短脉冲激光（约ns）引起的激光超声对材料的破坏机理；讨论了通过参数配置有效遏制SBS过程激光超声对光学材料的破坏问题。     

蓝光相变光盘的多层膜结构设计

为了使光盘获得优良的记录／读出性能并能够长期稳定地使用，必须优化设计相变光盘的多层膜结构。采用自行设计的模拟分析相变光盘读出过程设计软件，从光学角度出发模拟计算了蓝光(405nm)相变光盘的膜层结构，研究了多层膜系的反射率和反射率对比度等光学参量与各层膜厚度和槽深的关系。研究得出的最佳多层膜结构为：下介电层／记录层／上介电层／反射层的厚度对于台记录为100nm／10nm／25nm，／60nm，而对于槽记录则为140nm／15nm／30nm，／60nm，槽深为50nm。模拟计算结果对于将来高密度蓝光相变光盘的制备具有一定的指导意义。     

光纤光栅的长度对其峰值反射率的影响

利用耦合模理论,数值分析了当光纤光栅(FBG)折射率变化为均匀分布、直流切趾高斯分布时,光纤光栅长度对其峰值反射率的影响。研究结果对光纤光栅外腔半导体激光器的设计和性能优化具有重要的意义。     

一种新颖的半导体光放大器镀膜监控方法

本文介绍了一种在半导体光放大器镀膜过程中监测端面反射率的简单而有效的方法。理论模型的建立考虑了光放大器的漏电流和自发发射速率随载流于浓度的非线性变化，并且基于实验测量的ＰＩ（输出功率与注入电流）曲线，采用曲线拟合的方法来修正一些依赖于器件的参数，理论计算结果与有关文献的测量结果较好地吻合。