三维辐射变色丁二炔囊泡凝胶剂量计研究

将10,12-二十五碳二炔酸自组装成纳米剂量囊泡后,均匀分散于组织等效的凝胶载体中研制出用于三维剂量分布测量的辐射变色凝胶剂量计。用电镜观测了囊泡形貌;用Co-60源对凝胶剂量计进行辐照;测试并研究了凝胶剂量计对剂量的变色响应、辐射后效应、扩散效应等剂量学性能;利用该凝胶剂量计实测了Co-60射线在组织等效凝胶中的深度剂量分布。结果表明：该辐射变色凝胶剂量计在100～1000 Gy剂量范围内对γ射线辐照具有良好的剂量响应线性,同时克服了扩散效应、辐射后效应、成型能力差等现有凝胶剂量计的不足。该辐射变色凝胶剂量计可用于辐射加工、科学实验和放射治疗等三维剂量分布测量。     

偏置对PMOS剂量计辐照响应的影响

研究了不同偏置条件对PMOS探头样品辐照响应的影响.在－1～1MV/cm的电场范围内,获得了偏置对PMOS剂量计辐照响应灵敏度和线性度的影响规律.利用“空穴陷阱薄层(Hole Traps Sheet)”模型,结合辐射感生界面电荷的栅偏置电场相关性,分析了实验结果.     

高感度辐射变色薄膜电子剂量计

 以聚乙烯醇缩聚物为基质,以类丁二炔化合物为有机染色材料,研制了一种高灵敏度新型辐射变色膜。采用JJ-2型范格拉夫静电加速器对变色薄膜进行剂量范围为15～90 Gy的电子束辐照,结果显示:变色薄膜颜色由粉红渐变为蓝色,并随着辐照剂量的增加而逐渐加深;分光光度计测试其吸收光谱,发现主吸收峰值出现在675 nm附近,且吸收峰处的响应吸光度与电子注量具有较好的线性关系;对变色层厚度为20～80 μm的变色膜,吸收峰处的响应吸光度与其变色层厚度也成线性关系;添加不同比例的协同剂,能提高变色薄膜的响应灵敏度;变色膜辐照后续效应微弱,辐照后可以立即测量,且对测量环境变化不敏感。     

Study of radiation background at the north crossing point of the BEPCⅡ in collision mode

Understanding the radiation background at the north crossing point (NCP) in the tunnel of BEPCII is crucial for the performance safety of the High Purity Germanium (HPGe) detector, and in turn of great significance for long-term stable running of the energy measurement system. Therefore, as the first step, a NaI(Tl) detector is constructed to continuously measure the radiation level of photons as background for future experiments. Furthermore, gamma and neutron dosimeters are utilized to explore the radiation distribution in the vicinity of the NCP where the HPGe detector will be located. Synthesizing all obtained information, the shielding for neutron irradiation is studied based on model-dependent theoretical analysis.     

YAP:Cu晶体的热释光性能

采用中频感应提拉法生长了高光学质量的YAP:Cu(原子数分数为0.5%)单晶,使用RisF TL/OSL-DA-15型热释光(TL)和光释光(OSL)仪系统研究了其TL性能。研究结果表明:YAP:Cu单晶存在431 K和482 K两个热释光峰,482 K处为主发光峰;TL峰位置不随辐照剂量的变化而变化,显示其为一级动力学峰;YAP:Cu单晶的TL辐射剂量响应在10-5-102Gy范围内呈较好的线性关系。YAP:Cu晶体是一种TL性能优良并具有潜在应用价值的电离辐射剂量计材料。     

汽体流动量热计: 苯汽化热与苯汽体热容的测量

介绍了根据Pitzer型汽体流动量热计和Newsham型汽化热量热计建立的一套同时测定汽化热和汽态热容的汽体流动量热计. 该量热计可用于测定有机化合物及其混合物在不同温度下的汽化热、从沸点到200℃范围内的汽体热容. 量热计用苯标定, 汽化热的精度达到0.5%以上, 汽体热容的精度约1%.     

循环刻蚀工艺对金刚石膜形貌和电阻率的影响

为了制备新型金刚石薄膜辐射剂量计,针对目前金刚石薄膜质量较差,难于满足辐射剂量计要求的问题,采用微波等离子体CVD法,研究了循环刻蚀生长阶段工艺参数(甲烷浓度,基片温度)和刻蚀方法对薄膜形貌、电阻率的影响。结果表明,循环刻蚀生长有利于提高金刚石薄膜的纯度和取向性。当?(甲烷)为0.34%,基片温度为960℃时,可获得[100]晶面取向的、电阻率达1011Ω·cm的金刚石膜,和采用常规工艺所得金刚石薄膜相比,其电阻率提高了3个数量级。     

PMOS剂量计的退火特性

研究了PMOS剂量计在不同温度和栅偏置下的辐照退火表现.结果表明：温度和退火偏置条件是影响初始退火速率和退火幅度的重要因素,较高退火温度下,退火速率高,幅度大;相同退火温度下,正偏置与负偏置相比有加速退火的作用,其退火幅度也较大.在180℃,零偏条件下获得了最快的100％的退火效果;用模型讨论了实验结果.