基于USB接口的数据通信演示板的软硬件实现方案

文章从介绍两块芯片入手，分析了USB设备配置和数据传输过程，详细介绍了一块简单即插即用的基于USB接口的演示板的硬件和软件实现方案。利用编写的测试程序，验证了该演示板硬件设计和单片机控制程序编写的可行性。     

半导体“0.5D”的距离有多远

正近期看到FPGA大厂陆续推出3D系统晶片,令人想起几前年半导体产业开始积极推展的3D晶片,似乎经过几年的酝酿,目前开始看到该技术的开花结果。只不过,Altera台湾区总经理陈英仁指出,这些其实都是属于2.5D的制程,不是真正3D的技术范畴。3D制程的技术含量更深,目前仍是个很大的挑战。陈英仁说,目前FPGA大厂所标榜的3D晶片,其实都只是2.5D制程技术,     

9月半导体行业要闻

导入TSV制程技术模拟芯片迈向3D堆叠架构奥地利微电子宣布投入2500万欧元于奥地利格拉茨的晶圆厂建置模拟3D IC生产线,新的生产线预计将于2013年底开始正式上线,为该公司旗下的所有产品或晶圆代工服务客户提供模拟晶片3D立体堆叠先进制程。     

化学机械抛光工艺中的硅片背压力控制与优化

化学机械抛光（Chemical Mechanical Polishing,CMP）技术是最有效的晶圆全局平坦化技术,抛光头是CMP设备中最核心的部件之一,新一代抛光头的设计主要采用区域压力控制技术。硅片抛光质量不仅取决于抛光液,还取决于对硅片抛光压力的精确控制。在CMP抛光工艺过程中各腔室的压力设定值通常并非一致,而且由于柔性弹性隔膜的存在各腔室之间相互耦合。由于耦合现象的存在使得多区腔室压力控制变得复杂化,针对这一耦合现象本文提出了一种用于多区解耦的控制方法,并基于该方法对多腔室进行了系统辨识以及控制参数整定,最后进行了多腔室同时加压实验,实验结果表明该解耦控制方法的可行性以及正确性。     

IPC中西部展会将于9月底美国举行

8月下旬,HKPCA在东莞富盈酒店五楼多功能厅清圆房开展了为期一天的培训课程,课题为“无铅焊接组装制程上如何减少质量与可靠性问题”。本次培训旨在为加强电子装造工程师及采购人员对无铅焊接组装制程的质量及可靠性能力。     

14nm会是硅芯片的尽头？

尽管英特尔依然乐观地预测将于2015年之前推出8nm制程工艺的芯片,但人们还是怀疑14nm可能将成为硅芯片尺寸的最终尽头。     

英飞凌、TSMC扩大合作，携手65纳米嵌入式闪存工艺

茂德已和尔必达签署DRAM代工合约，尔必达将提供先进的制程技术与产品技术给茂德，茂德将以中科12寸晶圆厂提供尔必达DRAM代工服务。     

第三代半导体SiC芯片关键装备现状及发展趋势

第三代半导体材料SiC具备熔点高、硬度大、稳定性好等特点,其制备工艺需要开发一些独特的工艺装备,主要涉及SiC单晶生长、衬底制备、外延生长和离子注入机及高温氧化炉等芯片制程关键装备。根据Si C技术及产业的发展特点,分析了当前SiC工艺设备特点及应用现状,展望了设备的未来发展趋势。     

多芯片整合封测技术(2)——多芯片模块(MCM)的美丽与哀愁

多芯片的出现同时也给封测技术的发展提出了新的挑战,针对这一点,本文详论了芯片封装的发展过程,以及各种封装的优缺点及其所需解决的问题.     

AMD公布2011年前芯片研发路线

AMD公司在日本召开的一次会议中，透露了公司2011年前的研发路线。一家日本网站放出了详细的产品开发线路图，这其中不仅包括CPU，还有GPU、集成显示芯片、芯片组和AMD的整个平台。公司在2009年的产品，ATI 7xx系列（即HD4000）被列入40纳米制程，但实际上HD4000大部分都是55纳米工艺，只有RV740是个例外。