半导体激光器列阵有源区电场随电流变化的定点测量

采用连续波电光检测法，对ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ双异质结激光器列阵有源区进行定点测量，实验结果反映了发光区内及发光区外电场随电流变化的不同规律。文中对实验结果给出了合理解释。     

二元光学分束器的设计

系统地阐述了几种二元光学分束器的基本设计理论，比较其算法以及衍射效率和再现误差，并提供了设计实例。     

LDA抽运Nd:YLF再生放大器的实验研究

研制了一台激光二极管列阵(LDA)抽运的Nd:YLF再生放大器。再生放大器工作波长1053 nm，重复频率1 Hz，输出4 ns宽基横模TEM00激光脉冲的能量为2 mJ。总放大倍数达到了1×10 7，输出能量稳定性优于±4.7%(峰值)。给出了再生放大器的实验装置和有关实验结果。     

用于X光激光实验的反射式线聚焦光学系统的设计和分析

基于三维光线追迹的象差计算,对卢瑟福实验室用离轴球面反射线聚焦系统作了分析。然后,首次提出了用于X光激光实验的两类新的反射式线聚焦构型,即反射式光楔列阵和光锥列阵系统,并作了计算。最后,对所得结果作了比较和讨论。     

光控光产生离子对的寿命：分子开关的一条途径

施主一受主列阵有望作为分子电子器件，这是由于许多这些作用是可逆的、具有很高的量子效率和亚皮秒的时间常数重复率[1~6]。控制这种电子转移速率的方法之一是通过电场作用。因此大量研究工作都致力于受外电场作用控制，由有机物电子施主一受主对组成的分子开关的理论模拟[7~9]和实验验证[10~12]。已制成包含单层施主老主发色团的Langmur－Bloge膜，借助改变薄层的组份以分成施主与受主，或借助外电场已在膜中对电子转移达到控制［3·。4j．目前已显示一种合成a螺旋缩多氨酸（Po］yPePt饲e几b电偶极子能影响共价地连在缩多氨酸上有机电子…     

半导体列阵激光器

首先对单个同质结激光器的工作原理及阈值电流密度的半经典理论结果进行了讨论，接着讨论了现在广泛采用的载流子和光分别限制的双异质结和量子阱激光器的优越性。基于其重要性也对阈值电流密度随温度的变化作了阐述，作为列阵激光器的基础，给出了列阵中可能存在的模式－超极模，最后介绍了几种面发射和锁相列阵激光器的制作方法。     

自成像列阵共振腔的分析——Ⅰ.Talbot共振腔

利用自成像效应进行半导体列阵激光器锁相是一种重要的外腔锁相技术,所构成的共振腔可分为Talbot腔和带相位补偿板的Lau腔。我们用Fox-Li方法计算了共振模式。本文给出了Talbot腔的计算结果和分析,表明同相和反相模的损耗随腔长变化存在临界点。     

GaAs／AlGaAs发光二极管列阵场分布特性的电光测量

应用一种新颖的无损伤测量技术－连续波电光检测法（ＣＷＥＯＰ）对ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ单异质结发光管列阵电场分布进行了扫描测量。实验结果反映了器件内电流注入的方向和载流子扩展情况；通过比较各单元电场分布，反映器件发光均匀性。文中详细介绍了测量原理、实验装置和实验结果及讨论，最后用计算机对电场分布作了模拟计算并与实验结果进行了对照。