KOH溶液中(11O)硅片腐蚀特性的研究

研究了在KOH溶液中(110)硅片的腐蚀特性,在保证(110)面的平整和{111}面的光滑的腐蚀实验条件下,利用(110)面和{111}面腐蚀选择比大,采用湿法腐蚀技术可以制作高深宽比结构的方式,在(110)硅片上设计制作出光开关用微反射镜.在腐蚀过程中光开关悬臂的凸角处产生了削角现象,利用表面硅原子悬挂键的分布特征对产生削角的原因作了合理解释,这为以后研究凸角补偿提供了理论依据.     

（100）Si在KOH中各向异性腐蚀的凸角补偿新方法

本文对Ｇ．Ｋ．Ｍａｙｅｒ等人提出的，用（１００）条对（１００）Ｓｉ凸角补偿的方法进行了深入研究，指出了该方法在腐蚀槽较窄时的局限性，在此基础上提出了一种改进的新方法，并给出了理论分析及实验结果．     

凸角域上的椭圆Neumann问题的H^2正则性

对凸角域上的Neumann问题△u au＝finΩ，эu/эn＝0onэΩ，这里α≥0是Ω上的有界可测函数且不恒为0，我们证明了：若f∈L^2（Ω)，则解u∈H^2(Ω)，且有正则性估计‖u‖2.0≤C‖f‖0.Ω。     

硅的凸角补偿尺寸及腐蚀中避免削角的新方法

在硅的腐蚀过程中,如果不对台面凸角加以补偿,会产生严重的削角现象。本文采用在凸角上补偿正方形掩膜的方法,通过实验得出要在TMAH腐蚀液中将厚度约为300μm的硅片腐蚀出完整的台面凸角结构需要补偿多大尺寸的正方形掩膜。硅片与玻璃键合后,由于硅晶格的变化使得与玻璃键合的那一层硅很难腐蚀掉,本文也介绍了一种缩短腐蚀时间、避免削角的方法。     

MRI诊断腰椎不稳的价值

本次研究目的是探讨磁共振成像(MRI)椎旁肌脂肪浸润占比、横截面积、腰椎前凸角诊断腰椎不稳的应用价值.选取退变性腰椎不稳患者87例作为观察组,同时选取体检健康者50例作为对照组,两组均给予MRI检查,比较两组椎旁肌脂肪浸润占比、横截面积、腰椎前凸角差异.结果显示观察组多裂肌横截面积、竖脊肌脂肪浸润占比明显低于对照组(P...     

(110)硅基光纤定位槽的研究

利用(110)硅片在KOH溶液中各向异性腐蚀制作出两个互相垂直的光纤定位槽.由于在该方位腐蚀出的不标准的V型槽,难以对此精确设计来固定光纤.设计了利用KOH溶液定向腐蚀制作出的平行四边形蚀坑串,所形成的锯齿状沟槽结构来固定光纤.依据硅的各向异性腐蚀特性对平行四边形蚀坑尺寸进行了分析设计.由于腐蚀过程中锐角凸角和钝角凸角产生的削角面不一致,致使锯齿状沟槽精确固定光纤产生偏差,设计采用菱形凸角补偿结构进行完善,从而达到精确固定光纤的目的.     

硅各向异性腐蚀中生成直角补偿结构的新方法

Detailed characteristics of three classical rectangular convex corner compensation structures on（100） silicon substrates have been investigated, and their common design steps are summarized.By combining the basic method of a silicon wet anisotropic etching process, a general method of generating compensation structures for a rectangular convex corner is put forward.This calls for the following two steps：define the topological field and fit some borderlines together into practical compensation patterns.The rules, which must be obeyed during this process, are summarized.By introducing this method, some novel compensation patterns for rectangular convex corner structures are created on both（100） and（110） substrates, and finally simulation results are given to prove this new method＇s validity and applicability.     

硅基微结构制作及其在微分析芯片上的应用

基于一种新的湿法刻蚀条件和新型的凸角补偿结构,以KOH溶液为腐蚀液,对单晶(100)Si材料进行了湿法刻蚀,获得了表面平整和凸角完整的刻蚀结果,制作了用于微模塑工艺的硅基阳模,并成功地用于聚甲基乙烯基硅氧烷微分析芯片的制作上.     

硅(100)晶面的凸角腐蚀及其补偿

在进行Si(100)台面腐蚀时,由于硅的各向异性腐蚀特性,凸角处呈现严重切削现象。凸角侧向腐蚀程度与腐蚀深度、腐蚀温度、腐蚀剂配比等诸多因素有关。针对方形补偿结构探讨了凸角腐蚀的补偿原理,设计了补偿版图,并在KOH腐蚀液中进行实验验证,获得了与理论分析结果相一致的直角凸面补偿效果。     

TMAH湿法腐蚀工艺制备微台面结构北大核心

针对目前四甲基氢氧化铵（TMAH）湿法腐蚀工艺制备微台面结构工艺可控性差、需要添加添加剂、溶液使用周期短及工艺维护繁琐、无法实现大尺寸晶圆工程化应用等问题,研究了无添加剂时,微台面的腐蚀形貌与TMAH溶液质量分数和循环速率之间的关系,提升了大尺寸晶圆凸角腐蚀尺寸的均匀性及表面质量,6英寸（1英寸=2.54 cm）硅晶圆内,凸角腐蚀尺寸不均匀性小于5%,台面高度不均匀性小于3%,且腔体底部平整光亮,腐蚀速率较快,实现了工程化应用。当TMAH溶液pH值为12.2-12.6时,微台面结构制备工艺稳定可控、维护简单,实现了高质量微台面结构的可批量化生产。