浙江网通 以“差异”立足 创自身优势

中国网通浙江省分公司作为一家新兴电信运营商，面对市场竞争激烈、内部资源不足、缺乏竞争力的局面，生存状况十分困难，更不要说在激烈的市场竞争中脱颖而出了如何在市场竞争趋于白热化的环境中，找到真正适合本企业的发展模式，是摆在浙江网通面前最重要的课题。     

为网络更安全再次吹响WAPI的进军号

今年世界电信日的主题是“让全球网络更安全”，这说明，在全球信息化高速发展的今天，全球网络的安全问题已经引起人们的高度关注。在无线局域网的发展方面，WLAN存在的安全缺陷，给人们的生活、工作带来很多不便甚至造成很大的经济损失，已经成为其发展过程中的一大瓶劲。WAPI是我国于2003年5月提出的无线局域网国家标准，它提供了优秀的认证和安全机制，受到了我国政府和业界的大力支持。几经波折的WAPI在今年3月7日正式成立产业联盟，此举无论对WAPI还是对我国无线局域网的发展都将具有里程碑的意义。WAPI的实施不仅会保障我国无线局域网的健康发展，也将会对全球网络安全做出应有的贡献。[编者按]     

内蒙古广播电视信息网络有限公司全区办公电话组网方案

内蒙古广播电视信息网络有限公司光缆干线全长8000多公里,100多个传输机站。要确保线路安全运行,维护工作尤为重要。系统公务电话的建立为全线各站联络、调度、指挥起着极为重要的作用。随着各盟(市)分公司的正式运营和旗县有线网络的整合,业务流量大大增加,总公司与分公司,分公司与所属机站之间的联络日益增多,组建内部通讯网络不仅能保证通信的畅通,还可以节约大量长途通信费用,因此得到了公司的高度重视。我们利用已有的光缆网络及现有资源设备实现了全区广电网络办公电话互联互通。     

6σ设计水平的评价

在介绍6σ设计概念和目标的基础上，给出设计水平与百万机会缺陷数(DPMO)关系的计算表达式和关系曲线，并开发了计算机模块，能自动计算与不同设计水平对应的DPMO值，也可以根据实际的DPMO值，自动评价达到的设计水平。     

区熔硅近表面洁净区和体内微缺陷的形成

中子辐照区熔(氢)硅片经退火后在近表面形成洁净区,在硅片内部形成体内微缺陷.微缺陷的形成与中子辐照造成的损伤及单晶硅内氢杂质的催化加速有关,还与后续退火条件有关.第一步退火的温度对微缺陷的尺度有很大的影响,中低温要比高温所形成的微缺陷小.在退火过程中微缺陷有一个生长过程,1100℃退火2h微缺陷已达最大.硅片表面的粗糙度影响表面洁净区的形成,洁净区出现在未抛光面,双面抛光硅片不会形成表面洁净区.     

KLA-221掩模缺陷自动检测仪简介

本文简要介绍了KLA-221掩模版缺陷检查仪的组成,对其电控部分的头放大器、伺服系统,自动聚焦系统和对准系统的整体考虑及采用的技术作了较详尽的叙述。     

光学材料微缺陷引起的损伤机理及后处理

采用时域有限差分方法（FDTD）进行元件表面微结构电磁场分布的数值模拟；同时实验分析了化学湿法刻蚀对光学元件表面面形及粗糙度、激光损伤阈值等的影响。     

ZSP_NEO(CPU CORE)与存储器的接口电路的设计与分析

本文设计了CPU(ZSP_NEO)和内部存储器的接口电路,这个接口电路同时提供一个接口满足DMA对内部存储器的访问,并完成模块验证。本设计中使用了两个IP:ZSP_NEO处理器核,以及Artisan提供的SMIC的0.18μm工艺的存储器模块,分别研究了他们的相关功能和相关接口,主要包括:读写功能、读写时序、控制信号等。同时,也根据存储器的情况选择了一个合适的直接存储器存取(DMA,Direct Memory Access)的操作协议。本设计中主要涉及系统级设计(SoC)的一些相关知识、IP的运用、Verilog代码的编写,及系统验证等。