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1.
该文基于掺钪AlN薄膜制备了高次谐波体声波谐振器(HBAR),研究了钪(Sc)掺杂浓度对AlN压电薄膜材料特性及器件性能的影响。研究表明,当掺入Sc的摩尔分数从0增加到25%时,压电应力系数e33增加、刚度 下降,导致Al1-xScxN压电薄膜的机电耦合系数 从5.6%提升至15.8%,从而使HBAR器件的有效机电耦合系数 提升了3倍。同时,当Sc掺杂摩尔分数达25%时,Al1-xScxN(x为Sc掺杂摩尔分数)压电薄膜的声速下降13%,声学损耗提高,导致HBAR器件的谐振频率和品质因数降低。 相似文献
2.
3.
煤直接液化油中混合酚的分离研究 《燃料化学学报》2019,47(11):1298-1304
利用分子筛择形特点,对煤直接液化油中的混合酚实施高效分离。本研究选取间甲酚和对甲酚作为分离煤直接液化油馏分段混合酚的模型化合物,采用化学液相沉积法对HZSM-5吸附剂的孔口结构进行改变,分析分子筛硅铝比及颗粒粒径对模型化合物间甲酚和对甲酚吸附分离性能的影响,以获得高性能固相吸附剂,并将其应用于180-190℃馏分段混合酚分离。结果表明,当分子筛硅铝比为25、粒径为3-5 μm时,分子筛的孔口结构调节效果最优;当正硅酸乙酯的最小用量为0.2 mL/g时,固相吸附剂的吸附量为0.03 g/g,对甲酚选择性高于95%。由于外表面沉积物对吸附剂的孔口结构变化,导致对甲酚选择性的提高。进一步采用HZSM-5(1)吸附剂对真实煤直接液化油混合酚的分离中发现,苯酚和对甲酚的选择性均达到100%。 相似文献
4.
利用G-四链体DNA(T30695)催化Zn2+插入到中卟啉IX(MPIX)中,引起荧光偏移的特点,建立了检测Zn2+的方法。在40μmol/L MPIX、0.6μmol/L Pb2+、5μmol/L T30695和1%Triton的最优实验条件下,该方法在Zn2+浓度为0.5~5μmol/L范围内呈现良好的线性关系,相关系数R2=0.95,检出限为73.5 nmol/L。离子选择性实验表明该方法对Zn2+具有较好的选择性,用于实际样品测定,回收率在94.7%~100.4%之间。 相似文献
5.
6.
利用2007-2013年的COSMIC掩星数据,分析了E区与F区电离层闪烁的变化特征.发现用闪烁出现频次、闪烁发生率以及闪烁强度来表征的电离层闪烁出现规律比较相似.E区电离层闪烁在夏季半球的中纬地区最强,其次是春秋季的低纬地区和冬季半球.就经度分布来说,春秋季E区电离层闪烁呈四波结构.对F区电离层闪烁来说:南美-大西洋扇区在12月至点最为显著;非洲和太平洋扇区在6月至点最为显著;大西洋扇区在春秋分季最为显著.极区也出现中等强度的闪烁,尤其在南半球的90°E~180°E扇区较为显著.高纬E区电离层闪烁强度随太阳活动的增强而增强,而低纬和南半球的中纬E区闪烁随太阳活动的增强而减弱.高纬和低纬F区闪烁随太阳活动的增强而增强,而中纬F区电离层闪烁对太阳活动无显著依赖关系.对于赤道区来说,北半球60°W~60°E经度区闪烁强度随太阳活动的变化最为显著,其次是南半球60°E~210°E附近;而对于高纬地区来说,F区闪烁强度随太阳活动的变化最为显著的区域在南半球60°E~210°E附近. 相似文献
7.
《固体电子学研究与进展》2015,(6)
针对纳米级工艺多指栅MOS晶体管的不同版图结构及其阈值波动的相关特性进行分析和研究。通过将基于Fujitsu 90nm工艺的三种不同版图结构实现的N型多指栅MOSFET器件阈值电压VTH作为工艺波动的研究对象,运用多元非线性回归算法对测试芯片进行系统工艺波动与随机工艺波动的提取和分析,并对与尺寸、版图结构相关的随机工艺波动特性进行了评估。测试结果表明三种版图结构中有源区共有结构具有最佳的电流驱动特性,有源区隔离结构抑制系统波动能力最优,折叠栅结构具有同尺寸器件较低的阈值电压并可以最有效地抑制随机工艺波动。 相似文献
8.
在复杂电磁空间斗争这条无形的战线上,对电磁环境的准确、直观描述一直是制约指挥人员实施准确、高效指挥的关键因素,本文围绕复杂电磁环境三维可视化方法展开研究。首先提出了混合八叉树分割方法解决了传统八叉树不能对大规模体数据直接体绘制的问题,设计了球形规则网格体数据组织模型,通过抽象电磁环境数据模型的输入、输出和计算功能,构建了复杂电磁环境的通用组织计算框架。针对传统光线投射直接体绘制算法不能正确处理视锥体裁剪问题,提出了一种视锥体裁减修正的方法,通过绘制视锥体近、远截面与体数据包围盒的相交面,解决了由于被视锥体裁剪而丢失数据的绘制错误问题。研究运用等值线绘制算法、颜色映射切片绘制算法和光线投射算法三者相结合的可视化方法,从不同高度和不同方向切割电磁环境,不仅能直观感受到复杂电磁环境的全貌,而且能观察对作战指挥最有影响的细节信息。 相似文献
9.
10.
平面凸点式封装FBP(Flat Bump Package)是一种新型的封装形式.它是针对目前QFN(Quad Flat No-lead)在封装工艺中一些无法根本解决问题而重新选择的设计方案。 相似文献