空间红外大口径折射式低温镜头设计与验证

针对目标探测类空间红外相机大范围成像、高灵敏度探测、高精度定位等应用需求,文中提出采用像方远心光路和低温光学技术结合的解决方案,设计了物方视场角8°×8°、入瞳口径265 mm、工作温度200 K的像方远心折射式光学系统。镜头最大口径280 mm,采用多级分散的弹性支撑设计,解决大口径低温透镜装框、透镜组件支撑和镜头整体安装各环节的热应力卸载问题。在保证高刚度和低漏热的情况下,使低温下透镜的热应力对镜头能量集中度的影响降低到可接受范围内。镜头完成装调及室温下像质确认后,进行了力学振动试验,并将其制冷到200 K水平测试像质,测试结果表明,镜头能量集中度达到轴上75%,边缘视场72%。     

片式多层陶瓷微波谐振器

介绍了片式陶瓷微波谐振器的工艺过程、谐振器的结构以及结构对谐振器参数的影响,谐振器与外电路的耦合采用耦合间隙的方法与谐振单元在同一层内实现,这种新结构既可给制备工艺带来方便,又可减少工艺所带来的误差。用多层陶瓷工艺技术,用高介电常数、低温烧结微波陶瓷实现了中心频率为1GHz,有载品质因数大于80的试验双端口多层微波谐振器。微波谐振器体积小,整个谐振器的尺寸为7mm×2mm×1mm,适用于表面贴装技术。     

低温送风系统末端装置诱导器的研究及性能评价

研究了在低温送风系统中诱导器(IDU)的结构特点、工作原理、送风方式,分析了诱导器送风口射流速度的特性,得出了诱导器空调系统的优缺点。     

微流控分析芯片制作中的低温键合技术

微流控分析芯片制作方法的研究是微流控分析的基础。制作性能良好的微流控分析芯片时,基片与盖片的键合技术十分重要。本文针对近年来发展迅速的低温键合技术,对各种方法进行了评价,并对其发展前景进行了展望。     

PECVD法低温沉积多晶硅薄膜的研究

在玻璃衬底上采用常规的PKCVD法在低温(≤400℃)条件下制得大颗较(直径＞100nm)、择优取向(220)明显的多晶硅薄膜。选用的反应气体为SiF4和H2混合气体。加入少量的SiH4后，沉积速率提高了近10倍。分析认为，在低温时促使多晶硅结构形成的反应基元应是SiFmHn(m n≤3)，而不可能是SiHn(n≤3)基团。     

薄膜的截面TEM样品制备

薄膜材料的厚度仅为微米量级或者更薄，对其微结构的研究十分困难，许多表征方法难以采用。透射电子显微分析（TEM）是薄膜材料微结构研究最重要的手段之一。尽管采用TEM平面样品研究薄膜的微结构在样品制备方面相对容易，但由于薄膜依附于基材生长，且通常具有择优取向和柱状晶生长等微结构特征，因而采用截面样品从薄膜生长的横断面进行观察和研究，可以得到更多的材料微结构信息。但是薄膜的TEM截面样品制备过程较为繁杂，难以掌握。已有的文献主要介绍了Si基片上生长薄膜的TEM截面样品制备方法，对金属基片薄膜截面样品的制备方法介绍不多。     

YBa2Cu3Oz超导体的低温稳定相

基于8点长方集团变分模型,并引入各向同性最近邻相互作用,以及各向异性次近邻相互作用,计算了YBa₂Cu₃O_z两Ba层间铜氧平面上□—O系统的有序—无序相变图,不仅在z=7.0附近得到具有超导电性的正交相,并且在z=6.5附近得到具有两倍晶格长度的另一种正交相(正交相Ⅱ)。 关键词：     

用MOCVD在非平面衬底上生长的量子阱,量子线及其光学性质

本文报道在６５０℃的衬底温度下实现了ＭＯＣＶＤ在（１００）面和（１１１）面上生长ＧａＡｓ与Ａｌ０．４Ｇａ０．６Ａｓ的不同选择性。这一衬底温度比国际上以前报道的要低，对制作适于光电器件的ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱层比较有利。用此技术，在ＧａＡｓ非平面衬底上生长了ＧａＡｓ／Ａｌ０．４Ｇａ０．６Ａｓ量子阱，并用扫描电镜、低温光致发光谱及偏振激发的光反射率谱技术进行了研究。结果不仅证明了ＭＣＣＶＤ外延生     

具有RHEED在线监控功能的超高真空CVD系统及3″硅片低温外延研究

本文报道了自己研制的一台超高真空化学汽相溶积系统，本底真空达１０＾－７Ｐａ。该系统配有反射高能电子衍射仪，可对衬底表面清洁状况、外延层厚度等进行在线监控。     

一种新型铂电阻温度计及其性能研究

中国计量科学研究院同云南仪表厂合作研制一种新型的套管铂电阻温度计，并对其作为较为详细的实验研究，研究结果如下：在水三相点，温度计的稳定性优于±０．３ｍＫ，在一周之内，复现性优于±０．１ｍＫ，１ｍＡ测量电流下自热不超过１ｍＫ，温度计在４．２Ｋ温度下的电阻比Ｗ小于５．９×１０＾－４，其标准偏差的绝对值不大于３×１０＾－８；而非一致性在８３Ｋ以上稍大，而在１７Ｋ－８３Ｋ间小于０．４ｍＫ，在其余温度范围均