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1.
2.
3.
4.
X射线光刻掩模背面刻蚀过程中的形变仿真   总被引:1,自引:0,他引:1  
开发了理论模型以验证有限元方法用于X射线光刻掩模刻蚀过程数值仿真的正确性。利用相同的有限元技术,对X射线光刻掩模的背面开窗、Si片刻蚀过程进行数值仿真。结果表明,图形区域的最大平面内形变(IPD)出现在上、下边缘处,最大非平面形变(OPD)出现在左、右边缘处。此外对Si片单载荷步刻蚀和多载荷步刻蚀的仿真进行比较,结果表明图形区域最终的形变量与Si片刻蚀的过程无关。  相似文献   
5.
6.
造成印版伸缩的因素很多,但主要有四种:温度的影响,晒版和真空抽气的影响、干燥不充分、网版张力不足与网版的脱胶。  相似文献   
7.
无掩模激光干涉光刻技术研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
介绍了一种不用掩模的光刻技术———激光干涉光刻技术的基本原理,给出了干涉光刻技术的主要特点及一些可能的应用,并对实验系统和初步实验结果进行了分析。研究表明,激光干涉光刻具有大视场和分辨率高和视场宽等优点。  相似文献   
8.
生长温度对碳纳米管阴极场发射性能的影响   总被引:1,自引:1,他引:0       下载免费PDF全文
王莉莉  孙卓  陈婷 《发光学报》2006,27(1):123-128
碳纳米管(Carbon Nanotubes,CNTs)场发射平面显示器(Field Emission Display,FED)与其他显示器比较显示了其独特优点,被认为是未来理想的平面显示器之一。碳纳米管阴极作为器件的核心部分,其性能的好坏直接影响显示器的性能。针对30~60英寸(76.2~152.4cm)大屏幕显示器所用的厚膜工艺,即采用丝网印刷法制备了碳纳米管阴极阵列,研究了化学气相沉积法在不同温度下生长的CNTs的场发射电流-电压特性,找到了适合FED用碳纳米管的最佳生长温度。结果表明生长温度越高(750℃),CNTs场发射性能越好。并用荧光粉阳极测试这些CNTs的场发射发光显示效果,验证了上述结论。  相似文献   
9.
《印制电路资讯》2007,(5):35-35
DKN研究所日前成功研发一种完全采用印刷技术生产高密度软板的生产工艺。这种新技术能生产出单面、双面和多层PCB,而且能够植入主被动组件。采用丝网印刷的技术,可以形成30微米的线路和间距,完全可以和传统蚀刻技术相媲美,此技术并兼具环保,因为不存在化学的湿处理过程。若搭配使用ROLL—TO—ROLL的生产工艺,低成本是可能的。这使该技术的市场前景非常广阔,可以用于面板开关、[第一段]  相似文献   
10.
像许多材料供应厂商一样,玻璃产品的制造厂商也期望能在其产品上雕刻出二维条形码,并从中受益。这些标记能起到防伪的功能,并能打出产品的生产地、出厂日期和加工方法等。然而,与其他材料相比,在玻璃中打标是非常困难的,很多方法难以胜任,包括激光打标方法。  相似文献   
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