撰稿指南

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基于NoC的容错路由算法

各种各样的软件和硬件上的错误都会破坏网络的数据传输,因此研究No C网络的容错算法是非常必要的。在基于XY路由算法的基础上提出了改进的容错路由算法,当链路或者传输节点之间发生错误时,可通过重新设置路由规则来获取一条有效的路由路径。在FPGA上进行路由容错算法的仿真,并和目前常用的几种路由算法在所适用拓扑、是否防止死锁等方面进行对比。仿真结果显示改进的路由容错算法性能优越,是可行的。     

2.5GHz低相位噪声CMOS LC VCO的设计

用0 .35μm、一层多晶、四层金属、3.3V的标准全数字CMOS工艺设计了一个全集成的2 .5 GHz L C VCO,电路采用全差分互补负跨导结构以降低电路功耗和减少器件1/ f噪声的影响.为了减少高频噪声的影响,采用了在片L C滤波技术.可变电容采用增强型MOS可变电容,取得了2 3%的频率调节范围.采用单个16边形的对称片上螺旋电感,并在电感下加接地屏蔽层,从而减少芯片面积,优化Q值.取得了在离中心频率1MHz处- 118d Bc/ Hz的相位噪声性能.电源电压为3.3V时的功耗为4 m A.     

再次震惊——试看Mitsubishi（三菱）LVP—HC3100DLP投影机

当主编安排笔者试看Mitsubishi（三菱）LVP—HC3100DLP投影机（以下简称HC3100），并且得知HC3100是HC3000升级版的时候，笔者的第一反应是有点不可思议。记得HC3000上市还是在2005年8911月，距今还不到一年，而且这款机至今仍然凭着优异的性能及出色的性价比占有着相当大的市场份额。在这么短的时间里．三菱推出升级版89HC3100，目的何在呢？是HC3000还不够完美吗？当然不是了，作为电视机、投影机等显示设备的老牌生产商，三菱有着丰厚的技术和经验的支持，在色彩管理、系统整体化设计的高完成度等方面部是有口皆碑的，甚至于去年的产品HC3000直到目前仍然是同级产品中的佼佼者之一，而且去年笔者首次看到HC3000出色的画面素质之后，当即对那浓厚的色彩、丰富的细节及快速连贯的画面感到震惊。那现在上市价比去年上市时的HC3000还便宜的HC3100，究竟升级了哪些呢？下文自有分析。     

面向空间应用的片上系统集成技术研究

文章采用一种新颖方法对商用IP进行可靠性提升、完善，同时进行容错结构设计,建立了拥有自主知识产权的专用加固型标准单元库，构建了面向空间应用的SoC设计方法与流程，形成了面向空间电子系统的系统集成设计平台，用该技术实现了面向卫星等空间应用的32位嵌入式RISC处理器SoC芯片，获得了一次投片成功。     

嵌人式与独立存储器设计上的差异分析和研究

进入21世纪,随着集成电路的发展,SoC(System on Chip)片上系统应运而生。而作为SoC重要组成部分的嵌入式存储器,在SoC中所占的比重正逐步增加,并起着越来越重要的作用,那么嵌入式存储器与独立的存储器芯片在设计上存在着哪些差异?对此本文将以NOR型闪存为例在制造工艺的选取、衍生产品的设计、功耗与噪声、后端功能仿真、测试与修复等方面进行分析和研究。     

MP830／730：多媒体SoC处理器

Mobilic公司推出多媒体片上系统(SoC)处理器 MP830和MP730,提供用于移动设备设计包括3G手机、个人媒体播放器、PDA、数字摄像机和GPS系统的特性组合。这两款处理器具有200MHz ARM926 CPU,集成了支持MPEG4和H．263标准的视频CODEC、MP3译码器、2D图像加速引擎,以及用于高分辨率LCD、TV、以太网和USB的接口,并支持有大量外设的高性能视频     

光迅数码新品亮相

上奇科技自有品牌“光迅(Grandvison)”自去年年底推出光迅DV2数码摄像机以来,以其功能强大、价格优廉的优势,在国内深受消费者的青睐。近日,又在国内隆重推出光迅系列数码新产品,全力进军国内数码市场。上奇公司此次推出的“光迅(Grandvison)”系列数码新产品有:CoolDV350数字摄影机、EZShotS7数码相机、A10读卡播放器、C2数码摄像机。DV350是一款集数字录像、数字照相、数字录音、视频会议、随身碟、媒体播放器于一身的数码产品,最高输出达300万像素,2倍数码变焦,1.5口寸TFTLCD大画面彩色监视面板,简易USB接口即插即用,支持NTS…     

基于SOI的双极场效应晶体管

在分析了双极型晶体管和场效应晶体管各自的特点和不足后，介绍了一种既具有双极型晶体管较大电流容量和功率输出，又具有场效应晶体管高输入阻抗的电子器件——双极MOS场效应晶体管(BJMOSFET)，同时指出体硅BJMOSFET的阳极扩散区与衬底之间存在较大的漏电流，可产生较大的寄生效应。提出了一种新型固体电子器件——基于SOI的BJMOSFET，分析了其工作原理j与体硅BJMOSFET比较，由于SOI技术完整的介质隔离避免了体硅器件中存在的大部分寄生效应，使基于SOI的BJMOSFET在体效应、热载流子效应、寄生电容、短沟道效应和闩锁效应等方面具有更优良的特性。