轴流风扇叶片端导叶作用的研究

本文采用数值方法研究了叶片端导叶对轴流风扇性能的影响。通过与普通开式轴流风扇比较,分析了叶片端导叶对内部流动作用的机理.数值计算结果表明:叶片端导叶的安装位置将影响轴流风扇气动效率,安装叶片端导叶不能提高风扇静压升,但是在压力面安装时能有效地减小风扇叶顶泄漏流与主流的掺混损失;在设计流量下,压力面安装叶片端导叶使泄漏涡的作用范围较小,涡核更靠近吸力面;吸力面安装叶片端导叶弱化了泄漏涡的强度但没有减小泄漏涡的作用范围。     

前缘弯掠斜流转子叶顶间隙流动特性数值分析

本文对前缘弯掠斜流转子叶顶间隙内的流动特性进行了数值分析。结果表明:叶顶间隙气流与主流发生卷吸而生成泄漏涡。泄漏涡作用的区域具有较低的压力分布。在叶片通道内,泄漏涡沿着与转子旋向相反的方向朝相邻叶片的压力面移动。大间隙时的泄漏涡比小间隙时强烈。低流量时泄漏涡的作用区域比高流量时大。在各种流量特性下,叶顶尾缘近吸力面区域都存在着二次间隙流。     

}MSo浸种对大麦种子萌发及若干性状的影响

本文报道二甲亚矾(DMSO)浸种影响大麦“早熟3号”种子的萌发以及浸种后种子的渗漏和呼吸强度等的变化.结果表明:在24℃条件干浸种，。.1%和5芳的DMSO明显促进种子的萌发，5劣DMSO浸种的促进作用尤为明显.然而这种影响效应在zs c条件下浸种则完全相反，对种子萌发有抑制作用，表现明显的温度效应.     

某轴流压气机叶尖间隙效应实验研究

本文对某低速轴流压气机叶尖间隙尺度对性能的影响进行了实验研究,并通过不同的机匣结构情况研究一种叶尖漏流不敏感机匣。实验表明,不同的间隙尺度对叶轮机总体性能存在十分明显的影响。对绝大部分运行状态,小间隙下的压升和效率均明显高于大间隙的情况。另外,所采用的毛刷式和篦齿式的机匣实验结果表明,不论毛刷式还是篦齿式机匣,在大流量负攻角情况下对性能的影响不大,但毛刷式机匣并不能达到提高失速裕度的目的,而篦齿式机匣在小流量情况下对压升有所提高,但对效率影响不大。     

InGaN/GaN多量子阱LED载流子泄漏与温度关系研究

通过测量光电流,直接观察了InGaN/GaN量子阱中载流子的泄漏程度随温度升高的变化关系。当LED温度从300K升高到360K时,在相同的光照强度下,LED的光电流增大,说明在温度上升之后,载流子从量子阱中逃逸的数目更多,即载流子泄漏比例增大。同时,光电流的增大在激发密度较低的时候更为明显,而且光电流随温度的增加幅度与激发光子的能量有关。用量子阱-量子点复合模型能很好地解释所观察到的实验现象。实验结果直接证明,随着温度的升高,InGaN/GaN量子阱中的载流子泄漏将显著增加,而且在低激发密度下这一效应更为明显。温度升高导致的载流子泄漏增多是InGaN多量子阱LED发光效率随温度升高而降低的重要原因。     

Monofluoroalkene-Isostere as a 19F NMR Label for the Peptide Backbone: Synthesis and Evaluation in Membrane-Bound PGLa and (KIGAKI)3

Solid-state ¹⁹F NMR is a powerful method to study the interactions of biologically active peptides with membranes. So far, in labelled peptides, the ¹⁹F-reporter group has always been installed on the side chain of an amino acid. Given the fact that monofluoroalkenes are non-hydrolyzable peptide bond mimics, we have synthesized a monofluoroalkene-based dipeptide isostere, Val-Ψ[(Z)-CF=CH]-Gly, and inserted it in the sequence of two well-studied antimicrobial peptides: PGLa and (KIGAKI)₃ are representatives of an α-helix and a β-sheet. The conformations and biological activities of these labeled peptides were studied to assess the suitability of monofluoroalkenes for ¹⁹F NMR structure analysis.     

硅单粒子位移损伤多尺度模拟研究

本文结合分子动力学方法和动力学蒙特卡罗方法, 研究了单个粒子入射硅引起的位移损伤缺陷的产生和演化过程; 基于Shockley-Read-Hall理论计算了单个粒子入射引起的位移损伤缺陷导致的泄漏电流增加及其演化过程, 比较了缺陷退火因子与泄漏电流退火因子之间的差异, 并将计算结果与实验值进行了对比. 结果表明, 计算泄漏电流时, 仅考虑一种缺陷的情况下缺陷退火因子与泄漏电流退火因子相同, 考虑两种缺陷类型情况下二者在数值上有所区别, 但缺陷退火因子仍能在一定程度上反映泄漏电流的退火行为. 分子动力学模拟中采用Stillinger-Weber势函数和Tersoff势函数时缺陷退火因子和泄漏电流退火因子与实验结果一致, 基于Stillinger-Weber势函数的计算结果与实验值更为接近.     

环氧灌浆材料在莞惠城际轨道工程GZH-5标渗漏水治理中的应用

针对当前聚氨酯灌浆材料在渗漏水治理中存在的问题,提出了依靠堵水环氧灌浆材料和高渗透环氧灌浆材料进行渗漏水治理的新思路。环氧类灌浆材料既能够对混凝土裂缝等缺陷进行修复,也能够封堵渗漏水,希望修复后的缺陷能够保持和恢复混凝土结构的耐久性。     

Gate-induced drain leakage (GIDL) in MFMIS and MFIS negative capacitance FinFETs

The gate induced drain leakage (GIDL) effect in negative capacitance (NC) FinFET is investigated. A Landau–Ginzburg–Devonshire equation (which considers the polarization gradient in ferroelectric material) is used to estimate the characteristics of the NC FinFET. Specifically, metal-ferroelectric-metal-insulator-semiconductor (MFMIS) and metal-ferroelectric-insulator-semiconductor (MFIS) NC FinFETs are compared, in order to figure out the effect of the internal metal layer on the GIDL effect. To analyze the impact of the polarization gradient on the GIDL effect in NC FinFET, a polarization gradient coefficient is varied. For MFMIS, the polarization gradient doesn't significantly affect the device performance. The subthreshold swing improves but the GIDL effect deteriorates because of the “uniform” NC effect in channel region. For MFIS, the device performance is explicitly affected by the polarization gradient. Smaller polarization gradients result in non-uniform NC effect in channel region, resulting in severe GIDL effects. On the other hand, higher polarization gradients alleviate GIDL effects.     

基于“真实情境与实际问题”的化学试题命制——以“碳九泄漏事故”为例

以“11·4福建泉港碳九泄漏事故”为测试载体,在深入挖掘和甄选考点后,结合当前《普通高中化学课程标准（2017年版）》对考试评价的有关说明和试题命制基本理论及技术要求,命制了一道高中化学考试试题,并在文中对试题的测试目标,如认知操作、核心素养和达到的学业质量水平加以详细分析,对试题命制的技术性要求辅以论证,以期能给同行以核心素养为测试宗旨的命题提供一些参考。