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1.
直流磁控溅射一步法原位制备MgB2超导薄膜   总被引:6,自引:1,他引:5       下载免费PDF全文
用MgB2靶,控制直流磁控溅射工作在异常辉光放电或弧光放电状态,在SrTiO3衬底上原位一次性得到了MgB2超导薄膜,其起始转变温度为32K,零电阻温度为15K. 关键词: 高温超导体 超导薄膜 磁控溅射 二硼化镁  相似文献   
2.
基于LabVIEW的高温超导材料特性测试实验   总被引:4,自引:1,他引:3  
高温超导体临界特性的测量是近代物理实验中最为经典的实验之一,本文通过使用GM制冷机,利用Lab-VIEW虚拟仪器软件和高性能采集卡,改进了传统的测量高温超导材料临界特性的实验装置.本测试系统不仅可以测量高温超导体在不同温度下的临界电流,还可以测量其失超传播特性.该实验对于学生了解超导体特性和培养严谨的科学作风十分有益.  相似文献   
3.
High-temperature series expansions of the susceptibility and second moment to 15th order are calculated for zero external field on the linear chain (LC), plane square (PSQ), simple cubic (SC), and body-centered cubic (BCC) lattices. Checks for specific models against pertinent work in the literature are detailed.  相似文献   
4.
Laser induced plasma emission spectra from highT c superconducting samples of YBa2Cu3O7 and GdBa2Cu3O7 obtained with 1.06μm radiation from a Q switched Nd:YAG laser beam has been analysed. The results clearly show the presence of diatomic oxides in addition to ionized species of the constituent metals in the plasma thus produced.  相似文献   
5.
T′相R2CuO4稀土铜氧化合物由于尺度效应而产生弱铁磁性行为已经被人们关注,报导了通过高温高氧压(6GPa,1000℃)合成稀土T′相R2CuO4(R=Nd,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er和Tm)化合物的结构和磁学性能。磁化率曲线显示,在低温下所有的高压增氧R2CuO4样品都出现新的低温弱铁磁性反常行为,转变温度在28K附近。新的低温弱铁磁性行为是由于CuO2面上微量氧空穴的掺入,使处于反铁磁有序CuO2面形成局域化的铁磁性团簇造成。实验证明新发现的低温弱铁磁性行为与尺度效应产生弱铁磁性行为属于完全不同的物理机制。结果还预示T′相R2CuO4稀土铜氧化合物很难通过空穴掺杂而实现超导。  相似文献   
6.
 在总结铜氧化物高温超导体晶体结构特点的基础上,提出了以无限层结构Cu-O钙钛矿为核心的结构组装概念,通过和相关结构的外延组合,衍生出了高温超导体的主要晶体构型。进一步运用此观念,建立了新的三元数命名法,并对高温超导体的晶体结构进行了归类。  相似文献   
7.
The stability behaviour of a thin-film superconductor under a localized release of thermal disturbance is investigated. Two-dimensional conjugate film/substrate conduction equation with anisotropic thermal conductivity of the film, and Joule heat are employed to investigate effects of substrate and thermal properties on the intrinsic stability and quenching recovery. To consider the thermal boundary resistance between film and substrate, an interfacial-layer model (ILM) with very low diffusivity and an acoustic mismatch model (AMM) are employed. Results show that the thermal boundary resistance influences strongly the intrinsic stability. Thermal boundary resistance increases intrinsic stability if the thermal conductivity of the substrate or the disturbance energy is large. Higher Biot numbers and thermal conductivity ratios of film to substrate in longitudinal direction influence stability favorably. We demonstrate also that operation of a film/substrate system, such as YBCO/MgO, is either intrinsically stable or irrecoverably unstable.The authors wish to express their sincere appreciation to Dr. R. C. Chen for his invaluable advice and suggestions during the course of this paper. This research was supported by the National Science Council of the R. O. C. through grant NSC 83-0401-E-009-006. The computations were performed on the IBM ES/9000 at the National Center For High-Performance Computing.  相似文献   
8.
 利用球磨法制备石墨-六角氮化硼微晶混合物,并在6.1 GPa、800~1 500 ℃条件下与水进行高压反应,以便研究用水作触媒合成B-C-N三元化合物的可能性。通过对反应产物的XRD、XPS谱分析发现:高压下随着温度的升高,反应产物中出现再结晶石墨,其晶化程度逐渐提高;但没有出现再结晶六角氮化硼,也未出现立方氮化硼。在球磨不充分条件下,石墨-六角氮化硼混合物的XRD谱没有完全弥散,它们与水高压反应时,能观察到石墨与立方氮化硼分别结晶的现象,但都没有形成B-C-N晶化结构。  相似文献   
9.
s波超导体绝缘层dx2-y2波超导体结的直流Josephson电流   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
李晓薇  董正超  崔元顺 《物理学报》2002,51(6):1360-1365
在s波超导体绝缘层dx2-y2波超导体结(sId)中,考虑到结界面粗糙散射,运用BogoliubovdeGennes(BdG)方程和FurusakiTsukada(FT)电流公式,计算超导结中的准粒子传输系数和直流Josephson电流.结果表明:sId超导结的直流Josephson电流随温度以及结两侧的相位差变化的关系曲线强烈地依赖于d波超导体的晶轴方位;结界面的粗糙散射对Josephson电流有抑制作用 关键词: s/I/d超导结 dx2-y2波超导体 直流Josephson电流  相似文献   
10.
For low-temperature deposition of oxide films relating to Bi-Sr-Ca-Cu-O superconductors, photo-absorption and -decomposition properties were examined with respect to copper and alkaline-earth ß-diketonates. It was confirmed that all ß-diketonates examined were promising as source materials for photochemical vapour deposition (photo-CVD) using a low-pressure mercury lamp, in view of their large light absorption coefficients at wavelength 254 nm. The light irradiation was effective for the formation of highly crystalline oxide films at temperatures below 600 °C. By combining two sources, Ca2CuO3 and SrCuO2 films were prepared. Photo-CVD of c-axis oriented Bi2Sr2CuOx film was achieved by the irradiation of ternary sources of Bi(C6H5)3 and strontium and copper ß-diketonates at 500 °C.  相似文献   
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