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1.
We study the full counting statistics of transport electrons through a semiconductor two-level quantum dot with Rashba spin–orbit (SO) coupling, which acts as a nonabelian gauge field and thus induces the electron transition between two levels along with the spin flip. By means of the quantum master equation approach, shot noise and skewness are obtained at finite temperature with two-body Coulomb interaction. We particularly demonstrate the crucial effect of SO coupling on the super-Poissonian fluctuation of transport electrons, in terms of which the SO coupling can be probed by the zero-frequency cumulants. While the charge currents are not sensitive to the SO coupling. 相似文献
2.
3.
4.
通过系统研究A~190区超形变核中转动带的转动惯量、角动量顺排、旋称分裂随转动频率的变化规律, 结合我们用处理对力的粒子数守恒方法的计算结果, 对A~190区所有转动带的组态结构给出了一个整体的描述. 绝大多数超形变带都建立在强耦合轨道上, 例如中子[512]5/2, [624]9/2. 少数超形变带则建立在高j闯入轨道上, 即中子[761]3/2, [752]5/2. 根据我们提出的组态结构所进行的理论计算结果表明, A~190区所有转动带的一般行为、反常变化和带交叉都得到了满意的解释. 相似文献
5.
Shuichi Ishida Keiki Takeda Atsushi Okamoto Ichiro Shibasaki 《Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures》2004,20(3-4):255
Magnetoresistance (MR) effects have been investigated in perpendicular and parallel magnetic fields at 300, 80 K and liquid He temperatures for undoped InSb thin films 0.1–2.3 μm thick grown on GaAs(1 0 0) substrates by MBE. At high temperatures, the intrinsic carriers show the parabolic negative MR observable only in magnetic fields parallel to the film. The skipping-orbit effect due to surface boundary scattering in the classical orbits in the plane vertical to the film has been argued to be responsible for the negative MR. At low temperatures (T=80 K), the transport is dominated by the two-dimensional (2D) electrons in the accumulation layers at the InSb/GaAs(1 0 0) hetero interface; MR is positive and shows a logarithmic increase with anisotropy between parallel and perpendicular field orientation, arising from the 2D weak anti-localization (WAL) that reflects the interplay between the spin-Zeeman effect and strong spin–orbit interaction caused by the asymmetric potential at the interface (Rashba term). The zero-field spin splitting energy of Δ013 meV, the electron effective mass of m*0.10m0 seven times of the band edge mass in bulk InSb and the effective g-factor of |g*|15 in the accumulation layer have been inferred from fits of MR for the 0.1 μm thick film to the 2D WL theory. 相似文献
6.
The authors study the bifurcation problems of rough heteroclinic loop connecting three saddle points for the case β1 > 1, β2 > 1, β3 < 1 and β1β2β3 < 1. The existence, number, coexistence and incoexistence of 2-point-loop, 1-homoclinic orbit and 1-periodic orbit are studied. Meanwhile, the bifurcation surfaces and existence regions are given. 相似文献
7.
8.
通过对非线性规划问题的K-T点的光滑路径跟踪方法研究,得出一种针对于既有不等式约束条件又有等式约束条件的优化问题光滑路径跟踪方法,证明了光滑跟踪路径的存在性。 相似文献
9.
10.
字节全加器及其在无线电测控系统中的应用 总被引:1,自引:1,他引:0
对全加器概念进行了推广,并在此基础上给出了使用字节全加器网络的无线电抗干扰算法。通过在实际的无线电测控系统中的应用,结果表明该算法具有良好的无线电抗干扰效果。 相似文献