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专业分类
物理学
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2015年
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1.
硅纳米线尖端阵列的制备及其场发射性能研究
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蒋一岚
袁晓东
廖威
陈静
张传超
张丽娟
王海军
栾晓雨
叶亚云
《强激光与粒子束》
2015,27(1):014102
将银镜反应与金属催化化学刻蚀相结合,在室温附近成功地制备出了硅纳米线尖端阵列,其长度为4~7μm,中间部分的直径在100~300nm之间。该方法操作简单、高效、无毒、可控以及低成本,且不需要高温、复杂的设备,对环境也没有特殊要求。性能测试结果显示:该硅纳米材料能够有效实现电子发射,开启电场约为2.7V/μm(电流密度10μA/cm2处);硅纳米尖端阵列的场增强因子约为692,可应用在场发射器件之上。
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