直流稳压电源波形演示器制作说明

直流稳压电源可以将交流电压变换为直流电压,并使之稳定,在我们现实生活中应用很广泛,在实验中我们利用的电学知识,设计制造了一种直流稳压电源。本文简要介绍了这种直流稳压电源波形演示器的设计目的和电路原理,重点阐述了它的制作流程、滤波和稳压原理以及性能测试输出波形。     

A covering construction for packing disjoint copies of the Hoffman‐Singleton graph into K50

In this note we show how coverings induced by voltage assignments can be used to produce packings of disjoint copies of the Hoffman‐Singleton graph into K₅₀. © 2003 Wiley Periodicals, Inc. J Combin Designs 11: 408–412, 2003; Published online in Wiley InterScience ( www.interscience.wiley.com ). DOI 10.1002/jcd.10049     

高压电场作用下乙醇-水溶液体系变化红外光谱分析

本文报道了用红外光谱分析电磁场作用下乙醇 水溶液体系变化情况。分析结果表明 :当乙醇溶液受到 2 0kV·cm- 1 的交变电磁场处理 (5 0Hz)时 ,分子之间的氢键缔合先增大后减少 ;高乙醇含量溶液受到同样强度电场较长时间处理时 ,有乙醇发生氧化反应 ,从红外谱中可看到νCO 峰及ν(OH) (H2 O) 峰的出现 ;经处理后的溶液自然放置 7天再测定 ,其红外谱图基本保持不变。文中对各出现变化的峰进行了分析 ,并对其机理进行了推导     

High Voltage Pulse Power and the Technics for the Capacitor Power-Storage Type

Lower hybrid wave （LHW）, electro cyclotron （EC） and neutral beam injection （NBI） etc. are the important methods of auxiliary heating. They would be devoted to the HL-2A tokamak step by step. In order to satisfy the debug of each system and the need of the experiment, the system should be equipped with high voltage pulse power （HVPP） according to the requirement.     

Unusual current‐voltage characteristics of single crystalline and bicrystalline La0.7Ca0.3MnO3 films

The current‐voltage characteristics of single crystalline and bicrystalline La_0.7Ca_0.3MnO₃ films were measured and analyzed. Several epitaxial films, as well as 45° [001]‐tilt grain boundaries, display current‐voltage characteristics which are asymmetric with respect to polarity reversal of the bias current. One epitaxial film has a polarity dependent resistance of ～340kΩ and of ～670kΩ in forward and in reverse direction, respectively.     

高压沿面放电烟气脱硫技术动态实验研究

本文针对高压沿面放电活化气体的烟气脱硫技术,在静态实验研究的基础上进行了实验室冷态动态的实验研究。设计了便于反应和测量的动态实验装置。实验解释了电子束法脱硫技术中导致氨气泄漏的部分原因,验证了高压沿面放电脱硫技术可以在较低的运行电压下,达到提高脱硫效率,减少氨气泄漏的作用。     

0.18μm CMOS工艺栅极氧化膜可靠性的衬底和工艺依存性

用斜坡电压法(Voltage Ramp, V-ramp)评价了0.18μm双栅极 CMOS工艺栅极氧化膜击穿电量(Charge to Breakdown, Q_bd)和击穿电压(Voltage to Breakdown, V_bd). 研究结果表明，低压器件(1.8V)的栅极氧化膜(薄氧)p型衬底MOS电容和N型衬底电容的击穿电量值相差较小，而高压器件(3.3V)栅极氧化膜(厚氧)p衬底MOS电容和n衬底MOS电容的击穿电量值相差较大，击穿电压测试值也发现与击穿电量 关键词： 薄氧 可靠性 击穿电压 击穿电量     

LaB6在低压强氮气和氦气中的放电特性

 研究了LaB₆在1~10 Pa氮气和氦气中的直流和脉冲放电特性以及放电过程对电极的影响。结果表明，电极直径为5 mm的LaB6氦气放电管在脉冲工作状态下可以长期稳定放电。在脉冲电压为2.2 kV、脉冲宽度10 ms、频率13.3 Hz下，脉冲峰值放电电流超过120 A。氦气放电管在放电过程中，阴极表面有离子的清洗和活化作用，可以使电极的表面逸出功降低，提高放电管的发射能力和稳定性。LaB₆作为气体放电电极具有寿命长、延迟时间短、放电电流大等优点，可用于重复强流脉冲气体放电的高压高速开关器件。     

气体放电等离子体特性测量I-V曲线不对称性的研究

利用气体放电双探针法研究了等离子体的I-V曲线中的电流I相对于电压V轴交点的不对称性,并提出2种可能的解释:一认为是由于两探针表面积不同引起的;二认为是由于探针所在处等离子体电位不等引起的.本文利用仪器的工艺误差和调换放电管电压的方法,对提出的2种可能原因分别进行验证,并指出第二种解释的合理性,并对其进行了理论分析.