全文获取类型
收费全文 | 2887篇 |
免费 | 1884篇 |
国内免费 | 2060篇 |
专业分类
化学 | 2730篇 |
晶体学 | 634篇 |
力学 | 22篇 |
综合类 | 62篇 |
数学 | 7篇 |
物理学 | 3376篇 |
出版年
2024年 | 89篇 |
2023年 | 179篇 |
2022年 | 214篇 |
2021年 | 217篇 |
2020年 | 214篇 |
2019年 | 210篇 |
2018年 | 187篇 |
2017年 | 229篇 |
2016年 | 213篇 |
2015年 | 238篇 |
2014年 | 414篇 |
2013年 | 415篇 |
2012年 | 324篇 |
2011年 | 364篇 |
2010年 | 348篇 |
2009年 | 336篇 |
2008年 | 325篇 |
2007年 | 276篇 |
2006年 | 289篇 |
2005年 | 235篇 |
2004年 | 251篇 |
2003年 | 211篇 |
2002年 | 169篇 |
2001年 | 178篇 |
2000年 | 127篇 |
1999年 | 103篇 |
1998年 | 48篇 |
1997年 | 80篇 |
1996年 | 52篇 |
1995年 | 60篇 |
1994年 | 63篇 |
1993年 | 27篇 |
1992年 | 46篇 |
1991年 | 24篇 |
1990年 | 29篇 |
1989年 | 18篇 |
1988年 | 11篇 |
1987年 | 3篇 |
1986年 | 6篇 |
1985年 | 6篇 |
1984年 | 2篇 |
1959年 | 1篇 |
排序方式: 共有6831条查询结果,搜索用时 7 毫秒
1.
双掺(Tm3+,Tb3+)LiYF4激光器1.5 μm波长激光阈值分析 总被引:1,自引:0,他引:1
由速率方程推出了双掺(Tm^3 ,Tb^3 )离子准四能级系统的激光阈值解析式,讨论了Tm^3 和Tb^3 离子之间的相互作用。分析了1.5μm波长附近的激光阈值和Tm^3 、Tb^3 离子的掺杂原子数分数及晶体长度的关系。结果表明,对于对应Tm^3 离子^3H4→^3F4跃迁的约1.5μm波长的激光,激活离子Tm^3 的掺杂原子数分数过大时,交叉弛豫作用将使系统阈值迅速增加。Tb^3 离子的加入,一方面能抽空激光下能级,起到降低阈值的作用;另一方面亦减少了激光上能级的寿命,使阈值升高。故Tb^3 离子有最佳掺杂原子数分数。对于Tm原子数分数为y=0.01的Tm:LiYF4晶体,Tb^3 离子的最佳掺杂原子数分数为0.002左右,同时表明,激光阈值与晶体长度有关。最佳晶体长度与Tm^3 、Tb^3 离子的掺杂原子数分数以及晶体的衍射损耗和吸收损耗有关。 相似文献
3.
甲基紫掺杂聚乙烯醇薄膜材料在两束相干光照射下生成相位光栅.当改变一束相干光光程,通过监测相位光栅的一级衍射信号强度的变化,可以检测相位光栅的生长和擦除过程.在此实验基础上,讨论了甲基紫掺杂聚乙烯醇薄膜材料多重全息存储的原理与结果. 相似文献
4.
研究了不同比例的PVK与齐聚PPV衍生物DBVP掺杂体系的能量转移和发光特性.通过对PVK,DBVP及PVK:DBVP掺杂体系的UV-vis,PL和PLE光谱的研究,分析了PVK与DBVP之间的能量转移过程.利用PVK在体系中类似于溶剂的分散作用,制备了结构为ITO/PEDOT/PVK:DBVP/LiF/Al的电致发光器件,研究了掺杂体系的电致发光性能.结果表明,在掺杂体系的光致发光和电致发光中,PVK的发射被有效地抑制,PVK与DBVP之间发生了非常有效的能量转移,通过调节PVK与DBVP的比例,可以获得蓝色和绿色发光,同时可以改善器件的发光性能,当PVK与DBVP的重量比为1∶2时,器件的绿色发光效率达到1·06cd/A,此时发光亮度为52cd/m2. 相似文献
5.
报导了Yb :FAP和Yb :C3S2 _FAP晶体在不同温度下的吸收光谱和荧光光谱实验结果 ,研究发现由于电子_声子近共振耦合作用 ,Yb :FAP和Yb :C3S2 _FAP晶体均存在有明显的振动谱 ,Yb :FAP晶体的零声子线在低温下还劈裂为相差 10cm- 1 的两条线 .采用激光选择激发技术研究了Yb3 离子在FAP和C3S2 _FAP晶体中的格位特征 ,结果表明Yb3 离子在这两种基质中都只占据Ca(Ⅱ )格位 ,但由于CaF2 的挥发 ,导致了Ca(Ⅱ )格位的局部畸变 . 相似文献
6.
7.
8.
9.
采用固-液两相混合,使Nd2o3、Y2O3和V2O5在近常温条件下初步合成Nd:YVO4多晶原料,降低固相合成反应温度,减少V2O5在多晶原料制备过程中的挥发。讨论了α方向V单晶生长条件,采用提拉法,以(100)方向进行单晶生长,得到一系列掺杂浓度的Nd:YVO4单晶。 相似文献
10.
在半导体光催化剂中,TiO2具有光催化活性高、无毒和抗光腐蚀性好等优点,但纯TiO2光催化剂直接利用太阳光进行光催化氧化的效率较低,而利用贵金属元素和稀土元素等在TiO2中进行掺杂改性时,改性光催化反应必须在高压汞灯或紫外灯下进行,不符合节能原则。 相似文献