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2.
4.
以焦炉上升管内壁结焦炭层块为研究对象,采用X射线荧光光谱仪(XRF)、X射线衍射仪(XRD)、傅里叶红外光谱仪(FTIR)和激光共聚焦拉曼光谱仪(Raman)对结焦炭层的元素组成,以及各结焦炭层的矿物组成、组成结构和分子结构进行测试。分析从结焦炭层块外表面向内表面过渡的各结焦炭层的差异性,揭示焦炉上升管内壁结焦机理。结果表明焦炉上升管内粉尘中Fe,S和Cr极易催化荒煤气中蒽、萘等稠环芳烃化合物成炭,在焦炉上升管内壁形成炭颗粒沉积,为焦油凝结挂壁提供载体,在荒煤气温度降至结焦温度时易结焦积碳。结焦炭层均含有芳香层结构,随着结焦炭层从外表面向内表面过渡,各结焦炭层的面层间距(d002)逐渐降低、层片直径(La)先降低后增加、层片堆砌高度(Lc)和芳香层数(N)先稳定后增加。结焦炭层石墨化过程是由结焦炭层内表面向外表面进行,主要包括其片层外缘的羧基和部分C-O结构的降解剥离,从而形成高度规整的共轭结构。结焦炭层块中C元素是以结晶碳与无定型碳的混合物形式存在。以上研究为解决焦炉上升管内壁结焦及腐蚀问题,提高换热器换热效率,有效回收焦炉荒煤气显热,降低焦化企业能耗提供实验基础和理论依据。 相似文献
5.
量子多体问题或量子场论中有一类模型是可以精确求解的,这类模型称作量子可积模型.量子可积模型的主要特征是:系统的守恒量数目与系统自由度的数目相同(对于具有无限自由度的系统,守恒量的数目亦为无限),从而使系统的本征态、本征能谱及热力学量都可精确求得.自从1931年Bethe~[1]首次求得一维Heisenberg链的精确解后,许多一维量子多体物理模型或(1+1)维(一维空间加一维时间)量子场论模型都获得了精确解.这些精确解曾对于人们理解许多物理现象(如稀磁合金中的Kondo效应)起到了极为重要的作用.如何将这方面的理论推广到高维空间,即寻找并精… 相似文献
6.
HIRFL–CSR加速器中束流与真空中剩余气体的碰撞损失 总被引:1,自引:1,他引:0
研究了重离子加速器中束流与真空中剩余气体的碰撞损失过程和碰撞截面,在依据大量实验数据的基础上,提出了一组计算离子一原子的电荷交换截面的经验公式.以兰州重离子加速器HDRFL及冷却储存环CSR为例,给出了依据碰撞截面的公式计算束流在加速器真空中的传输效率的方法,并计算了在不同真空度下HIRFL的ECR源轴向注入束运线、注入器SFC、前束运线、主加速器SSC和后束运线等不同加速阶段及CSR的传输效率,并提出合理的真空度要求.HIRFL的真空分布测量和束流的损失测量证明了该计算方法的可靠性. 相似文献
7.
^241Am激发的能量色散X荧光在重稀土分离检测中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
建立了一种241Am作激发源,高纯锗作探测器的能量色散X射线荧光(EDXRF)快速分析方法,并离线分析了含Ho、Y、Er、Tm的重稀土分离过程中槽体盐酸盐水溶液的稀土组成。该方法除作了适当简化外,还优化选择了分析线,并引入吸收函数校正吸收。结果表明:该法在稀土浓度介于01~300g/L的范围内分析相对误差小于5%,能满足重稀土分离中在线分析的要求。 相似文献
8.
领头项相干态及其非经典性 总被引:10,自引:3,他引:7
为了从相干态的内部数态结构上去研究量子光场的性质,继截头相干态后,我们又引入一类量子光场态--领头项相干态│a,m〉,它们由Glauber相干态的数态展开式中止数态│m〉的前m+1个数态项构成。通过对这些量子态性质的研究,清楚地显示出相干态的各有关性质是怎样作为领头项相干态相应性质的极限而出现的,以及领头项相干态的非经典性是如何随着项数的增多而逐渐丧失的,这就给我们探索经典态与非经典态的转换条件提 相似文献
9.
用全实加关联方法计算了类锂Sc^+18离子1s^23d-1s^2nf(4≤n≤9)的跃迁能和1s^2nf(n≤9)态的精细结构,依据量子亏损理论确定了该Rydberg系列的量子数亏损,用这些作为能量的缓变函数的量子亏损。可以实现对任意高激发态(n≥10)的能量可靠的预言,利用在计算能量过程中确定的波函数,计算了Sc^+18离子1s^23d-1s^2nf的偶极跃迁在三种规范下振子强度;将这些分立态振子强度与量子亏损理论相结合,得到在电离阚附近束缚态,束缚态跃迁振子强度以及束缚态.连续态跌迁振子强度密度,从而将Sc^+18离子的这一重要光谱特性的理论预言外推到整个能域。 相似文献
10.
采用Agilent 81910A光子全参量测试仪,首次实验研究了InP/In1-xGaxAs1-yPy-MQW(Multiple-Quantum-Well,MQW)材料与衬底间因应力而产生的M-Z型光调制器的PDL影响以及由此引起的由差分群时延(Differential Group Delay,DGD)表征的偏振模色散(Polarization Mode Dispersion,PMD).研究结果表明,半导体MQW光调制器的PDL与DGD是一致的.因此在半导体光器件的制作过程中,应尽可能地减小衬底与波导芯层之间的因残存应力的存在造成对光器件的高速性能的不利影响. 相似文献