Generation of regular femtosecond pulses in AlGaInP semiconductor laser

It is shown experimentally that stable ~ 200 fs regular pulses and optical frequency comb spectrum containing ~ 70 discrete frequencies can be achieved using semiconductor injection laser working in the conditions of superfluorescence under dc pumping current, which is lower than the threshold of laser action.     

3 dB带宽达80 nm的双包层掺镱超荧光光纤光源

采用大模面积双包层掺镱光纤作为增益介质搭建了一台双程前向超荧光光纤光源,该光源的输出功率随泵浦源注入电流的增加基本呈线性增加,最大输出功率为341 mW。其独特的优势是现实了掺镱光纤最宽的超荧光输出,在输出功率从201～341 mW之间,超荧光光谱的3 dB带宽超过80 nm。其输出功率虽然不是很高,但是在一般情况下能够满足人们对超荧光的需求。从镱离子的能级结构和镱离子在石英基质中的吸收截面与发射截面出发,分析了能够得到最宽超荧光输出的物理原因。这台双包层掺镱超荧光光纤光源由于充分利用了镱离子在1 025和1 075 nm附近的超荧光辐射,因而能够得到3 dB带宽为80 nm的超荧光输出。     

用于光纤光栅制作的监控光源掺Yb3+超荧光光源的研究

根据石英中Yb³⁺发射光谱在1030 nm发射截面比1053 nm附近大得多而导致在1030 nm附近出现荧光峰值的特点,采用抑制1030 nm附近荧光峰值、提高1053 nm附近荧光输出的方法,在装置中使用反射圈对超荧光进行了研究,在82 mW泵浦功率下得到了19 mW的超荧光,其中1053 nm附近荧光输出达到-31.7 dBm. 用这种方法研制的超荧光能监控中心波长从1013 nm到1093 nm范围内、反射率从30 dB到60 dB所有光纤光栅的制作.