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介绍了在神光Ⅱ装置上开展的长脉冲2ns三倍频激光与黑腔靶相互作用的实验。报道了采用PIN探测器阵列测量大角度受激Raman散射（SRS）角分布和采用激光卡计对背向SRS光能量积分测量的实验结果。相同实验条件下激光辐照缝靶产生的SRS光能量要强于激光与全腔靶作用产生的SRS光，小腔靶的SRS光能量要强于标准腔靶。对比长脉冲2ns及短脉冲1ns激光打靶实验结果可以看出：由于激光功率密度的下降，长脉冲激光打靶时SRS散射光能量要弱于短脉冲激光打靶。长脉冲2ns激光与标准腔靶相互作用时，等离子体堵腔比较严重。     

票证防伪检测仪的研究

针对有价证券防伪技术需求，采用国际新型高分辨率Si-PIN探测器研制了票证防伪检测仪，配置了多功能的检测软件系统。应用实践表明：它具有无损、快速、操作简便的特点，长期稳定性0.45%，能量分辨率为203eV/MnKα，尤其它能够将显性加密和隐性加密有机结合，提供了大众识别性和专业识别性的技术条件，具有广泛实用性和安全性。     

高功率微波作用下限幅器尖峰泄漏特性

针对限幅器在高功率微波(HPM)作用下的尖峰泄漏问题,基于搭建的HPM注入实验平台和电路仿真开展了研究。研究结果表明:当注入功率超过6 dBm时,限幅器会出现尖峰泄漏现象,限幅器泄漏尖峰的上升沿与脉宽随着注入功率的增加而减小,而绝对尖峰泄漏功率随注入功率的增加呈增长趋势,平顶泄漏功率呈近似"线性增加-缓慢下降-小幅增长"趋势。并且,实验结果显示:HPM脉宽与重频对限幅器尖峰泄漏特性基本无影响,其泄漏特性变化规律与单次脉冲的基本一致;尖峰泄漏能量随注入功率的增加而降低。     

大功率限幅器的研制

介绍了一种L波段大功率限幅器的研制情况,该限幅器具有体积小、插入损耗小、输入承受功率高及限幅输出电平低等特点。文中给出了限幅二极管在高/低输入信号电平时的等效电路以及同轴滤波器的设计分析过程。实验测试结果表明,限幅器完全达到技术指标要求。     

基于SBS光限幅和金属酞菁光限幅相结合的复合型光限幅器的研究

为了使受激布里渊散射(SBS)光限幅器的输出能量更"平",提出了一种基于SBS光限幅和金属酞菁光限幅相结合的复合型光限幅器的方案,即SBS光限幅后边放置金属酞菁光限幅,在两种光限幅器的共同限幅作用下,使复合型光限幅器的输出光能量更"平". 数值模拟了该复合型光限幅器的输出光能量随入射光强度的变化曲线,并在Countinuum's Nd: YAG种子注入式激光器中进行了实验验证. 理论和实验结果均表明,复合型光限幅器的输出光能量比单独SBS光限幅器更"平". 关键词： 复合型光限幅器 SBS光限幅 金属酞菁限幅     

含有源频率选择表面可调复合吸波体

基于传输线等效理论,设计了含有源频率选择表面(active frequency selective surface,AFSS)的三层可调复合吸波体,第一层是表面层,为AFSS衬底;中间层是AFSS层,由频率选择表面(frequency selective surface,FSS)和PIN二极管阵列构成;第三层是介质层.反射率测量结果表明,通过调节PIN二极管阵列偏置电压可以动态调节吸波体反射特性,在偏置电压为5 V时,可获得最佳吸波性能,在5—15 GHz和5.3—13 GHz频段分别可获得-8 dB和- 关键词： 频率选择表面 复合吸波材料 反射率 PIN二极管     

Reverse current reduction of Ge photodiodes on Si without post-growth annealing

A new approach to reduce the reverse current of Ge pin photodiodes on Si is presented, in which an i-Si layer is inserted between Ge and top Si layers to reduce the electric field in the Ge layer. Without post- growth annealing, the reverse current density is reduced to -10 mA/cm^2 at -1 V, i.e., over one order of magnitude lower than that of the reference photodiode without i-Si layer. However, the responsivity of the photodiodes is not severely compromised. This lowered-reverse-current is explained by band-pinning at the i-Si/i-Ge interface. Barrier lowering mechanism induced by E-field is also discussed. The presented ＂non-thermal＂ approach to reduce reverse current should accelerate electronics-photonics convergence by using Oe on the Si complementary metal oxide semiconductor （CMOS） platform.     

氦氖激光纵模脉冲检测及其数据处理

在分析常用低噪声快速光电探测器的基础上,选择PIN光电二极管来探测氦氖激光纵模脉冲。通过合理设计降低前放电路的噪声,根据被测脉冲频率设计探测电路的带宽,达到提高信噪比的目的。同时在后端的数据处理中,根据激光脉冲的波形函数,利用曲线拟合的方法来进一步去除测量中的各种噪声,从而准确地了解脉冲的形状、相位等信息,大大地提高了在现有硬件设备条件下测量的准确性,减小了测量误差。     

被动光学限幅器的机制与研究进展

被动光学限幅器是利用介质的非线性光学性质实现对光的强度进行控制的器件,它在科研、军事和民用方面都具有广泛的应用.文章讨论了被动光学限幅器的反饱和吸收、双光子吸收、自由载流子吸收、非线性折射、光致散射和光折变机制,每种机制在光限幅器应用中的有效性及局限性;介绍了国内外研究状况及自己的工作;指出了今后被动光学限幅器研究的发展方向.