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1.
2.
Twenty-five years ago, we introduced the phenomenon of negative luminescence (NL) into semiconductor physics. This paper provides an overview of work conducted to develop this fundamental concept. Initially, we consider the first-principle approach to radiation interaction with basic matter and the major properties of NL. Then we describe the problems of NL direct measurements in homogeneous materials and structures. Finally, we emphasize the use of NL approach in applications involving devices for infrared (IR) wavelength (3–12 μm) high-temperature (300–400 K) optoelectronics. Our subjects will include NL IR emitting diodes, radiative coolers, IR dynamic scene simulators, light up-conversion devices, and the Stealth effect in IR. 相似文献
3.
将爆磁压缩等效为电流源的方法,对爆磁压缩发生器通过脉冲变压器对脉冲形成线充电进行了理论分析,得出爆磁压缩发生器在负载上产生电流波形(简称负载电流)为直线情况和任意电流波形情况下充电电流和充电电压的表达式。分析表明变压器耦合互感与负载电流随时间变化增长率是脉冲形成线充电的两个重要参数,脉冲形成线第一个充电电压峰值与变压器的耦合互感和负载电流波形斜率成正比,负载电流波形斜率的变化可以改变充电电压峰值的时间,斜率不断增加可以延长第一个充电电压峰值时间,从而可能增加充电电压的幅值,提高爆磁压缩发生器能量的利用效率。 相似文献
4.
Fe2(CO)6(μ-S2) was used as a single source precursor in attempt to produce FeS film via MOCVD. Pyrolysis of Fe2(CO)6(μ-S2) at temperature below 500℃ produced Fe1-xS or Fe7S8 powder as indicated by its powder X-ray spectra. At 750 ℃, polycrystalline FeS powder was obtained. In film deposition, polycrystalline Fe1-xS or Fe7Ss films were obtained on Si(100) and Ag/Si(100) substrates below 500 ℃. SEM micrographs showed the film on Si(100) substrate containing whisker like grains. However, pillar like grains were obtained on Ag/Si(100) substrate.Deposition rates are also different for different substrates as evaluated by the thickness of the films, which were obtained by SEM micrographs of the cross section of the films. At 750℃, similar polycrystalline Fe1-xS or Fe7S8 film was obtained. 相似文献
5.
6.
7.
The electronic states of the Cr overlayers on TiO2(0 0 1) surfaces have been investigated using angle-resolved and resonant photoemission spectroscopy with synchrotron radiation. At lower coverages, Cr deposition on TiO2(0 0 1) creates two well separated in-gap emissions due to the formation of surface Ti3+ (3d1) ions and Cr3+ (3d3) ions. At higher coverages, the in-gap emission is developed into the 2-peak-structure emission of Cr 3d character. The corresponding state is considered to be of metallic nature from the viewpoint of the high ability of oxygen adsorption, but has no Fermi edge, indicating a possibility of forming small Cr clusters on TiO2(0 0 1) at this stage. 相似文献
8.
介绍F-P干涉滤波器实现中心波长可调的两种机理,给出通过改变腔距来改变中心波工的滤波器的典型结构,并且给出了相应的电压驱动电路,实验表明选择合适的光放大器前置滤波器可以提高系统的灵敏度。 相似文献
9.
本文对星载光学系统遮光罩消杂光结构的优化设计做了初步探讨。提出了遮光罩和挡光环消杂光设计的基本原则。给出了一种二级遮光罩结构寸的优化设计方法和一种遮光罩内壁上挡光环位置优化设计方法,并对一级和二级遮光罩进行了初步的分析比较。 相似文献
10.