全文获取类型
收费全文 | 5361篇 |
免费 | 2523篇 |
国内免费 | 861篇 |
专业分类
化学 | 1231篇 |
晶体学 | 1934篇 |
力学 | 189篇 |
综合类 | 52篇 |
数学 | 54篇 |
物理学 | 5285篇 |
出版年
2024年 | 20篇 |
2023年 | 102篇 |
2022年 | 149篇 |
2021年 | 141篇 |
2020年 | 128篇 |
2019年 | 115篇 |
2018年 | 88篇 |
2017年 | 131篇 |
2016年 | 164篇 |
2015年 | 198篇 |
2014年 | 495篇 |
2013年 | 326篇 |
2012年 | 416篇 |
2011年 | 397篇 |
2010年 | 420篇 |
2009年 | 476篇 |
2008年 | 536篇 |
2007年 | 442篇 |
2006年 | 456篇 |
2005年 | 412篇 |
2004年 | 405篇 |
2003年 | 333篇 |
2002年 | 317篇 |
2001年 | 216篇 |
2000年 | 158篇 |
1999年 | 185篇 |
1998年 | 146篇 |
1997年 | 295篇 |
1996年 | 152篇 |
1995年 | 141篇 |
1994年 | 110篇 |
1993年 | 136篇 |
1992年 | 134篇 |
1991年 | 116篇 |
1990年 | 140篇 |
1989年 | 105篇 |
1988年 | 14篇 |
1987年 | 13篇 |
1986年 | 4篇 |
1985年 | 4篇 |
1984年 | 4篇 |
1983年 | 4篇 |
1979年 | 1篇 |
排序方式: 共有8745条查询结果,搜索用时 31 毫秒
1.
双掺(Tm3+,Tb3+)LiYF4激光器1.5 μm波长激光阈值分析 总被引:1,自引:0,他引:1
由速率方程推出了双掺(Tm^3 ,Tb^3 )离子准四能级系统的激光阈值解析式,讨论了Tm^3 和Tb^3 离子之间的相互作用。分析了1.5μm波长附近的激光阈值和Tm^3 、Tb^3 离子的掺杂原子数分数及晶体长度的关系。结果表明,对于对应Tm^3 离子^3H4→^3F4跃迁的约1.5μm波长的激光,激活离子Tm^3 的掺杂原子数分数过大时,交叉弛豫作用将使系统阈值迅速增加。Tb^3 离子的加入,一方面能抽空激光下能级,起到降低阈值的作用;另一方面亦减少了激光上能级的寿命,使阈值升高。故Tb^3 离子有最佳掺杂原子数分数。对于Tm原子数分数为y=0.01的Tm:LiYF4晶体,Tb^3 离子的最佳掺杂原子数分数为0.002左右,同时表明,激光阈值与晶体长度有关。最佳晶体长度与Tm^3 、Tb^3 离子的掺杂原子数分数以及晶体的衍射损耗和吸收损耗有关。 相似文献
2.
3.
4.
5.
6.
7.
许多实验对用CsI(Tl)闪烁晶体作为探测器来寻找和探测暗物质的可行性进行了研究.本工作利用8MeV单能中子轰击CsI(Tl)晶体探测器来研究Cs核和I核的QuenchingFactor.在数据处理中,运用脉冲形状甄别(PSD)方法来分辨反冲核信号和本底信号.实验结果表明,在7keV到132keV的能区中,Quench ingFactor随着反冲核能量的减少而增加.在探测暗物质的实验中,这一性质对于CsI(Tl)晶体探测器获得较低的能量阈值是很有利的. 相似文献
8.
21世纪最具潜力的新型带隙材料——声子晶体 总被引:1,自引:0,他引:1
半导体发展中遇到的极大障碍,使许多研究人员开始研究光子晶体。然而,声子晶体比光子晶体具有更丰富的物理内涵,它是一种新型声学功能带隙材料。研究声子晶体的重要意义在于其广阔的应用前景,而且在研究过程中,还可能发现新现象和新规律,进而促进物理学的发展。一、什么是声子晶体声子晶体的概念诞生于20世纪90年代,是仿照光子晶体的概念而命名的。我们都知道,具有光子禁带的周期性电介质结构功能材料称为光子晶体,光子能量落在光子禁带中的光波将被禁止,不能在光子晶体中传播。通过对光子晶体周期结构及其缺陷进行设计,可以人为地调控光子… 相似文献
9.
10.
采用石墨电阻加热的温梯法生长了V:YAG晶体,晶体的不同部位呈现两种不同的颜色:浅绿色和黄褐色.通过对比分析不同颜色V:YAG晶体的室温吸收光谱,推断出石墨发热体高温下扩散出来的C可以起到还原作用,提高晶体中V3+tetra离子的浓度,同时诱导了F心的形成.在1300℃下,对不同颜色的V:YAG晶体进行真空退火处理,发现处于八面体格位中的V3+离子在热激发作用下与近邻的四面体格位Al3+离子存在置换反应,由此产生一定浓度的四面体格位V3+离子.同时,F心在退火过程中被完全消除,释放出来的自由电子被高价态的V离子俘获,可以进一步提高晶体中四面体格位V3+离子的浓度. 相似文献