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1.
利用锂喹啉配合物(8-hydroxy-quinolinato lithium,Liq)作电子注入层,制备了结构为氧化铟锡/锂喹啉配合物铝{ITO(indium tin oxidc) TPD(N,N′-di-phenyl-N,N′-bis(3-mmethylphenyl)-l.l′biphenyl-4,4′diamine)/Alq3[tris-8-hydroxy-quinolinato)aluminum] Liq AI的电致发光器件。通过改变电子注入层Liq的厚度,考查了Liq厚度对器件电致发光效率及电流密度-电压关系的影响。实验表明Liq厚度大约为0.5nm左右时器件的性能最佳、电致发光效率约为没有Liq器件效率的5倍,而定电流下的工作电压最低,其原因可归于Liq在金属铝电极与有机层Alqs之间产生偶极层,使铝与有机层间的界面接近欧姆接触,从而使电子注入效率大幅提高;随着Liq厚度的增加,器件的电致发光效率降低,而定电流下的工作电压升高,与同类型以LiF作注入层的器件相比,这种器件性能受厚度影响而变化的趋势是类似的,但以Liq作注入层的器件具有较低的厚度敏感性,这是由于LiF为绝缘体,而Liq为半导体的缘故。Liq作注入层器件的这种对注入层厚度的不敏感性对批量生产中所用的大尺寸基底来说是非常有利的。  相似文献   
2.
The electronic structure of aluminum tris-8-hydroxyquinoline (Alq3) and 8-hydroquinolatolithium (Liq) was investigated using a combination of X-ray emission spectroscopy (XES), X-ray absorption spectroscopy (XAS), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), and spectral simulation with density functional theory. The chemical bonding states of Alq3 and Liq were analyzed using XPS core-level spectra. The band gaps of Alq3 and Liq were measured by combining the XAS and XES results. Additionally, resonant and non-resonant XES were used to measure the density of states for O sites in the molecules.  相似文献   
3.
8-羟基喹啉金属配合物的制备与提纯   总被引:1,自引:0,他引:1  
对以8-羟基喹啉为配位体的金属配合物合成过程中几个重要的影响因素进行研究,发现反应溶液的浓度、合成反应的时间、反应体系的pH值、反应温度等因素对8-羟基喹啉金属配合物的产率以及发光性能有很大的影响.结果表明:当8-羟基喹啉乙醇溶液浓度为80 g/L,反应体系pH值为7.14,温度为70 ℃,反应时间为3 h时,Alq3的产率最高;反应体系pH值为10,温度为50 ℃,反应时间为1 h,Liq的产率最高;pH值为8,温度为70 ℃,反应时间为1 h,Znq2的产率最高.  相似文献   
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