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1.
In this paper, a silicon-based integrated optic pressure sensor using an intermodal interference between the fundamental TM-like and TE-like modes is described. The sensor consists of a micromachined rectangular diaphragm and a straight polystyrene optical waveguide passing over the diaphragm. Its sensitivity is theoretically known to be strongly dependent on the position of the waveguide over the diaphragm. To experimentally investigate such dependence, we fabricated a sensor with a 1.2 mm ×10 mm ×20 μm diaphragm, over which waveguides were placed at 50 μm intervals. The measured phase sensitivity was 98 mrad/kPa for the waveguide nearest to the diaphragm edge. The measurement was also carried out for the other waveguides. As theoretically expected, the largest sensitivity was obtained for the waveguide nearest to the edge.  相似文献   
2.
Multi-quantum well heterostructures (MQWHs) of the novel Ga(NAsP)/GaP material system have been grown, pseudomorphically strained to GaP-substrate. The crystalline perfection is verified by transmission electron microscopy (TEM). For As-concentrations in excess of about 70%, a direct band structure and adequate luminescence efficiency for laser device application is observed. Temperature-dependent photoluminescence (PL) investigations show the influence of carrier localisation and non-radiative recombination processes typical for dilute nitride materials. With rising N content in the active material, the emission wavelength shifts towards longer wavelength, leading to Ga(NAs)/GaP MQW structures with photon energies below the indirect band gap of silicon (Si). At the same time the luminescence intensity drops due to an increase in non-radiative carrier traps and/or structural degradation.  相似文献   
3.
利用最大值原理结合上、下解的方法,讨论了一类具有扩散的竞争-捕食的Lotka-Volterra系统静态解的存在性与持续生存。  相似文献   
4.
In this paper we describe two different kind of optoelectronic devices both based on a three terminals active device and exploit the plasma dispersion effect to achieve the desired working. The first device exploits this effect in order to obtain an optical modulation. The second device is an optoelectronic router based on the mode-mixing principle together with the injection-induced optical phase shift. Both devices are integrated into a Silicon on Silicon optical channel waveguide which can be realized using a standard bipolar process. The possibility of using standard, well-known technology presents several advantages with respect to III–V Optoelectronics. The active three terminal device used is a Bipolar Mode Field Effect Transistor (BMFET). Numerical simulation results are presented on both devices.  相似文献   
5.
在国家863CIMS目标产品CAPPFramework系统的基础上,研究了面向对象的信息建模技术、信息模型驱动的所见即所得工艺设计技术、工作流技术.并在此基础上进行集成化、智能化计算机辅助工艺设计(CAPP)的应用与开发,实现了工艺设计的自动化,基本达到了在信息集成基础上的工艺设计与工艺信息管理一体化的目的,对企业的CAPP实施具有一定的参考价值.  相似文献   
6.
In this paper we consider systems of quasilinear elliptic variational inequalities, and prove the existence of minimal and maximal (in the set theoretical sense) solutions within some ordered interval of an appropriately defined pair of sub- and supersolutions. We show that the notion of sub- and supersolutions of variational inequalities introduced here is consistent with the usual notion of sub-supersolutions for (variational) equations. For weakly coupled quasimonotone systems of variational inequalities the existence of smallest and greatest solutions is proved.  相似文献   
7.
用楔形柱面光纤微透镜耦合的1.3μm SOA组件   总被引:6,自引:3,他引:3  
孔小健  黄德修  刘德明  梅进杰 《光子学报》2003,32(10):1201-1203
运用激光模式耦合理论分析了半导体光放大器(SOA)与单模通信光纤的连接损耗,并设计制作了楔形柱面光纤微透镜用来实现两者的模斑匹配,有效地降低了器件的光耦合损耗.本文介绍了楔形柱面光纤微透镜耦合的1.3 μm半导体光放大器(SOA)组件及其制作方法.该组件的最大增益不小于14 dB,其偏振灵敏度小于1 dB,增益波动不大于0.5 dB.  相似文献   
8.
This paper gives a p-adic analogue of the Mackey theory, which relates representations of a group of type G - H × t A to systems of imprimitivity.  相似文献   
9.
In this paper we prove existence results for semilinear neutral functional differential inclusions with finite or infinite delay in Banach spaces. Our theory makes use of analytic semigroups and fractional powers of closed operators, integrated semigroups and cosine families.   相似文献   
10.
NO-2-I-体系双波长紫外分光光度法测定痕量亚硝酸根   总被引:2,自引:0,他引:2  
在稀盐酸介质中,亚硝酸根氧化碘化钾的反应产物I-3在288nm和352nm处有两个强吸收峰.基于此建立了双波长紫外分光光度法测定痕量NO-2的新方法.该法简便、快速、选择性好,线性范围为0-0.4μg/mL,检出限为3.4×10-9g/mL.用于河水、井水、矿泉水中亚硝酸根的测定,结果令人满意.  相似文献   
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