首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   13篇
  免费   17篇
  国内免费   2篇
化学   1篇
数学   1篇
物理学   30篇
  2022年   1篇
  2019年   3篇
  2018年   1篇
  2017年   2篇
  2016年   1篇
  2015年   2篇
  2012年   4篇
  2011年   2篇
  2010年   3篇
  2008年   2篇
  2007年   1篇
  2005年   2篇
  2003年   3篇
  2002年   4篇
  1995年   1篇
排序方式: 共有32条查询结果,搜索用时 343 毫秒
1.
贝克曼Allegra^TM 21R型超高速离心机开机后,操作面板上出现错误代码“28”,离心机不旋转。离心机的电机采用无刷感应驱动,由电机驱动电源模块BSMl0GD60DN2驱动离心机的电机。故障是由于电源模块BSMl0GD60DN2损坏引起的。采用东芝三相桥式IGBT电源模块MG25Q6ES42代替BSMl0GD60DN2,并更换已烧毁的栅极电阻后。开机试验,仪器恢复正常。  相似文献   
2.
为回旋行波管设计了全固态近方波Marx高压脉冲调制器,设计参数:输出电压70kV,输出电流15A,工作频率0~2kHz可调,脉宽200μs可调,功率容量可以达到百kW级。设计利用串联IGBT作为控制开关,利用FPGA通过光纤传输的方式对IGBT进行逻辑控制、电路保护和监测,补偿单元利用FPGA控制IGBT自动补偿的方式对顶部压降进行补偿,使得输出电压平顶度达到±1%。对电路各个部分进行仿真及测试。结果验证此设计方案的可行性,可以提高回旋管电源的稳定性和工作频率,减小调制器体积及维护成本,并为高压测试提供了实验基础。  相似文献   
3.
绝缘栅双极晶体管固体开关技术研究   总被引:11,自引:8,他引:3       下载免费PDF全文
 采用二只1.2kV,75A的绝缘栅双极晶体管(IGBT)串联,对用于加速器的IGBT固体开关技术进行了研究;通过采取动态电压和静态电压平衡措施来解决IGBT串联中的瞬态电压平衡问题。在不同工作条件下,串联IGBT开关工作性能稳定,重复性好。在纯阻性负载上得到了上升时间约300ns、下降时间约164μs、峰值电压1.8kV的输出。  相似文献   
4.
大功率固态调制器的仿真研究   总被引:5,自引:3,他引:2       下载免费PDF全文
 设计了大功率固态调制器的新型固态脉冲开关模块。通过分析电力电子仿真软件Saber中绝缘栅双极晶体管(IGBT)物理模型的概念和等效电路,结合实验数据建立了IXDH20N120型IGBT的模型,研究了Saber环境下,不同参数条件和拓扑结构对调制器电路输出特性的影响。仿真结果表明:动态均压网络在有效地保护开关的同时,可以减少IGBT的开关损耗;电路中器件离散性与系统分布参数会造成调制器输出波形质量下降,效率降低。并对调制器在负载打火情况下,因严重不均流而损坏器件故障的机理作了分析,实验证明仿真结果和分析与实际相符。  相似文献   
5.
朱晓光  张政权  刘庆想  刘猛  王庆峰 《强激光与粒子束》2018,30(1):015001-1-015001-5
根据绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的工作特性,研究设计了一种应用于脉冲功率系统的开关驱动电路,实现了IGBT的快速开通。阐述了驱动电路的原理,设计了基于平面变压器的驱动电路,在驱动芯片基础上为栅极提供幅值为60 V脉冲电压,提高开关速度。最后使用Blumlein双线结构对驱动电路的性能进行了实验验证。应用这种驱动方式,提高了集电极电流上升速率。实验结果表明,在1000 V的工作电压下,通过IGBT的脉冲电流达到了470.53 A,脉冲前沿为40 ns,di/dt达到9.41 A/ns,相比数据手册提供的数据,该电流上升速度提高了7.53倍,实现了对IGBT的快速驱动。  相似文献   
6.
HighPowerPulsedLaserPowerSupplyBasedonIGBTWANGXueli;YUYizhong;ZHANGRui;WuFeng;YAOJianquan(PrecisionInstrumentDepartment,Tianj...  相似文献   
7.
研究表明,半导体材料在低温环境下性能可以得到很大改善.功率MOSFET低温下的优异特性已被深入揭示.本文研究了NPT型IGBT在77~300K之间的特性,实验表明,低温下NPT型IGBT的通态压降。开关损耗都有明显下降,关断拖尾现象也得到明显改善。而门槛电压略有上升.在此基础上。分析了其低温特性的物理机制以及在超导领域的潜在应用.  相似文献   
8.
研究表明,半导体材料在低温环境下性能可以得到很大改善.功率MOSFET低温下的优异特性已被深入揭示.本文研究了NPT型IGBT在77~300K之间的特性,实验表明,低温下NPT型IGBT的通态压降,开关损耗都有明显下降,关断拖尾现象也得到明显改善,而门槛电压略有上升.在此基础上,分析了其低温特性的物理机制以及在超导领域的潜在应用.  相似文献   
9.
 基于单元器件的成功研制,介绍了Marx调制器单元充放电回路、电压和电流的实时监测以及控制系统和连锁保护等功能的设计和实现。对IGBT固态开关的静态、动态均压进行分析和模拟,采用RCD缓冲电路实现IGBT的动态均压;对控制系统改进和优化,设计了专用电源转换模块;分压电路和电流霍尔采样回路分别实现调制器单元电压和电流的检测;连锁保护功能由控制系统和继电器控制完成。所有部件按照电气标准设计在调制器单元支架上。经过测试的4个单元进行了叠加试验,4个单元总输出24 kV,各器件在高压试验中工作正常。  相似文献   
10.
为了稳定可靠地触发CO2激光器旋转火花开关,设计了一套高压脉冲触发系统并且提出了一种新型的绝缘栅双极晶体管(IGBT)驱动与保护方法。根据CO2激光器中旋转火花开关的触发结构,应用复杂可编程逻辑器件(CPLD)芯片EPM3512开发了可以输出100~500 Hz重频脉冲信号以及单次脉冲信号的触发信号源;应用光耦HCPL-3120设计了具有过流、过压保护功能兼有电磁兼容(EMC)设计的IGBT驱动电路;对高压脉冲变压器进行建模并通过PSPICE软件仿真;搭建了实验平台,进行了联机性能测试。实验结果表明:在500 Hz的重复频率下,高压脉冲触发系统可连续稳定地输出高于38 kV的高压重频脉冲,基本满足CO2激光器的旋转火花开关稳定可靠触发的要求。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号