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1.
3.
4.
1问题提出高中数学课程引入空间向量内容后,使很多原本需要进行推理演化的立体几何问题的求解“代数化”、“程序化”了,以往的一些立体几何的“难题”变得“简单”了.有老师认为,立体几何内容在培养学生直观想象、逻辑推理核心素养的育人价值减弱了.在教学中,不难发现即便有空间向量作为解决立体几何问题的有力工具,学生在解决立体几何问题时依然会存在各式各样的“错误”. 相似文献
5.
本文采用脉冲激光沉积方法在LaAlO3(001)单晶衬底上制备了反钙钛矿GaCMn3薄膜,通过控制制备过程中脉冲激光的能量,研究了不同激光能量条件对GaCMn3薄膜结构与物理性能的影响.分别利用X射线衍射仪、原子力显微镜、超导量子干涉仪和物理性能测试系统,对所制备的薄膜的晶体结构、表面形貌和磁性、电输运性质进行了研究.结果表明,制备的样品均为具有多个晶面取向的反钙钛矿薄膜,且薄膜结构和物性明显随制备激光能量的变化而变化.当激光能量为450mJ时,制备的薄膜多晶面取向性最弱,结晶性和表面形貌最优良.实验所得的薄膜均表现出顺磁-铁磁-反铁磁相转变,然而转变过程比块材较平缓,同时薄膜的电阻率并未表现出块材中的突变特征,我们推测该现象很可能是由衬底的应力及衬底的晶格膨胀对薄膜反常晶格变化的抑制作用造成的. 相似文献
6.
双掺(Tm3+,Tb3+)LiYF4激光器1.5 μm波长激光阈值分析 总被引:1,自引:0,他引:1
由速率方程推出了双掺(Tm^3 ,Tb^3 )离子准四能级系统的激光阈值解析式,讨论了Tm^3 和Tb^3 离子之间的相互作用。分析了1.5μm波长附近的激光阈值和Tm^3 、Tb^3 离子的掺杂原子数分数及晶体长度的关系。结果表明,对于对应Tm^3 离子^3H4→^3F4跃迁的约1.5μm波长的激光,激活离子Tm^3 的掺杂原子数分数过大时,交叉弛豫作用将使系统阈值迅速增加。Tb^3 离子的加入,一方面能抽空激光下能级,起到降低阈值的作用;另一方面亦减少了激光上能级的寿命,使阈值升高。故Tb^3 离子有最佳掺杂原子数分数。对于Tm原子数分数为y=0.01的Tm:LiYF4晶体,Tb^3 离子的最佳掺杂原子数分数为0.002左右,同时表明,激光阈值与晶体长度有关。最佳晶体长度与Tm^3 、Tb^3 离子的掺杂原子数分数以及晶体的衍射损耗和吸收损耗有关。 相似文献
7.
全面核禁试条约第三届全球次声监测工作研讨会于1997年8月25至28日在美国新墨西哥州西班牙式的古城圣菲举行.会议云集了中国、美国、法国、俄罗斯、阿根廷、澳大利亚等5大洲12个国家61位活跃在次声学科领域的研究人员、政府官员以及联合国临时技术秘书等要员,围绕着全球次声监测中的7个专题进行报告和讨论,它们依次为:欢声阵的设计和信号处理,次声阵性能和减噪设备;法国欢声监测系统,国际次声监测系统60个站网的能力模型,对流层风对长距离次声传播的影响,高空风对次声同性能的影响,渗透管的特性以及对次声监测的减噪作用,欢声减噪器;爆炸检测,声遥感技术对爆炸源能量的估计,小当量地下,地面和近地面爆炸远距离声传 相似文献
8.
以MgO:LiNbO3为非线性光学介质,通过采用一种高性能腔反射镜实现了一种85mm短腔长的法布里-珀罗式的光学参量振荡器,产生THz电磁波的实验结果.这种短腔长THz参量振荡器比传统的160mm腔长的振荡阈值降低了22.3%;峰值能量提高了170%;频率调谐范围从0.5—2.4THz提高到0.8—3.1THz.还报道了一种基于平面金属丝网的法布里-珀罗干涉仪测量THz波线宽的实验结果.
关键词:
THz电磁波
OPO
非线性光学
3')" href="#">LiNbO3 相似文献
9.
采用化学自燃烧法制备了不同Ag+掺杂浓度的Y2O3:Eu纳米晶体粉末样品([Y3+]∶[Eu3+]∶[Ag+]=99∶1∶X,X=0—3.5×10-2),以及通过退火处理得到了相应的体材料.根据X射线衍射谱确定所得纳米和体材料样品均为纯立方相.实验表明在纳米尺寸样品中随着Ag离子浓度的增加,荧光发射强度随之增加,当X=2×10-2时达到最大值,其发光强度比X=0时提高了近50%.当Ag离子浓度继续增加,样品发光强度保持不变.在相应的体材料样品中则没有观察到此现象.通过对各样品的发射光谱,激发光谱,X射线衍射图谱,透射电镜(TEM)照片和荧光衰减曲线的研究,分析了引起纳米样品荧光强度变化的原因是由于Ag离子与表面悬键氧结合,从而使这一无辐射通道阻断,使发光中心Eu3+的量子效率提高;Ag+的引入所带来的另一个效应是使激发更为有效.这两方面原因使发光效率得到了提高. 相似文献
10.
用粉末冶金方法制备了6066Al合金和不同SiCp含量的6066Al/SiCp复合材料,用多功能内耗仪在200~600 K温度区间内测试了所研究材料在升温过程中的内耗变化趋势,探讨了6066 Al /SiCp复合材料在不同温度区间的内耗机制.结果表明6066Al/SiCp的内耗值比6066Al合金内耗值高,特别是在高温阶段比6066Al合金内耗值高得多;6066Al/SiCp和6066Al合金在300~470 K时的内耗主要是位错与第二相颗粒交互作用引起的位错内耗,在高温下内耗主要由Al/Al、Al/SiC的界面微滑移引起. 相似文献