ESTIMATING EXTREME-VALUE INDEX FROM RECORDS

1.IntroductionLet{X.,n21}beasequenceoflidry'swithanondegeneratedistributionfunctionF(x).Supposethereexistsomeconstantsan>0,b.6RandsomeacERsuchthatwhereG.standsforoneoftheextremevaluedistributions:Heretheindex7ERisarealparameter(interpret(1 box)--'/ryase--"for7~0).Theestimationoftheextreme-valueindex7isveryimportantbothintheextremevaluetheoryandinpractice.Manystatistics,suchasHillestimator(forcaseac>0),PickandsestimatorandDekkers-EinmahLdeHaan'smomentestimatorwhicharebasedonafinitesample,…     

幅相一致行波管高频电路CAD研究

 在行波管的设计和装配过程中，各部件的尺寸必须严格控制，高频电路参数的离散对行波管色散特性有极大的影响。使用螺旋导电面模型，模拟计算了高频结构各主要参数离散对色散特性和轴向互作用耦合阻抗的影响。分析计算了夹持杆宽度、翼片高度、螺旋线平均半径、螺距、夹持杆介电常数等离散时对色散特性和轴向互作用耦合阻抗的影响，为新型幅相一致行波管的设计和生产提供了很有价值的参考建议。     

甲基紫掺杂聚乙烯醇薄膜材料红光多重全息存储

甲基紫掺杂聚乙烯醇薄膜材料在两束相干光照射下生成相位光栅.当改变一束相干光光程,通过监测相位光栅的一级衍射信号强度的变化,可以检测相位光栅的生长和擦除过程.在此实验基础上,讨论了甲基紫掺杂聚乙烯醇薄膜材料多重全息存储的原理与结果.     

横向射流式单重态氧发生器的性能实验研究

 对氧碘化学激光器的单重态氧发生器（SOG）进行了改进，采用横向射流方式，并对该横向射流式单重态氧发生器的性能进行了检测。实验中过氧化氢碱溶液温度控制在－16℃左右,氯气流量为530mmol/s，He与氯气的流量比为3;采用PS法测量单重态氧分子的产率,吸收法测量氯气的利用率和相对水含量。得出如下结论:在不使用冷阱和分离器的情况下，最高单重态氧分子产率达到58%, 氯气利用率在80%以上,相对水含量小于等于0.5;气体达到最大流量时,发生器仍然能稳定地工作。     

与q形变玻色算符逆算符相关的相干态及其量子统计性质

讨论了ｑ形变玻色算符的广义逆算符作用于ｑ－相干态所得到的两类量子态的数学及量子统计性质。结果表明，ｑ－相干态的光子激发态不存在压缩但呈现反聚束效应，而ｑ－相干态的光子湮灭态却存在压缩但不呈现反聚束效应。     

Estimating the Scale Parameter of a Lévy-stable Distribution via the Extreme Value Approach

The characteristic exponent α of a Lévy-stable law S _α (σ, β, μ) was thoroughly studied as the extreme value index of a heavy tailed distribution. For 1 < α < 2, Peng (Statist. Probab. Lett. 52: 255–264, 2001) has proposed, via the extreme value approach, an asymptotically normal estimator for the location parameter μ. In this paper, we derive by the same approach, an estimator for the scale parameter σ and we discuss its limiting behavior.      

Ultra <Emphasis Type="Italic">LI</Emphasis>-ideals in lattice implication algebras and <Emphasis Type="Italic">MTL</Emphasis>-algebras

A mistake concerning the ultra LI-ideal of a lattice implication algebra is pointed out, and some new sufficient and necessary conditions for an LI-ideal to be an ultra LI-ideal are given. Moreover, the notion of an LI-ideal is extended to MTL-algebras, the notions of a (prime, ultra, obstinate, Boolean) LI-ideal and an ILI-ideal of an MTL-algebra are introduced, some important examples are given, and the following notions are proved to be equivalent in MTL-algebra: (1) prime proper LI-ideal and Boolean LI-ideal, (2) prime proper LI-ideal and ILI-ideal, (3) proper obstinate LI-ideal, (4) ultra LI-ideal. This work was supported by the Zhejiang Provincial Natural Science Foundation of China (Grant No. Y605389) and K. C. Wong Magna Fund in Ningbo University.     

0.18μm CMOS工艺栅极氧化膜可靠性的衬底和工艺依存性

用斜坡电压法(Voltage Ramp, V-ramp)评价了0.18μm双栅极 CMOS工艺栅极氧化膜击穿电量(Charge to Breakdown, Q_bd)和击穿电压(Voltage to Breakdown, V_bd). 研究结果表明，低压器件(1.8V)的栅极氧化膜(薄氧)p型衬底MOS电容和N型衬底电容的击穿电量值相差较小，而高压器件(3.3V)栅极氧化膜(厚氧)p衬底MOS电容和n衬底MOS电容的击穿电量值相差较大，击穿电压测试值也发现与击穿电量 关键词： 薄氧 可靠性 击穿电压 击穿电量     

基于单纯形方法的双层线性规划全局优化算法

通过分析双层线性规划可行域的结构特征和全局最优解在约束域的极点上达到这一特性,对单纯形方法中进基变量的选取法则进行适当修改后,给出了一个求解双层线性规划局部最优解方法,然后引进上层目标函数对应的一种割平面约束来修正当前局部最优解,直到求得双层线性规划的全局最优解.提出的算法具有全局收敛性,并通过算例说明了算法的求解过程.