SiOx纳米管的制备及其发光特性

以液态金属镓为媒介,利用热蒸发法合成大量非晶SiOx纳米管,这些纳米管管径均匀分布,平均约80 nm,长度大于10μm,且管内外径比例较小．分析发现,在实验过程中,熔入金属镓液滴中的硅元素和氧元素结合并从液滴的表面饱和析出,形成以镓为中心的非晶SiOx纳米管状结构．在室温中,利用260 nm的激发光源激发SiOx纳米管,发现在蓝光波段附近发出强而稳定的PL谱线,这可能与样品中的氧缺陷和空位有关．     

CNx纳米管的制备、结构观察及低场致电子发射性能研究

采用高温热解法，以乙二胺为前驱液，在沉积有铁催化剂的p型硅（111）基底上制备出了定向生长的CNx纳米管.利用扫描电子显微镜、高分辨率透射电子显微镜和拉曼光谱对CNx纳米管进行了形貌观察和表征.CNx纳米管的高度在20?μm左右，直径在50—100nm之间，具有明显的“竹节状”结构，结晶有序度较差.对CNx纳米管薄膜进行低场致发射性能测试：外加电场为1.4V/μm，观察到20?μA /cm2发射电流，外电场升至2.54V/μm时发射电流达到1.280mA/cm2，在较高外电场下，没有发现电流“饱和”.这比 关键词： CNx纳米管 高温热解 “竹节状”结构 场致发射     

CNx纳米管的制备、结构观察及低场致电子发射性能研究

采用高温热解法 ,以乙二胺为前驱液 ,在沉积有铁催化剂的p型硅 (1 1 1 )基底上制备出了定向生长的CNx 纳米管 .利用扫描电子显微镜、高分辨率透射电子显微镜和拉曼光谱对CNx 纳米管进行了形貌观察和表征 .CNx 纳米管的高度在 2 0 μm左右 ,直径在 5 0— 1 0 0nm之间 ,具有明显的“竹节状”结构 ,结晶有序度较差 .对CNx 纳米管薄膜进行低场致发射性能测试 :外加电场为 1 4V μm ,观察到 2 0 μA cm2 发射电流 ,外电场升至 2 5 4V μm时发射电流达到1 2 80mA cm2 ,在较高外电场下 ,没有发现电流“饱和” .这比相同实验条件下改变前驱液制备出的碳纳米管和硼碳氮纳米管的场发射性能优越 .还在“竹节状”结构的基础上对CNx 纳米管的场致电子发射机理进行了讨论     

纳米管有助于迅速提高原子的发光度

通常避雷针的尖端可以改变建筑物周围电场的性质 ,同样一个高度弯曲的表面 (约为纳米量级 )也能改变表面附近真空电磁场的物质特性 .在纳米体 (例如量子点、纳米球或纳米棒等 )附近的原子由于电磁场的改变会导致它的物质行为的变化 ,这种现象在物理上称为珀塞尔效应 (Ｐｕｒｃｅｌｌｅｆｆｅｃｔ) .它的产生是由于原子内的激发电子能强烈地感应其周围的真空电磁场的变化 .白俄罗斯的国立明斯克 (Ｍｉｎｓｋ)大学的Ｓ .Ｍａｋｓｉｍｅｎｋｏ教授及其同事们完成了一项物理实验 ,他们证明 ,由于碳纳米管导电性质的异常 ,在其附近的激发原子或分…     

基于项重写技术的机器发现逻辑

机器学习与机器发现的研究需要借鉴机器定理证明技术的成果和现代科学哲学的方法论.遵循这两个观点,本文扩展了基于项重写规则法的机器定理证明技术,使之能解决某些有关机器发现的问题.在此基础上给出了Lakatos 发现方法论的一个形式系统,并建立了实现Lakatos方法的算法.     

溶剂热还原合成Cr2O3纳米管(英)

Cr₂O₃ nanotubes with diameters of 80 nm and lengths of 550 nm were synthesized in a solvothermal reduction system at 180 ℃. The acetyl acetone (AcAc) and ethylene glycol (EG) were used as the chelate agent and the reductant respectively in the system. An intermediate compound-Cr(Ⅲ)(C₅H₇O₂)₃ was formed to force Cr₂O₃to crystallize along one direction.     

羧基化碳纳米管嵌入石墨修饰电极对多巴胺和抗坏血酸的电催化

采用涂层和嵌入修饰法 ,将羧基化多层碳纳米管制成两种修饰电极。以多巴胺 (DA)和抗坏血酸(AA)为模型化合物 ,研究了两种修饰电极对DA和AA共存时的电催化作用。结果表明 :嵌入的方式比涂层的方式显示了更多的优点。嵌入修饰电极不仅使峰电流增加 ,并且使两者共存时的氧化峰位分离达 16 0mV ,同时 ,该电极对DA的响应灵敏于AA ,这有利于在大量的AA存在下实现对DA的测定。在 1× 10 - 3 mol/L的AA的存在下 ,还原电流的一阶导数与DA浓度在 5× 10 - 7～ 1× 10 - 4 mol/L范围内呈良好的线性关系 ;检测下限达 1× 10 - 7mol L。     

N-TiO2/ZnO复合纳米管阵列的掺杂机理及其光催化活性

以ZnO纳米柱阵列为模板, 采用溶胶-凝胶法制备出TiO2/ZnO和N掺杂TiO2/ZnO的复合纳米管阵列. 扫描电镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)和紫外-可见漫反射吸收光谱(UV-Vis)的结果表明: 两种阵列的纳米管均为六角形结构, 直径约为100 nm, 壁厚约为20 nm; 在N-TiO2/ZnO复合纳米管阵列中, 掺入的N离子主要是以N-Ox、N-C和N-N的形式化学吸附在纳米管表面, 仅有少量的N离子以取代式掺杂的方式占据TiO2晶格O的位置; 表面N物种形成的表面态能级和取代式掺杂导致带隙的窄化, 增强了纳米管阵列的光吸收效率, 促进了光生载流子的分离. 光催化实验结果表明, N离子的掺杂有利于N-TiO2/ZnO复合纳米管阵列光催化活性的提高.     

N-TiO2/ZnO复合纳米管阵列的掺杂机理及其光催化活性

以ZnO纳米柱阵列为模板, 采用溶胶-凝胶法制备出TiO2/ZnO和N掺杂TiO2/ZnO的复合纳米管阵列. 扫描电镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)和紫外-可见漫反射吸收光谱(UV-Vis)的结果表明: 两种阵列的纳米管均为六角形结构, 直径约为100 nm, 壁厚约为20 nm; 在N-TiO2/ZnO复合纳米管阵列中, 掺入的N离子主要是以N-Ox、N-C和N-N的形式化学吸附在纳米管表面, 仅有少量的N离子以取代式掺杂的方式占据TiO2晶格O的位置; 表面N物种形成的表面态能级和取代式掺杂导致带隙的窄化, 增强了纳米管阵列的光吸收效率, 促进了光生载流子的分离. 光催化实验结果表明, N离子的掺杂有利于N-TiO2/ZnO复合纳米管阵列光催化活性的提高.