全文获取类型
收费全文 | 3724篇 |
免费 | 631篇 |
国内免费 | 1865篇 |
专业分类
化学 | 2870篇 |
晶体学 | 221篇 |
力学 | 1583篇 |
综合类 | 108篇 |
数学 | 235篇 |
物理学 | 1203篇 |
出版年
2024年 | 30篇 |
2023年 | 89篇 |
2022年 | 123篇 |
2021年 | 140篇 |
2020年 | 116篇 |
2019年 | 141篇 |
2018年 | 78篇 |
2017年 | 121篇 |
2016年 | 136篇 |
2015年 | 118篇 |
2014年 | 251篇 |
2013年 | 231篇 |
2012年 | 160篇 |
2011年 | 213篇 |
2010年 | 204篇 |
2009年 | 226篇 |
2008年 | 184篇 |
2007年 | 179篇 |
2006年 | 195篇 |
2005年 | 254篇 |
2004年 | 275篇 |
2003年 | 408篇 |
2002年 | 348篇 |
2001年 | 312篇 |
2000年 | 219篇 |
1999年 | 166篇 |
1998年 | 194篇 |
1997年 | 156篇 |
1996年 | 190篇 |
1995年 | 236篇 |
1994年 | 161篇 |
1993年 | 54篇 |
1992年 | 78篇 |
1991年 | 70篇 |
1990年 | 91篇 |
1989年 | 56篇 |
1988年 | 8篇 |
1987年 | 3篇 |
1986年 | 5篇 |
1985年 | 1篇 |
排序方式: 共有6220条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
2.
3.
用粉末冶金方法制备了6066Al合金和不同SiCp含量的6066Al/SiCp复合材料,用多功能内耗仪在200~600 K温度区间内测试了所研究材料在升温过程中的内耗变化趋势,探讨了6066 Al /SiCp复合材料在不同温度区间的内耗机制.结果表明6066Al/SiCp的内耗值比6066Al合金内耗值高,特别是在高温阶段比6066Al合金内耗值高得多;6066Al/SiCp和6066Al合金在300~470 K时的内耗主要是位错与第二相颗粒交互作用引起的位错内耗,在高温下内耗主要由Al/Al、Al/SiC的界面微滑移引起. 相似文献
4.
5.
以金属钇和异丙醇为原料,以HgCl2/I2为复合催化剂,通过对金属钇的机械加工以增加其比表面,并将异丙醇脱水使其含水量降低至0.05%,体系在82℃回流5h,经过滤、减压蒸馏,得到了白色海绵状异丙醇钇,其产率高达83%,合成时间比文献报道的缩短了19h,产率提高了8%。文章确定了催化剂的最佳用量为20gY加入60mg HgCl2/I2,研究了合成产率与HgCl2/I2催化剂和HgCl2催化剂的依赖关系及异丙醇中含水量对合成产率的影响,并对HgCl2/I2的催化作用机理进行了初步探讨。 相似文献
6.
7.
在聚合物基体中掺入少量的层状硅酸盐所制备的聚合物/粘土纳米复合材料,其阻隔性能明显地优于纯聚合物及其传统的复合材料。实验及分析结果表明,聚合物/粘土纳米复合材料的微观结构和阻隔性能主要受控于粘土剥离后的径厚比.一简单的重整化群模型被用来评估粘土几何因素(诸如径厚比、取向、剥离程度等)对聚合物/粘土纳米复合材料阻隔性能的影响,所得到的逾渗阈值及最佳粘土含量与实验结果吻合。 相似文献
8.
9.
用经验赝势方法计算了体ZnSe以及ZnSe/GaAs单异质结系统中ZnSe外延层г、X、L等特殊对称点导带底能量随压力的变化。结果表明,同Si、Ge、GaAs等半导体材料不同,ZnSe的X点导带底具有正的压力系数,但比г点的压力系数小,这是ZnSe材料以及ZnSe基异质结构材料发生直接禁带向间接禁带的转变时所需转变压力较大的根本原因。研究了ZnSe/GaAs异质结构中晶格失配造成的应变对外延层г、X、L对称点压力系数的影响,表明这种晶格失配造成的应变可以极大地减小ZnSe外延层材料由直接禁带向间接禁带的转变压力。 相似文献
10.