国内首次研制成功的高温超导移动通讯基站子系统原理性样机

高温超导移动电话基站子系统可以明显提高基站的性能，因此受到广泛的重视。我们利用一个高性能超导滤波器，低噪声放大器，脉冲管制冷机和有关的微波线路集成了一台完整的高温超导移动通讯基站子系统原理性样机。该子系统是针对DCS1800基站系统，频段为1710-1785MHz，系统增益为18dB，该子系统是国内研制成功的首台原理性样机。这表明对高温超导微波器件的应用研究已取得了阶段性的重要成果。性能更好的实用子系统样机正在研制中。     

用高温超导模拟研制磁场高均匀度回旋管

磁场高均匀度的低温超导磁体系统已经取得了广泛的应用，在许多领域发挥着重要的作用。随着低温技术和超导技术的发展，用高温超导材料制作高均匀度的超导磁体成为可能。因此，我们用高温超导材料模拟制作了磁场高均匀度回旋管。     

Electron Holography of Barrier Structures in Co／ZrAlOx／Co Magnetic Tunnel Junctions

We investigate the potential profiles and elemental distribution of barriers in Co/ZrAlOx/Co magnetic tunnel junctions (MTJs) using electron holography (EH) and scanning transmission electron microscopy. The MTJ barriers are introduced by oxidizing a bilayer consisting with a uniform 0.45-nm Al layer and a wedge-shaped Zr layer (0-2 nm). From the scanning transmission electron microscopy, AlOx and ZrOx layers are mixed together, indicating that compact AlOx layer cannot be formed in such a bilayer structure of barriers. The Eli results reveal that there are no sharp interfaces between the barrier and magnetic electrodes, which may be responsible for a smaller tunnelling magnetoresistance compared with the MTJs of Co/AlOx/Co.     

高压增氧T′相R_2CuO_(4+δ)(R=Nd～Tm)低温磁性研究

T′相R2CuO4稀土铜氧化合物由于尺度效应而产生弱铁磁性行为已经被人们关注,报导了通过高温高氧压(6GPa,1000℃)合成稀土T′相R2CuO4(R=Nd,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er和Tm)化合物的结构和磁学性能。磁化率曲线显示,在低温下所有的高压增氧R2CuO4样品都出现新的低温弱铁磁性反常行为,转变温度在28K附近。新的低温弱铁磁性行为是由于CuO2面上微量氧空穴的掺入,使处于反铁磁有序CuO2面形成局域化的铁磁性团簇造成。实验证明新发现的低温弱铁磁性行为与尺度效应产生弱铁磁性行为属于完全不同的物理机制。结果还预示T′相R2CuO4稀土铜氧化合物很难通过空穴掺杂而实现超导。     

混合稀土EuBaCuO体系的高温超导电性研究

本报道了采用三种不同含量的混合稀土Ｅｕ２Ｏ３（Ｅｕ２Ｏ３的含量分别为７０％，７９．９８％，９０％）为原料，利用固态反应法制备混合稀土Ｅｕ－Ｂａ－Ｃｕ－Ｏ体系超导体样品的工艺；给出了高温超导电性测量和Ｘ射线粉末衍射及扫描电镜分析结果。     

用Josephson结电子模拟器测量磁通量子2e/h

介绍用Josephson结电子模拟器在政党温度下，模拟测量磁通量子2e/h，用模拟器来研究Josephosn结的特性。该实验可作为普通物理实验中课题设计实验的一个内容。     

用计算机测量PN结的反向物理特性

本对PN结反向物理特性，应用电子技术和计算机技术实现了对实验过程的控制和效据处理。     

一种基于能带工程设计的CaAsSb/InP异质结双极晶体三极管

异质结晶体三极管（HBT）的性能与其材料体系密不可分，利用能带工程可以大大优化器件的结构，提高器件性能，文章从分析HBT的能带结构及设计要求入手，介绍了一种利用能带工程设计的基于GaAsSb/InP材料体系的新型HBT器件的结构及其性能，分析了该器件与其它材料体系器件相比所具有的优异特性，说明了对HBT的各区材料，其带边的相对位置所起的重要作用，最后，文章还报道了近期的实验情况，说明了GaAsSb/InP体系HBT的实际性能与理论预言一致。     

Au-Zn,TiPdAu电极对InGaAsP/InP双异质结发光管可靠性影响的研究

本文用AES研究了P-InP/TiPdAu热处理前后的界面特性,结果表明:TiPd层对Au的内扩散和In的扩散有阻挡作用。以TiPdAu作InGaAsP/InP双异质结发光管的p面电极、镀Au作热沉,采用In焊料,研究了器件的可靠性问题,在室温大气气氛中;70℃存储,70～80℃带电老化,三种条件下长时间考核结果表明:器件的I-V特性正常,末见正向压降明显变化。还比较了Au-Zn材料作p面电极用TiPdAu作肖脱基势垒限制层制成的器件和用TiPdAu作电极材料制成的深Zn扩散型器件在老化过程中的特性变化,后二种结构的器件,在长期老化过程中,有源区中有大面积DSD生长和增殖。