非傍轴平顶高斯光束M2因子两种定义的比较研究

基于功率密度的二阶矩方法,推导出了非傍轴平顶高斯(FG)光束束宽和远场发散角的解析表达式·研究表明,当w0/λ→0时,远场发散角趋于渐近值θmax=63.435°,与阶数无关·使用非傍轴高斯光束代替傍轴高斯光束作为理想光束,研究了非傍轴FG光束的M2因子,并与传统定义的M2因子作了比较·在非傍轴范畴,非傍轴FG光束的M2因子不仅与阶数N有关,而且与w0/λ有关·按照定义,当w0/λ→0时,非傍轴FG光束的M2因子不等于0,对阶数N=1,2,3时,M2因子分别趋于0.913,0.882和0.886·当N→∞时,M2因子取最小值M2min=0.816·     

Si1－xGex/Si量子阱发光材料的分子束外延生长及其结构研究

采用固源Si分子束外延,在较高的生长温度于Si(100)衬底上制备出Si1－xGex/Si量子阱发光材料。发光样品的质量和特性通过卢瑟福背散射、X射线双晶衍射及光致发光评估。背散射实验中观察到应变超晶格的反常沟道效应;X射线分析表明材料的生长是共度的、无应力释放的,结晶完整性好。低温光致发光主要是外延合金量子阱中带边激子的无声发射和横光学声子参与的激子复合。并讨论了生长温度对量于阱发光的影响。     

相位差与q变形广义相干叠加态的压缩特性

对于q变形的非简谐振子广义相干态的叠加态β〉+eiφβeiδ〉,其量子涨落的可能高阶压缩阶数可以表示为k≠2πn/δ,这里n是整数.当δ=π时,压缩阶数不能是偶数即只能是奇数,这正是q变形非简谐振子广义奇偶相干态的结果.由此表明参数相位差δ对决定q变形的非简谐振子广义相干态叠加态的高阶压缩阶数起决定性作用.     

Transverse Effects in Slow Light Propagation

The effect of finite control beam on the transverse spatial profile of the slow light propagation in an electromagnetically induced transparency medium is studied. From the second-order wave equation and linear response of an EIT medium to the signal field, we find it is possible to produce an effective waveguide for the signal field. The existence and properties of a set of localized, stationary transverse modes are demonstrated. Especially, by carefully manipulating the profile of the control beam, we can realize single-mode propagation for the signal field, which may be important for potential applications.     

双奇核188Au的准粒子带结构研究

利用在束γ谱学实验技术, 通过¹⁷³Yb(¹⁹F,4nγ)反应 布居了¹⁸⁸Au的高自旋态, 并对其准粒子带结构进行了研究. 基于实验测量结果, 对原有的双奇核¹⁸⁸Au能级纲图做了较大的修改. 通过系统性比较, 对15⁺以上的能级结构进行了讨论.     

κ玻色子q相干态的反聚束效应

研究了q变形湮没算符高次幂（αq^k,κ≥3)本征态的反聚束效应，并就κ=3的情况用数值计算方法研究了q变形参数对该效应的影响。结果表明，当q变形相干态中谐振子的强度x=|z|^2在某些区间内取值时，αq^k的本征态将呈现反聚束效应，并且这一效应明显地受到q参数的影响。当参数q取定时，随着q变形光场强度的变大，该光场的光子数涨落在经典（或量子）和量子（或经典）特性之间交替地变化。     

HI-13串列加速器上核结构在束γ谱学研究：现状及展望

主要介绍HI-13串列加速器的现状, 升级工程BRIF以及计划中的BRIFF-Ⅱ, 在束γ谱学研究的现状与将来核结构研究的展望.     

高斯光束计算平板波导自由传输区远场分布及其修正

对近轴近似条件下求解亥姆霍兹方程得到的高斯光束显式传播公式做了分析，同时，基于基尔霍夫衍射理论，在菲涅耳近似的条件下给出了相应的高斯光束在远场的传播公式，在此基础上，对近轴近似条件做出了定量分析，给出了这个近似条件引入的误差，提出了一种计算高斯光束远场分布的修正方法，并采用有限差分-光束传播方法(FD-BPM)来检验各种方法的准确性。把这种修正方法应用到平面光集成波导器件，如阵列波导光栅(AWG)、蚀刻衍射光栅(EDG)等器件的设计和模拟中，可以大大降低工作的复杂性，同时可以得到精确的结果。     

WEIERSTRASS REPRESENTATION FORSURFACES WITH PRESCRIBED NORMALGAUSS MAP AND GAUSS CURVATURE IN H~3

The author obtains a Weierstrass representation for surfaces with prescribed normal Gauss map and Gauss curvature in H3. A differential equation about the hyperbolic Gauss map is also obtained, which characterizes the relation among the hyperbolic Gauss map, the normal Gauss map and Gauss curvature. The author discusses the harmonicity of the normal Gauss map and the hyperbolic Gauss map from surface with constant Gauss curvature in H3 to S2 with certain altered conformal metric. Finally, the author considers the surface whose normal Gauss map is conformal and derives a completely nonlinear differential equation of second order which graph must satisfy.