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1.
Au/SiO2纳米多层薄膜的制备及其性质表征   总被引:4,自引:2,他引:2       下载免费PDF全文
利用多靶磁控溅射技术制备了Au/SiO2纳米颗粒分散氧化物多层复合薄膜.研究了在保持Au单层颗粒膜沉积时间一定时薄膜厚度一定、变化SiO2的沉积时间及SiO2的沉积时间一定而改变薄膜厚度时,多层薄膜在薄膜厚度方向的微观结构对吸收光谱的影响.研究结果表明:具有纳米层状结构的Au/SiO2多层薄膜在560nm波长附近有明显的表面等离子共振吸收峰,吸收峰的强度随Au颗粒的浓度增加而增强,在Au颗粒浓度相同的情况下,复合薄膜光学吸收强度随薄膜厚度的增加而增强.但当金属颗粒的浓度增加到一定程度时,金属颗粒相互接触,没有观察到纳米层状结构,薄膜不显示共振吸收峰特征.用修正后的M-G(Maxwell-Garnett)理论对吸收光谱进行了模拟,得到了与实验一致的结果.  相似文献   
2.
In the study of nuclear fusion, the conventional fuelling of plasma is edge gas puffing, however many experiments indicated that the fuelling efficiency of gas puffing usually degraded with increase of heat power leading the density profile of plasma control  相似文献   
3.
In the ever fusion experiments in SWIP, pellet forming process was carried out through adjusting relative devices by staff member in site, which will make every pellet-forming process slight distinction and will result in pellet difference in shape, size and intensity. In the intervals of HL-2A discharges, staff member have to go site to accomplish the pellet-forming process, this wastes human power and increase the potential danger. So it is necessary to develop a remote control system to perform the pellet-forming process. The control system needs have the features of real-time, reliability and be easy to operate and maintain.  相似文献   
4.
“神龙一号”注入器研制   总被引:2,自引:0,他引:2  
“神龙一号”注入器是直线感应加速器的束流源,它采用了感应叠加的高压加载方式,包括脉冲功率系统、感应腔、阴阳极杆、绝缘支撑、二极管和束流传输系统等子系统. 在研制中采用了径向绝缘支撑、对中支撑调节系统、类Pierce阴极等先进技术,以及二极管线圈内置和外径为800mm的铁氧体大环等创新. 参数测试显示,3.5MeV注入器达到了世界先进水平.  相似文献   
5.
6.
双阳极磁控注入枪束流特性的研究   总被引:1,自引:1,他引:0       下载免费PDF全文
 介绍了用于34GHz基波回旋速调管的双阳极磁控注入枪的结构特点,为了准确分析磁控注入枪的束流特性,建立了阴极表面理论模型,用新编制的程序模拟了电子轨迹。模拟和测量结果显示磁场对磁控注入枪的束流有影响,磁控注入枪的束流也与阴极温度和空间电荷效应有关系。  相似文献   
7.
第一讲中子散射与散裂中子源   总被引:1,自引:0,他引:1  
中子散射是研究物质微观结构和动态的理想工具之一,广泛地应用于凝聚态物质研究和应用的众多学科领域.散裂中子源能是新一代的加速器基脉冲中子源,能为中子散射提供高通量的脉冲中子.文章简明地介绍了中子散射的特点和它作为物质结构和动态探针的优越性,以及散裂中子源的基本原理、发展状况和多学科的应用优势.我国计划建设的散裂中子源CSNS中,靶站将由多片钨靶、铍/铁反射体和铁/重混凝土生物屏蔽体组成.质子束功率100kW下,脉冲中子通量约为2.4×1016n/cm2/s.第一期将设计建造高通量粉末衍射仪、高分辨粉末衍射仪、小角散射仪、多功能反射仪和直接几何非弹性散射仪等五台典型的中子散射谱仪,以覆盖大部分的中子散射研究领域.  相似文献   
8.
Hydrogen ions were implanted into separation by implantation of oxygen (SIMOX) silicon-on-insulator (SOI) wafers near the oxygen-implantation-induced damage peak under different conditions of energy and dose. It was found that the implanted hydrogen ions not only accelerate the diffusion of oxygen atoms from the annealing ambience into the wafer but also cause an outward diffusion of oxygen atoms in the buried oxide (BOX) layer. Thus, greatly broadened buried oxygen-rich (BOR) layers were formed in our experiments, which are 18%-79% broader than the BOX layer of standard SIMOX SOI wafers under the same conditions of oxygen implantation. The mechanism was discussed. A potential low cost method to fabricate SIMOX SOI wafers is proposed.  相似文献   
9.
利用 Schn-Tremblay 理论计算了 Pb、Sn 超导薄膜在注入准粒子且注入电压很小(ev<2△(?))时的能隙微小增加的效应.同时,把此理论扩展到 ev>>2△_i 的大电压情况,计算出能隙明显减小及超导-正常混合态的结果.  相似文献   
10.
介绍了在神光Ⅱ装置上开展的长脉冲2ns三倍频激光与黑腔靶相互作用的实验。报道了采用PIN探测器阵列测量大角度受激Raman散射(SRS)角分布和采用激光卡计对背向SRS光能量积分测量的实验结果。相同实验条件下激光辐照缝靶产生的SRS光能量要强于激光与全腔靶作用产生的SRS光,小腔靶的SRS光能量要强于标准腔靶。对比长脉冲2ns及短脉冲1ns激光打靶实验结果可以看出:由于激光功率密度的下降,长脉冲激光打靶时SRS散射光能量要弱于短脉冲激光打靶。长脉冲2ns激光与标准腔靶相互作用时,等离子体堵腔比较严重。  相似文献   
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