FexSn100-x合金颗粒薄膜的反常霍耳效应

采用离子束溅射的方法制备了一系列不同原子比的FexSn100-x合金颗粒膜,系统地研究了该体系的反常霍耳效应.在该薄膜中发现了铁磁金属/非磁金属体系中最大的霍耳电阻率,讨论了不同原子配比、薄膜厚度对霍耳效应的影响.通过研究饱和霍耳电阻率ρxys同电阻率ρxx的关系,讨论了反常霍耳效应的机理.     

PID自动控温仪在变温霍耳效应研究中的应用简

应用计算机控制的PID控温仪研究了锑化铟样品的变温霍耳效应。通过在线控制并记录77K～300K温度范围内锑化铟样品的霍耳电压，估测了样品的禁带宽度。     

High Resistive ZnO／Diamond／Si Films Grown via Metal-organic Chemical Vapour Deposition

Piezoelectric ZnO layers with high resistivity for surface acoustic wave applications were prepared on polycrystalline diamond/Si substrates with(Ill) orientation via metal-organic chemical vapour deposition.The characteristics of the films were optimized through different growth methods. The comparative study of the X-ray diffraction spectra and scanning electron microscopic images showed that the final-prepared ZnO films were dominantly c-axis oriented. Zn and O elements in the final prepared ZnO films were investigated through X-ray photoelectron spectroscopy. According to the statistical results, the n(Zn)/n(O) ratio is near 1. The Raman scattering was also performed in back scattering configuration. E2 mode was observed for the final films, which indicated that the better quality ZnO films had been obtained. The resistivity of the films was also enhanced via the modification of the growth methods.     

Anomalous Hall effect of heavy holes in III-V semiconductor quantum wells

The anomalous Hall effect of heavy holes in semiconductor quantum wells is studied in the intrinsic transport regime, where the Berry curvature governs the Hall current properties. Based on the first--order perturbation of wave function the expression of the Hall conductivity the same as that from the semiclassical equation of motion of the Bloch particles is derived. The dependence of Hall conductivity on the system parameters is shown. The amplitude of Hall conductivity is found to be balanced by a competition between the Zeeman splitting and the spin--orbit splitting.     

工科物理实验教学改革尝试

 物理学是一门实验科学,物理实验技术的发展对物理学的发展和科学技术的革命起了十分显著的促进作用。     

克里青（Klitzing，Klaus Von，1943-）德国物理学家（Physicist，Germany）

霍耳效应是一种电磁效应。将通有电流的导体或半导体置于与电流方向垂直的磁场中，在垂直于电流和磁场的方向上会产生一横向电场。从霍耳系数的正负和大小可以判断载流子的类型和浓度。霍耳系数与载流子的浓度成反比，半导体的霍耳系数比金属大得多。1980年，克里青发现了量子霍耳效应。他在研究处于超强磁场和超低温度之下硅的金属一氧化物-半导体场效应管的霍耳效应时，观测到霍耳电阻随外加磁场的变化曲线上出现多个平台，其电阻值与半导体材料的种类、器件制造和结构无关，而是取普适值，通过基本物理常量表示为h／ie^2.     

PID自动控温仪在变温霍耳效应研究中的应用

应用计算机控制的PID控温仪研究了锑化铟样品的变温霍耳效应。通过在线控制并记录77K-300K温度范围内锑化铟样品的霍耳电压,估测了样品的禁带宽度。     

矢量光束界面反射透射的自旋霍耳效应

矢量光束的一般表示方法是利用投影矩阵和广义琼斯矢量的乘积描述.投影矩阵存在一个自由度,该自由度与有限光束的场矢量偏振状态有关,由特定的单位矢量与波矢量间的方位角决定,可以定量地描述矢量光束的偏振状态.本文在矢量光束描述的理论基础上,通过对投影矩阵进行与反射光束与透射光束传播方向相应的坐标旋转,根据麦克斯韦方程组及其边界条件,计算讨论在各向同性介质界面上反射、透射矢量光束的表示形式以及其自旋霍尔效应表现出的横向位移.线偏振光(光子自旋量为σ＝0)横向位移为零,圆偏振光束(光子自旋量为σ＝±1)位移量最大且左圆偏振与右圆偏振光束的位移大小相等方向相反,进一步分析了左圆偏振光束在界面上的反射、透射光束的横向位移与入射角的关系.     

量子霍耳效应发现十周年

 霍耳效应是1879年美国物理学家霍耳研究载流导体在磁场中导电的性质时发现的一种电磁效应.他在长方形导体薄片上通以电流,沿电流的垂直方向加磁场(如图1),发现在与电流和磁场两者垂直的两侧面产生了电位差.后来这个效应广泛应用于半导体研究.一百年过去了.1980年一种新的霍耳效应又被发现.这就是德国物理学家冯·克利青从金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)发现的量子霍耳效应.